2022 Susceptor MOCVD berkualiti tinggi Beli dalam talian di China, Susceptor epitaksi Sic Graphite,
Substrat sokongan grafit, Suseptor Grafit, Susceptors Grafit untuk SiC Epitaxy, Susceptors Grafit untuk Silikon, Suseptor grafit dengan salutan silikon karbida, ALAT GRAFIT DALAM SEPARUH KONDUKTOR Dulang Grafit Susceptors Wafer Grafit ALAT GRAFIT KETUlen TINGGI Opto-elektronik, platform satelit untuk MOCVD, Platform satelit grafit bersalut SiC untuk MOCVD,
Kelebihan istimewa suseptor grafit bersalut SiC kami termasuk ketulenan yang sangat tinggi, salutan homogen dan hayat perkhidmatan yang cemerlang. Mereka juga mempunyai rintangan kimia yang tinggi dan sifat kestabilan haba.
Salutan SiC substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan bahagian dengan ketulenan unggul dan rintangan kepada atmosfera pengoksidaan.
CVD SiC atau CVI SiC digunakan pada Grafit bahagian reka bentuk ringkas atau kompleks. Salutan boleh digunakan dalam ketebalan yang berbeza-beza dan ke bahagian yang sangat besar.
ciri-ciri:
· Rintangan Kejutan Terma Cemerlang
· Rintangan Kejutan Fizikal yang sangat baik
· Rintangan Kimia Cemerlang
· Ketulenan Super Tinggi
· Ketersediaan dalam Bentuk Kompleks
· Boleh digunakan di bawah Atmosfera Pengoksidaan
Sifat Biasa Bahan Grafit Asas:
Ketumpatan Jelas: | 1.85 g/cm3 |
Kerintangan Elektrik: | 11 μΩm |
Kekuatan lentur: | 49 MPa (500kgf/cm2) |
Kekerasan Pantai: | 58 |
Abu: | <5ppm |
Kekonduksian Terma: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
Karbon membekalkan suseptor dan komponen grafit untuk semua reaktor epitaksi semasa. Portfolio kami termasuk suseptor tong untuk unit gunaan dan LPE, suseptor lempeng untuk unit LPE, CSD dan Gemini, dan suseptor wafer tunggal untuk unit gunaan dan ASM. Dengan menggabungkan perkongsian kukuh dengan OEM terkemuka, kepakaran bahan dan pengetahuan pembuatan, SGL menawarkan reka bentuk yang optimum untuk aplikasi anda.