Nga ahuatanga o te waro hiraka rerystallized
Ko te carbide silicon recrystallized (R-SiC) he rauemi mahi nui me te pakeke tuarua ki te taimana, he mea hanga i te pāmahana teitei i runga ake i te 2000 ℃. He maha nga ahuatanga pai o te SiC e pupuri ana, penei i te kaha o te pāmahana teitei, te kaha o te waikura, te pai o te waiora, te pai o te awangawanga waiariki me era atu.
● Nga taonga miihini tino pai. Ko te carbide silicon recrystallized he kaha ake te kaha me te uaua atu i te muka waro, te kaha o te awangawanga, ka taea te mahi pai i roto i nga taiao tino wera, ka taea te takaro i te pai ake o te mahi i roto i nga momo ahuatanga. I tua atu, he pai ano te ngawari, kaore e pakaru noa i te totoro me te piko, ka tino pai ake te mahi.
● Te aukati waikura teitei. Ko te carbide silicon recrystallized he nui te aukati i te waikura ki te maha o nga momo panui, ka taea te aukati i te horo o nga momo purongo kino, ka taea te pupuri i ona taonga miihini mo te wa roa, he kaha te piri, kia roa ake te ora o te ratonga. I tua atu, he pai hoki te pumau o te waiariki, ka taea te urutau ki etahi momo huringa pāmahana, te whakapai ake i tana paanga tono.
● Kare e mimiti te whakakoi. Na te mea karekau te mahi sintering e mimiti, karekau he taumahatanga o te toenga ka paheke, ka pakaru ranei te hua, ka taea te whakarite i nga waahanga he ahua uaua me te tino tika.
| 重结晶碳化硅物理特性 Nga ahuatanga tinana o Silicon Carbide Recrystallized | |
| 性质 / Taonga | 典型数值 / Uara Angamaheni |
| 使用温度/ Te pāmahana mahi (°C) | 1600°C (me te hāora), 1700°C (whakaiti taiao) |
| SiC含量/ ihirangi SiC | > 99.96% |
| 自由Si含量/ Kore utu te ihirangi | < 0.1% |
| 体积密度/Kiato rahi | 2.60-2.70 g/cm3 |
| 气孔率/ Te ahua porosity | < 16% |
| 抗压强度/ Kaha kōpeketanga | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Te kaha piko o te makariri | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Te kaha piko wera | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Roha wera @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Te werawera @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Tauira rapa | 240GPa |
| 抗热震性/ Te ātete ru werawera | Tino pai |
Ko te VET Energy tehe kaihanga tuuturu o nga hua graphite me nga hua carbide silicon me te paninga CVD,ka taea te tukurerekēnga waahanga kua whakaritea mo te semiconductor me te ahumahi photovoltaic. OKo to roopu hangarau i ahu mai i nga umanga rangahau a-whare o runga, ka taea e koe te whakarato otinga rauemi ngaiomo koe.
Ka whakawhanake tonu matou i nga tukanga matatau ki te whakarato rauemi matatau ake,aKua mahia e koe he hangarau arai motuhake, e taea ai te hono i waenga i te paninga me te tïpako kia kaha ake, kia iti ake ai te wetewete.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Ko nga ahuatanga taketake o te CVD SiCpaninga | |
| 性质 / Taonga | 典型数值 / Uara Angamaheni |
| 晶体结构 / Hanganga Kiriata | FCC β wāhanga多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Kiato | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Te pakeke | 2500 维氏硬度（500g uta） |
| 晶粒大小 / Raina witi | 2~10μm |
| 纯度 / Te Maamaa | 99.99995% |
| 热容 / Raukaha Wera | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Te Mahana Whakararo | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Te Kaha Toka | 415 MPa RT 4-tohu |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt piko, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalTe kawe | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Roha Ngawha(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Tena koe ki te toro ki to maatau wheketere, me korero ano!
