4 Inihi GaN i runga i te SiC Wafer

Whakaahuatanga Poto:

Ko te GaN 4-inihi a VET Energy i runga i te angiangi SiC he hua hurihuri i roto i te mara hiko hiko. Ko tenei wafer e whakakotahi ana i te pai o te waiariki o te silicon carbide (SiC) me te kaha o te mana teitei me te iti o te mate o te gallium nitride (GaN), ka waiho hei whiringa pai mo te hanga i nga taputapu teitei, te hiko teitei. Ma te VET Energy e whakarite te mahi pai me te riterite o te angiangi na roto i te hangarau epitaxial MOCVD.

Tukuna he imeera ki a matou Tikiake hei PDF

Taipitopito Hua

Tohu Hua

Ko te rarangi hua a VET Energy ehara i te mea iti ki a GaN i runga i nga angiangi SiC. Ka whakaratohia ano hoki e matou he maha o nga momo taputapu taputapu semiconductor, tae atu ki te Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, me etahi atu, kei te kaha ano hoki matou ki te whakawhanake i nga rauemi semiconductor whanui bandgap hou, penei i te Gallium Oxide Ga2O3 me te AlN Wafer, ki te whakatutuki i te hiahia a te umanga hikohiko hiko mo nga ra kei te heke mai mo nga taputapu mahi teitei ake.

Ka whakarato a VET Energy i nga ratonga whakarite ngawari, ka taea te whakarite i nga paparanga epitaxial GaN he rereke te matotoru, momo momo doping, me nga rahi angiangi rereke e ai ki nga hiahia o nga kaihoko. I tua atu, ka whakarato ano hoki matou i te tautoko hangarau ngaio me te ratonga muri-hoko hei awhina i nga kaihoko ki te whakawhanake tere i nga taputapu hiko hiko.

NGA WHAKAMAHI WAFERING

*n-Pm=n-momo Pm-Kōeke,n-Ps=n-momo Ps-Kōeke,Sl=Hawhe-insulating

Tūemi	8-Inihi	6-Inihi			4-Inihi
Tūemi	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Kopere(GF3YFCD)-Uara Tino	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Tapa Wafer	Tirohanga

MATA OTI

*n-Pm=n-momo Pm-Kōeke,n-Ps=n-momo Ps-Kōeke,Sl=Hawhe-insulating

Tūemi	8-Inihi	6-Inihi			4-Inihi
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Whakaoti Mata	Takirua taha Optical Polish,Si- Kanohi CMP
Te Roughness Mata	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Mata Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-kanohi Ra≤0.5nm
Tipi Tipi	Kore e Whakaaetia (te roa me te whanui≥0.5mm)
Nuku	Kore e Whakaaetia
Nga karawarawa(Si-kanohi)	Qty.≤5, Huihuinga Length≤0.5×wafer diameter	Qty.≤5, Huihuinga Length≤0.5×wafer diameter			Qty.≤5, Huihuinga Length≤0.5×wafer diameter
Kapiti	Kore e Whakaaetia
Whakakorenga Tapa	3mm