Ko te rarangi hua a VET Energy ehara i te mea iti ki a GaN i runga i nga angiangi SiC. Ka whakaratohia ano hoki e matou he maha o nga momo taputapu taputapu semiconductor, tae atu ki te Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, me etahi atu, kei te kaha ano hoki matou ki te whakawhanake i nga rauemi semiconductor whanui bandgap hou, penei i te Gallium Oxide Ga2O3 me te AlN Wafer, ki te whakatutuki i te hiahia a te umanga hikohiko hiko mo nga ra kei te heke mai mo nga taputapu mahi teitei ake.
Ka whakarato a VET Energy i nga ratonga whakarite ngawari, ka taea te whakarite i nga paparanga epitaxial GaN he rereke te matotoru, momo momo doping, me nga rahi angiangi rereke e ai ki nga hiahia o nga kaihoko. I tua atu, ka whakarato ano hoki matou i te tautoko hangarau ngaio me te ratonga muri-hoko hei awhina i nga kaihoko ki te whakawhanake tere i nga taputapu hiko hiko.
NGA WHAKAMAHI WAFERING
*n-Pm=n-momo Pm-Kōeke,n-Ps=n-momo Ps-Kōeke,Sl=Hawhe-insulating
| Tūemi | 8-Inihi | 6-Inihi | 4-inihi | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Kopere(GF3YFCD)-Uara Tino | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Tapa Wafer | Tirohanga | ||||
MATA OTI
*n-Pm=n-momo Pm-Kōeke,n-Ps=n-momo Ps-Kōeke,Sl=Hawhe-insulating
| Tūemi | 8-Inihi | 6-Inihi | 4-inihi | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Mata Mutu | Takirua taha Optical Polish,Si- Kanohi CMP | ||||
| Ruarua Mata | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Tipi Tipi | Kore e Whakaaetia (te roa me te whanui≥0.5mm) | ||||
| Nuku | Kore e Whakaaetia | ||||
| Nga karawarawa(Si-kanohi) | Qty.≤5, Huihuinga | Qty.≤5, Huihuinga | Qty.≤5, Huihuinga | ||
| Kapiti | Kore e Whakaaetia | ||||
| Whakakorenga Tapa | 3mm | ||||
