Naujienos

Silicio karbido grafito formos charakteristikos
admin 24-07-18
Silicio karbido grafito forma Silicio karbido grafito forma yra sudėtinė forma, kurios pagrindas yra silicio karbidas (SiC), o armavimo medžiaga – grafitas. Ši forma pasižymi puikiu šilumos laidumu, atsparumu aukštai temperatūrai, atsparumu korozijai ir...
Skaityti daugiau
Puslaidininkinis procesas visas fotolitografijos procesas
admin 24-07-16
Kiekvieno puslaidininkinio gaminio gamybai reikia šimtų procesų. Visą gamybos procesą padalijame į aštuonis etapus: plokštelių apdorojimas-oksidavimas-fotolitografija-ėsdinimas-plonos plėvelės nusodinimas-epitaksinis augimas-difuzija-jonų implantavimas. Norėdami padėti jums...
Skaityti daugiau
4 milijardai! „SK Hynix“ Purdue tyrimų parke skelbia investicijas į puslaidininkines pažangias pakuotes
admin 24-07-09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. paskelbė apie planus investuoti beveik 4 mlrd. USD, kad Purdue tyrimų parke būtų sukurta pažangi pakuočių gamyba ir dirbtinio intelekto produktų MTTP įrenginys. JAV puslaidininkių tiekimo grandinės pagrindinės grandies sukūrimas Vakarų Lafajete...
Skaityti daugiau
Lazerinė technologija veda į silicio karbido substrato apdorojimo technologijos transformaciją
admin 24-07-08
1. Silicio karbido substrato apdorojimo technologijos apžvalga Dabartiniai silicio karbido substrato apdorojimo etapai apima: išorinio apskritimo šlifavimą, pjaustymą, nusklembimą, šlifavimą, poliravimą, valymą ir tt Pjaustymas yra svarbus puslaidininkinio substrato gamybos etapas...
Skaityti daugiau
Pagrindinės šiluminio lauko medžiagos: C/C kompozicinės medžiagos
admin 24-07-01
Anglies ir anglies kompozitai yra anglies pluošto kompozitų tipas, kai anglies pluoštas yra armavimo medžiaga, o nusodinta anglis yra matricinė medžiaga. C/C kompozitų matrica yra anglis. Kadangi jis beveik visiškai sudarytas iš elementinės anglies, jis turi puikų atsparumą aukštai temperatūrai...
Skaityti daugiau
Trys pagrindiniai SiC kristalų augimo būdai
admin 24-07-01
Kaip parodyta 3 pav., yra trys dominuojantys metodai, kuriais siekiama užtikrinti aukštos kokybės ir efektyvų SiC monokristalą: skystosios fazės epitaksė (LPE), fizinis garų pernešimas (PVT) ir aukštos temperatūros cheminis nusodinimas garais (HTCVD). PVT yra nusistovėjęs SiC nuodėmės gamybos procesas...
Skaityti daugiau
Trečiosios kartos puslaidininkių GaN ir susijusių epitaksinių technologijų trumpas įvadas
admin 24-06-28
1. Trečiosios kartos puslaidininkiai Pirmos kartos puslaidininkių technologija buvo sukurta remiantis puslaidininkinėmis medžiagomis, tokiomis kaip Si ir Ge. Tai yra materialus pagrindas tranzistorių ir integrinių grandynų technologijos plėtrai. Pirmosios kartos puslaidininkinės medžiagos padėjo f...
Skaityti daugiau
23,5 mlrd., Sudžou super vienaragis ketina IPO
admin 24-06-28
Po 9 verslumo metų „Innoscience“ surinko daugiau nei 6 milijardus juanių bendro finansavimo, o jo vertinimas pasiekė stulbinančią 23,5 milijardo juanių sumą. Investuotojų sąrašas siekia net dešimtis įmonių: „Fukun Venture Capital“, „Dongfang State-owned Assets“, „Suzhou Zhanyi“, „Wujian“...
Skaityti daugiau
Kaip tantalo karbidu padengti gaminiai padidina medžiagų atsparumą korozijai?
admin 24-06-25
Tantalo karbido danga yra dažniausiai naudojama paviršiaus apdorojimo technologija, galinti žymiai pagerinti medžiagų atsparumą korozijai. Tantalo karbido danga gali būti pritvirtinta prie pagrindo paviršiaus įvairiais paruošimo būdais, tokiais kaip cheminis nusodinimas garais, fizinis...
Skaityti daugiau