SiC Coated Halfmoon Part Drum ampiasaina amin'ny SiC Epitaxial Equipment

Famaritana fohy:

Fampidirana sy fampiasana vokatra: fantsona quartz mifandray, afaka mandalo entona handroaka ny fihodinan'ny lovia, fanaraha-maso ny mari-pana

Ny toerana misy ny fitaovana amin'ny vokatra: ao amin'ny efitrano fanehoan-kevitra, tsy mifandray mivantana amin'ny wafer

Ny vokatra lehibe midina: fitaovana herinaratra

Tsenan'ny terminal lehibe: fiara mitondra angovo vaovao

Alefaso mailaka aminay Alefaso amin'ny PDF

Product Detail

Tags vokatra

SiC mifono Graphite Halfmoon Partis a ANDININ-singa ampiasaina amin'ny fizotran'ny famokarana semiconductor, indrindra ho an'ny fitaovana epitaxial SiC.Mampiasa ny teknolojia patentinay izahay mba hanaovana ny antsasaky ny volanafahadiovana avo dia avo,tsaracoatingMitovyary fiainana fanompoana tena tsara, ary koafanoherana simika avo sy fananana fahamarinan-toerana mafana.

Ny sandan'ny anjara VET Energy nytena mpanamboatra ny vokatra vita amin'ny grafit sy silisiôma carbide miaraka amin'ny coating CVD,afaka mamatsyisan-karazanyampahany namboarina ho an'ny indostrian'ny semiconductor sy photovoltaic. ONy ekipa teknika dia avy amin'ny andrim-pikarohana ambony ao an-toerana, afaka manome vahaolana ara-pitaovana matihanina kokoaho anao.

Mamolavola dingana mandroso hatrany izahay mba hanomezana fitaovana mandroso kokoa,SYNanamboatra teknolojia patentina manokana, izay mety hahatonga ny fatorana eo amin'ny coating sy ny substrate ho henjana kokoa ary tsy dia mora simba.

Features ny vokatra:

1. Ny fanoherana ny oxidation amin'ny hafanana avo hatramin'ny 1700℃.
2. Avo fahadiovana syfanamiana mafana
3. Tena fanoherana harafesina: asidra, alkali, sira ary reagents organika.
4. Ny hamafin'ny avo, matevina ambonin'ny, poti tsara.
5. fiainana lava kokoa sy maharitra kokoa

CVD SiC薄膜基本物理性能 Toetra ara-batana fototra amin'ny CVD SiCcoating
性质 / Fananana	典型数值 / Sanda mahazatra
晶体结构 / Rafitra kristaly	FCC β phase多晶，主要为（111）取向
密度 / Hateza	3,21 g/cm³
硬度 / Hafàna	2500 维氏硬度（500g entana）
晶粒大小 / Ny voamaina	2~10μm
纯度 / Fahadiovana simika	99.99995%
热容 / Hafanana	640 kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperature Sublimation	2700 ℃
抗弯强度 / Hery flexural	415 MPa RT 4 teboka
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt fiolahana, 1300 ℃
导热系数 / ThermalConductivity	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Fanitarana Thermal (CTE)	4.5×10^-6K^-1