6 mirefy P karazana Silicon Wafer

6 Inch P Type Silicon Wafer Sary nasongadina

Famaritana fohy:

VET Energy 6-inch P-type silicon wafer dia fitaovana fototra semiconductor avo lenta, ampiasaina betsaka amin'ny fanamboarana fitaovana elektronika isan-karazany. Ny VET Energy dia mampiasa ny fizotry ny fitomboana CZ mandroso mba hahazoana antoka fa ny wafer dia manana kalitao kristaly tsara, hakitroky ambany ary fitoviana avo.

Alefaso mailaka aminay Alefaso amin'ny PDF

Product Detail

Tags vokatra

Tsy voafetra ho an'ny wafers silisiôla ihany ny andalana vokatra an'ny VET Energy. Manome fitaovana substrate semiconductor isan-karazany ihany koa izahay, ao anatin'izany ny SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, sns., Ary koa ny fitaovana semiconductor bandgap vaovao toy ny Gallium Oxide Ga2O3 sy AlN Wafer. Ireo vokatra ireo dia afaka mahafeno ny filan'ny mpanjifa isan-karazany amin'ny elektronika herinaratra, onjam-peo, sensor ary sehatra hafa.

saha fampiharana:
•Circuit Integrated:Amin'ny maha-fitaovana fototra ho an'ny famokarana circuit integrated, ny wafers silisiôna P-karazana dia ampiasaina betsaka amin'ny faritra lojika isan-karazany, fahatsiarovana, sns.
•Fitaovana herinaratra:Ny wafer silisiôna P-karazana dia azo ampiasaina amin'ny fanaovana fitaovana herinaratra toy ny transistors herinaratra sy diodes.
•Sensors:Ny wafers silisiôna P-karazana dia azo ampiasaina hanamboarana karazana sensor isan-karazany, toy ny sensor sensor, sensor mari-pana, sns.
•sela masoandro:Ny wafer silisiôna P-karazana dia singa manan-danja amin'ny sela masoandro.

Ny VET Energy dia manome vahaolana wafer namboarina ho an'ny mpanjifa, ary afaka mampifanaraka ny wafer amin'ny fanoherana samihafa, ny votoatin'ny oksizenina samihafa, ny hateviny ary ny fepetra hafa mifanaraka amin'ny filan'ny mpanjifa manokana. Ho fanampin'izany, manome fanohanana ara-teknika matihanina sy serivisy aorian'ny varotra ihany koa izahay mba hanampiana ny mpanjifa hamaha olana isan-karazany amin'ny fizotran'ny famokarana.

WAFERING SPECIFICATIONS

*n-Pm=n-karazana Pm-Grade,n-Ps=n-karazana Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

zavatra	8-mirefy	6-mirefy			4-mirefy
zavatra	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Sanda tanteraka	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Beveling

FINITANA EO

*n-Pm=n-karazana Pm-Grade,n-Ps=n-karazana Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

zavatra	8-mirefy	6-mirefy			4-mirefy
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Surface vita	Polisy Optical lafiny roa, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Edge Chips	Tsy mahazo alalana (lavany sy sakany≥0.5mm)
Indents	Tsy misy navela
Karazana (Si-Face)	Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony	Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony			Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony
triatra	Tsy misy navela
Edge Exclusion	3mm