SiC бүрсэн графит хагас сарны хэсэгis a түлхүүрХагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлийн процесст, ялангуяа SiC эпитаксиаль төхөөрөмжид ашигладаг бүрэлдэхүүн хэсэг.Хагас сарыг хийхдээ бид патентлагдсан технологио ашигладагмаш өндөр цэвэршилттэй,сайнбүрэхжигд байдалмөн маш сайн үйлчилгээний хугацаа, түүнчлэнөндөр химийн эсэргүүцэл ба дулааны тогтвортой байдлын шинж чанарууд.
VET Energy бол ньCVD бүрээстэй графит болон цахиурын карбидын захиалгат бүтээгдэхүүний жинхэнэ үйлдвэрлэгч,нийлүүлэх боломжтойянз бүрийнхагас дамжуулагч болон фотоволтайкийн үйлдвэрт зориулсан захиалгат эд анги. Oтехникийн баг нь дотоодын шилдэг судалгааны байгууллагуудаас ирдэг тул илүү мэргэжлийн материаллаг шийдлүүдийг гаргаж чадначамд.
Бид илүү дэвшилтэт материалаар хангах дэвшилтэт процессуудыг тасралтгүй хөгжүүлж,болонТэд тусгай патентлагдсан технологийг боловсруулсан бөгөөд энэ нь бүрээс ба субстрат хоорондын холболтыг илүү нягт, салгахад өртөмтгий болгодог.
Fманай бүтээгдэхүүний онцлог:
1. Өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл 1700 хүртэл℃.
2. Өндөр цэвэршилттэй бадулааны жигд байдал
3. Маш сайн зэврэлтэнд тэсвэртэй: хүчил, шүлт, давс, органик урвалжууд.
4. Өндөр хатуулаг, нягт гадаргуу, нарийн ширхэгтэй тоосонцор.
5. Үйлчилгээний хугацаа урт, удаан эдэлгээтэй
| ЗСӨ SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ийн үндсэн физик шинж чанаруудбүрэх | |
| 性质 / Эд хөрөнгө | 典型数值 / Ердийн утга |
| 晶体结构 / Кристал бүтэц | FCC β үе шат多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Нягт | 3.21 г/см³ |
| 硬度 / Хатуулаг | 2500 维氏硬度（500г ачаалал） |
| 晶粒大小 / Үр тарианы хэмжээ | 2 ~ 10 мкм |
| 纯度 / Химийн цэвэр байдал | 99.99995% |
| 热容 / Дулааны багтаамж | 640 Жкг-1· К-1 |
| 升华温度 / Сублимацийн температур | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Гулзайлтын бат бэх | 415 МПа RT 4 цэг |
| 杨氏模量 / Young's modulus | 430 Gpa 4pt нугалах, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermaлДамжуулах чадвар | 300W·m-1· К-1 |
| 热膨胀系数 / Дулааны тэлэлт (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Таныг манай үйлдвэрт хүрэлцэн ирэхийг урьж байна, цаашдаа ярилцъя!
