Ritenga High Purity SiC pania Graphite Heater Huānga Whakawera

Ritenga High Purity SiC pania Graphite Whakawera Huānga Whakawera Whakaahua Whakaatuhia

Whakaahuatanga Poto:

Ko te whakamahana kauwhata he momo mea whakawera hiko e whakaputa wera ana ma te whakamahana i nga rawa kauwhata ma te hiko, he mea hanga mai i te kauwhata me nga karamu. Ka taea e tona hanganga ngarumaru te whakakore i te wera me te whakamahi nui i roto i te ahumahi, te hanga, te ahuwhenua me te oranga o ia ra. Na te pai o te kawe waiariki me te pumau o te pāmahana, ka whakamahia te huānga whakamahana graphite i roto i te umanga.

Tukuna he imeera ki a matou Tikiake hei PDF

Taipitopito Hua

Tohu Hua

Ko nga ahuatanga matua o te whakamahana kauwhata:

1. ōritetanga o te hanganga whakawera.

2. pai te kawe hiko me te kawenga hiko teitei.

3. parenga waikura.

4. inoxidizability.

5. teitei matū matū.

6. kaha miihini teitei.

Ko te painga ko te kaha o te kaha, te utu nui me te iti o te tiaki. Ka taea e tatou te whakaputa anti-oxidation me te roa o te ora graphite crucible, graphite pokepokea me nga wahi katoa o te whakamahana kauwhata.

Tawhā matua o te whakamahana kauwhata

Whakatakotoranga Hangarau	Semicera-M3
Kiato Nui (g/cm3)	≥1.85
Ihirangi pungarehu (PPM)	≤500
Te Maamaa o Takutai	≥45
Ātete Tauwhāiti (μ.Ω.m)	≤12
Te Kaha Toka (Mpa)	≥40
Kaha Kōpeke (Mpa)	≥70
Max. Rahi witi (μm)	≤43
Te whakarea o te Roha Ngaaahu Mm/°C	≤4.4*10-6

Ko te VET Energy tehe kaihanga tuuturu o nga hua graphite me nga hua carbide silicon me te paninga CVD,ka taea te tukurerekēnga waahanga kua whakaritea mo te semiconductor me te ahumahi photovoltaic. OKo to roopu hangarau i ahu mai i nga umanga rangahau a-whare o runga, ka taea e koe te whakarato otinga rauemi ngaiomo koe.

Ka whakawhanake tonu matou i nga tukanga matatau ki te whakarato rauemi matatau ake,aKua mahia e koe he hangarau arai motuhake, e taea ai te hono i waenga i te paninga me te tïpako kia kaha ake, kia iti ake ai te wetewete.

Fnga ahuatanga o a maatau hua:

1. Te teitei o te wera o te waiora ki te 1700℃.
2. Te purenga teitei me tete tauritenga waiariki
3. He pai te aukati waikura: te waikawa, te alkali, te tote me nga reagents waro.
4. Te pakeke teitei, te mata kiato, nga matūriki pai.
5. He roa ake te ora mahi me te roa ake

CVD SiC薄膜基本物理性能 Ko nga ahuatanga taketake o te CVD SiCpaninga
性质 / Taonga	典型数值 / Uara Angamaheni
晶体结构 / Hanganga Kiriata	FCC β wāhanga多晶，主要为（111）取向
密度 / Kiato	3.21 g/cm³
硬度 / Te pakeke	2500 维氏硬度（500g uta）
晶粒大小 / Raina witi	2~10μm
纯度 / Te Maamaa	99.99995%
热容 / Raukaha Wera	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Te Mahana Whakararo	2700 ℃
抗弯强度 / Te Kaha Toka	415 MPa RT 4-tohu
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt piko, 1300℃
导热系数 / ThermalTe kawe	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Roha Ngawha(CTE)	4.5×10^-6K^-1