Silicone carbide carrier loviais a ANDININ-singa ampiasaina amin'ny dingana famokarana semiconductor isan-karazany.Mampiasa ny teknolojian'ny patanty izahay mba hanaovana ny mpitatitra karbida silisiômafahadiovana avo dia avo,tsaracoatingMitovyary fiainana fanompoana tena tsara, ary koafanoherana simika avo sy fananana fahamarinan-toerana mafana.
Ny sandan'ny anjara VET Energy nytena mpanamboatra ny vokatra vita amin'ny grafit sy silisiôma carbide miaraka amin'ny coating CVD,afaka mamatsyisan-karazanyampahany namboarina ho an'ny indostrian'ny semiconductor sy photovoltaic. ONy ekipa teknika dia avy amin'ny andrim-pikarohana ambony ao an-toerana, afaka manome vahaolana ara-pitaovana matihanina kokoaho anao.
Mamolavola dingana mandroso hatrany izahay mba hanomezana fitaovana mandroso kokoa,SYNanamboatra teknolojia patentina manokana, izay mety hahatonga ny fatorana eo amin'ny coating sy ny substrate ho henjana kokoa ary tsy dia mora simba.
Features ny vokatra:
1. Ny fanoherana ny oxidation amin'ny hafanana avo hatramin'ny 1700℃.
2. Avo fahadiovana syfanamiana mafana
3. Tena fanoherana harafesina: asidra, alkali, sira ary reagents organika.
4. Ny hamafin'ny avo, matevina ambonin'ny, poti tsara.
5. fiainana lava kokoa sy maharitra kokoa
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Toetra ara-batana fototra amin'ny CVD SiCcoating | |
| 性质 / Fananana | 典型数值 / Sanda mahazatra |
| 晶体结构 / Rafitra kristaly | FCC β phase多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Hateza | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Hafàna | 2500 维氏硬度（500g entana） |
| 晶粒大小 / Ny voamaina | 2~10μm |
| 纯度 / Fahadiovana simika | 99.99995% |
| 热容 / Hafanana | 640 kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperature Sublimation | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Hery flexural | 415 MPa RT 4 teboka |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt fiolahana, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivity | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Fanitarana Thermal (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Faly miarahaba anao hitsidika ny orinasa, andao hiresaka bebe kokoa!
