Individualus SiC dengtas statinės susceptorius

Pritaikytas SiC dengtas cilindrinis susceptoriaus vaizdas

Trumpas aprašymas:

Mes nuolat plėtojame pažangius procesus, kad gautume pažangesnes medžiagas, ir sukūrėme išskirtinę patentuotą technologiją, dėl kurios dangos ir pagrindo sujungimas tampa tvirtesnis ir mažiau linkęs atsiskirti.

Atsiųskite mums el Atsisiųsti kaip PDF

Produkto detalė

Produkto etiketės

Statinės susceptorius is a raktaskomponentas, naudojamas įvairiuose puslaidininkių gamybos procesuose.Gamindami naudojame savo patentuotą technologijąstatinės susceptoriussuypač didelio grynumo,gerasdangavienodumasir puikus tarnavimo laikas, taip pataukštos cheminio atsparumo ir terminio stabilumo savybės.

VET Energy yra įtikras individualių grafito ir silicio karbido gaminių su CVD danga gamintojas,gali tiektiįvairiųpritaikytos puslaidininkių ir fotovoltinės pramonės dalys. OJūsų techninė komanda ateina iš geriausių vietinių tyrimų institucijų, gali pasiūlyti profesionalesnius medžiagų sprendimustau.

Mes nuolat plėtojame pažangius procesus, kad galėtume teikti pažangesnes medžiagas,irsukūrė išskirtinę patentuotą technologiją, dėl kurios dangos ir pagrindo sukibimas tampa tvirtesnis ir mažiau linkęs atsiskirti.

Fmūsų gaminių savybės:

1. Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje iki 1700℃.
2. Didelio grynumo irterminis vienodumas
3. Puikus atsparumas korozijai: rūgštims, šarmams, druskoms ir organiniams reagentams.
4. Didelis kietumas, kompaktiškas paviršius, smulkios dalelės.
5. Ilgesnis tarnavimo laikas ir patvaresnis

CVD SiC薄膜基本物理性能 Pagrindinės fizinės CVD SiC savybėsdanga
性质 / Turtas	典型数值 / Tipinė vertė
晶体结构 / Kristalinė struktūra	FCC β fazė多晶，主要为（111）取向
密度 / Tankis	3,21 g/cm³
硬度 / Kietumas	2500 维氏硬度 (500 g apkrova)
晶粒大小 / Grūdų dydis	2 ~ 10 μm
纯度 / Cheminis grynumas	99,99995 %
热容 / Šilumos talpa	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimacijos temperatūra	2700 ℃
抗弯强度 / Lanksčioji jėga	415 MPa RT 4 taškų
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt lenkimas, 1300 ℃
导热系数 / ThermalLaidumas	300 W · m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Šiluminė plėtra (CTE)	4,5 × 10^-6K^-1