Wāhanga Halfmoon kua pania a SiCis a kīte waahanga e whakamahia ana i roto i nga mahi hangahanga semiconductor, ina koa mo nga taputapu epitaxial SiC.Ka whakamahia e matou o maatau hangarau arai ki te hanga i te hawhe maramatino parakore teitei,paipaningaōritetangame te oranga ratonga pai, me tete ātete matū tiketike me ngā āhuatanga pūmautanga waiariki.
Ko te VET Energy tehe kaihanga tuuturu o nga hua graphite me nga hua carbide silicon me te paninga CVD,ka taea te tukurerekēnga waahanga kua whakaritea mo te semiconductor me te ahumahi photovoltaic. OKo to roopu hangarau i ahu mai i nga umanga rangahau a-whare o runga, ka taea e koe te whakarato otinga rauemi ngaiomo koe.
Ka whakawhanake tonu matou i nga tukanga matatau ki te whakarato rauemi matatau ake,aKua mahia e koe he hangarau arai motuhake, e taea ai te hono i waenga i te paninga me te tïpako kia kaha ake, kia iti ake ai te wetewete.
Fnga ahuatanga o a maatau hua:
1. Te teitei o te pāmahana te aukati i te waikura ki te 1700℃.
2. Te parakore teitei me tete tauritenga waiariki
3. He pai te aukati waikura: te waikawa, te alkali, te tote me nga reagents waro.
4. Te pakeke teitei, te mata kiato, nga matūriki pai.
5. He roa ake te ora mahi me te roa ake
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Ko nga ahuatanga taketake o te CVD SiCpaninga | |
| 性质 / Taonga | 典型数值 / Uara Angamaheni |
| 晶体结构 / Hanganga Kiriata | FCC β wāhanga多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Kiato | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Te pakeke | 2500 维氏硬度（500g uta） |
| 晶粒大小 / Raina witi | 2~10μm |
| 纯度 / Te Maamaa | 99.99995% |
| 热容 / Raukaha Wera | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Te Mahana Whakararo | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Te Kaha Toka | 415 MPa RT 4-tohu |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt piko, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalTe kawe | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Roha Ngawha(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Tena koe ki te toro ki to maatau wheketere, me korero ano!
