VET Energy-ийн бүтээгдэхүүний шугам нь SiC хавтан дээрх GaN-ээр хязгаарлагдахгүй. Бид мөн Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer гэх мэт олон төрлийн хагас дамжуулагч субстрат материалаар хангадаг. Үүнээс гадна бид Gallium Oxide Ga2O3, AlN зэрэг өргөн зурвасын хагас дамжуулагч материалыг идэвхтэй хөгжүүлж байна. Ирээдүйн цахилгаан электроникийн үйлдвэрлэлийн өндөр гүйцэтгэлтэй төхөөрөмжүүдийн эрэлт хэрэгцээг хангахын тулд Wafer.
VET Energy нь уян хатан тохируулгын үйлчилгээ үзүүлдэг бөгөөд өөр өөр зузаантай, өөр өөр төрлийн допинг, өөр өөр хэмжээтэй өргүүрийн GaN эпитаксиаль давхаргыг хэрэглэгчдийн хэрэгцээ шаардлагад нийцүүлэн өөрчлөх боломжтой. Нэмж дурдахад бид өндөр хүчин чадалтай цахилгаан төхөөрөмжийг хурдан хөгжүүлэхэд нь туслахын тулд мэргэжлийн техникийн дэмжлэг үзүүлж, борлуулалтын дараах үйлчилгээг үзүүлдэг.
ХЭРЭГСЭЛИЙН ТОДОРХОЙЛОЛТ
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Хагас тусгаарлагч
Зүйл | 8 инч | 6 инч | 4 инч | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Нум(GF3YFCD)-Үнэмлэхүй утга | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Муухай(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) -10ммx10мм | <2μм | ||||
Өрөөний ирмэг | Нүхлэх |
Гадаргуугийн өнгөлгөө
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Хагас тусгаарлагч
Зүйл | 8 инч | 6 инч | 4 инч | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Гадаргуугийн өнгөлгөө | Хоёр талын оптик өнгөлөгч, Si-Face CMP | ||||
Гадаргуугийн барзгар байдал | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Ирмэгийн чипс | Зөвшөөрөгдөөгүй (урт ба өргөн≥0.5мм) | ||||
Догол | Зөвшөөрөгдөөгүй | ||||
Зураас(Si-Face) | Тоо хэмжээ.≤5, Хуримтлагдсан | Тоо хэмжээ.≤5, Хуримтлагдсан | Тоо хэмжээ.≤5, Хуримтлагдсан | ||
Хагарал | Зөвшөөрөгдөөгүй | ||||
Ирмэгийг хасах | 3мм |