Geros kokybės silicio karbido RBSIC / SISIC konsolinis irklas, naudojamas saulės fotovoltinės pramonėje

Geros kokybės silicio karbido RBSIC / SISIC konsolinis irklas, naudojamas saulės fotoelektros pramonėje.

Trumpas aprašymas:

Ypatingi mūsų SiC dengtų grafito susceptorių pranašumai yra ypač aukštas grynumas, vienalytė danga ir puikus tarnavimo laikas. Jie taip pat pasižymi dideliu cheminiu atsparumu ir šiluminio stabilumo savybėmis.

Dengdami SiC dangą, išlaikome labai mažus leistinus nuokrypius, naudojant didelio tikslumo apdirbimą, kad būtų užtikrintas vienodas susceptoriaus profilis. Taip pat gaminame idealių elektrinių varžų savybių turinčias medžiagas, skirtas naudoti indukcinio šildymo sistemose. Visi gatavi komponentai turi grynumo ir matmenų atitikties sertifikatą.

Atsiųskite mums el Atsisiųsti kaip PDF

Produkto detalė

Produkto etiketės

Gerai valdomi įrankiai, ekspertų pelno komanda ir daug geresni produktai ir paslaugos po pardavimo; Mes taip pat buvome vieningi pagrindiniai sutuoktiniai ir vaikai, kiekvienas žmogus laikosi įmonės naudos „susivienijimas, atsidavimas, tolerancija“ dėl geros kokybės silicio karbido RBSIC / SISIC konsolinio irklo, naudojamo saulės fotovoltinės energijos pramonėje. Nuoširdžiai sveikiname du užsienio ir vietinius verslo įmonės kompanionai ir tikimės, kad dirbsime su jumis artimiausiu metu!
Gerai valdomi įrankiai, ekspertų pelno komanda ir daug geresni produktai ir paslaugos po pardavimo; Mes taip pat buvome vieningas pagrindinis sutuoktinis ir vaikai, kiekvienas žmogus laikosi įmonės naudos „susivienijimas, atsidavimas, tolerancija“Kinija Ugniai atspari keramika ir keramikos krosnis, Tenkinti konkretaus asmens klientų poreikius kiekvienu šiek tiek tobulesniu aptarnavimu ir stabilios kokybės prekėmis. Nuoširdžiai sveikiname klientus iš viso pasaulio, kurie mus aplankys, bendradarbiaudami įvairiapusiškai ir kartu plėtodami naujas rinkas, kurdami nuostabią ateitį!

SiC danga / padengta grafito pagrindu puslaidininkiui

Susceptoriai terminio apdorojimo metu laiko ir šildo puslaidininkines plokšteles. Susceptorius yra pagamintas iš medžiagos, kuri sugeria energiją indukcijos, laidumo ir (arba) spinduliuotės būdu ir šildo plokštelę. Jo atsparumas šiluminiam smūgiui, šilumos laidumas ir grynumas yra labai svarbūs greitam terminiam apdorojimui (RTP). Silicio karbidu padengtas grafitas, silicio karbidas (SiC) ir silicis (Si) dažniausiai naudojami susceptoriams, atsižvelgiant į konkrečią šiluminę ir cheminę aplinką. PureSiC® CVD SiC ir ClearCarbon™ itin gryna medžiaga, kuri užtikrina puikų terminį stabilumą, atsparumą korozijai ir ilgaamžiškumą.

Produkto aprašymas

Grafito substrato SiC danga, skirta puslaidininkiams, sukuria išskirtinio grynumo ir atsparumo oksiduojančiai atmosferai detalę.
CVD SiC arba CVI SiC naudojamas paprastos ar sudėtingos konstrukcijos grafitui. Danga gali būti dengiama įvairaus storio ir labai didelėms dalims.

SiC danga / padengta grafito pagrindu puslaidininkiui

Techninė keramika yra natūralus pasirinkimas puslaidininkių terminio apdorojimo programoms, įskaitant RTP (greitąjį terminį apdorojimą), Epi (epitaksinį), difuziją, oksidaciją ir atkaitinimą. „CoorsTek“ siūlo pažangius medžiagų komponentus, specialiai sukurtus atlaikyti šiluminius smūgius ir pasižymi dideliu grynumu, tvirtu, pasikartojančiu veikimu aukštoje temperatūroje.

Savybės:
· Puikus atsparumas šiluminiam smūgiui
· Puikus fizinis atsparumas smūgiams
· Puikus cheminis atsparumas
· Itin didelio grynumo
· Sudėtingos formos prieinamumas
· Galima naudoti esant oksidacinei atmosferai

paraiška:

Kad plokštelė būtų paruošta naudoti elektroniniuose įrenginiuose, ji turi praeiti kelis etapus. Vienas iš svarbių procesų yra silicio epitaksija, kai plokštelės yra pernešamos ant grafito susceptorių. Susceptorių savybės ir kokybė turi lemiamos įtakos plokštelės epitaksinio sluoksnio kokybei.

Tipinės pagrindinės grafito medžiagos savybės:

Tariamas tankis:	1,85 g/cm3
Elektrinė varža:	11 μΩm
Lankstumo stiprumas:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Šore kietumas:	58
Pelenai:	<5 ppm
Šilumos laidumas:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)