PECVD Graphite Wafer ສະຫນັບສະຫນູນ

PECVD Graphite Wafer Support ຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ຖືກອອກແບບມາເພື່ອຄວາມແມ່ນຍໍາແລະການປະຕິບັດ, ການສະຫນັບສະຫນູນ Graphite Wafer ຂອງ VET Energy ແມ່ນອຸປະກອນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນການປຸງແຕ່ງ wafer ຂັ້ນສູງ, ບ່ອນທີ່ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນສູງແລະການປະຕິບັດທີ່ສອດຄ່ອງແມ່ນສໍາຄັນ. ບໍ່ວ່າທ່ານກໍາລັງເຮັດວຽກກັບ semiconductor wafers ຫຼື substrates ທີ່ລະອຽດອ່ອນອື່ນໆ, ສະຫນັບສະຫນູນ graphite ຄຸນນະພາບສູງນີ້ຈະເພີ່ມຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງຂະບວນການແລະຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອົງປະກອບທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ສໍາລັບການຜະລິດທີ່ທັນສະໄຫມ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ຂະບວນການ VET Energy PECVD graphite wafer ສະຫນັບສະຫນູນເປັນເຄື່ອງບໍລິໂພກຫຼັກທີ່ອອກແບບມາສໍາລັບຂະບວນການ PECVD (plasma ປັບປຸງ vapor deposition ສານເຄມີ). ຜະລິດຕະພັນນີ້ແມ່ນເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ, ມີຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງມິຕິແລະລັກສະນະອື່ນໆ, ສາມາດສະຫນອງເວທີການສະຫນັບສະຫນູນທີ່ຫມັ້ນຄົງສໍາລັບຂະບວນການ PECVD, ເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມສອດຄ່ອງແລະຄວາມຮາບພຽງຂອງການຝາກຮູບເງົາ.

ການອອກແບບ "ສະຫນັບສະຫນູນ graphite" ຂອງ VET Energy graphite wafer ສະຫນັບສະຫນູນບໍ່ພຽງແຕ່ປະສິດທິຜົນສະຫນັບສະຫນູນ wafer, ແຕ່ຍັງສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນໃນອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມກົດດັນສູງສະພາບແວດລ້ອມ PECVD ເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຂະບວນການ.

VET Energy PECVD ຂະບວນການ graphite wafer ສະຫນັບສະຫນູນມີລັກສະນະດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:

▪ຄວາມບໍລິສຸດສູງ:ເນື້ອໃນ impurity ຕ່ໍາທີ່ສຸດ, ຫຼີກເວັ້ນການປົນເປື້ອນຂອງຮູບເງົາ, ເພື່ອຮັບປະກັນຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາ.

▪ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ:ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ, ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກສູງ, ສາມາດທົນອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມກົດດັນສູງສະພາບແວດລ້ອມ PECVD.

▪ສະຖຽນລະພາບມິຕິທີ່ດີ:ການປ່ຽນແປງຂະຫນາດຂະຫນາດນ້ອຍຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຂະບວນການ.

▪ການນໍາໃຊ້ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ:ປະສິດທິຜົນການໂອນຄວາມຮ້ອນເພື່ອປ້ອງກັນບໍ່ໃຫ້ wafer overheating.

▪ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນທີ່ເຂັ້ມແຂງ:ສາມາດຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນໂດຍອາຍແກັສ corrosive ຕ່າງໆແລະ plasma.

▪ບໍລິການປັບແຕ່ງ:ຕາຕະລາງສະຫນັບສະຫນູນ Graphite ຂອງຂະຫນາດແລະຮູບຮ່າງທີ່ແຕກຕ່າງກັນສາມາດໄດ້ຮັບການປັບແຕ່ງຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.

ວັດສະດຸ Graphite ຈາກ SGL:

ພາຣາມິເຕີປົກກະຕິ: R6510
ດັດຊະນີ	ມາດຕະຖານການທົດສອບ	ມູນຄ່າ	ໜ່ວຍ
ຂະຫນາດເມັດພືດສະເລ່ຍ	ISO 13320	10	ມມ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ	DIN IEC 60413/204	1.83	g/ຊມ³
ເປີດ porosity	DIN66133	10	%
ຂະໜາດຮູຂຸມຂົນປານກາງ	DIN66133	1.8	ມມ
ການຊຶມເຊື້ອ	DIN 51935	0.06	cm²/s
ຄວາມແຂງຂອງ Rockwell HR5/100	DIN IEC60413/303	90	HR
ຄວາມຕ້ານທານໄຟຟ້າສະເພາະ	DIN IEC 60413/402	13	μΩມ
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	DIN IEC 60413/501	60	MPa
ແຮງບີບອັດ	DIN 51910	໑໓໐	MPa
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	DIN 51915	11.5×10³	MPa
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ(20-200℃)	DIN 51909	4.2X10^-6	K^-1
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ (20 ℃)	DIN 51908	105	Wm^-1K^-1

ມັນໄດ້ຖືກອອກແບບໂດຍສະເພາະສໍາລັບການຜະລິດຈຸລັງແສງຕາເວັນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ, ສະຫນັບສະຫນູນການປຸງແຕ່ງ wafer ຂະຫນາດໃຫຍ່ G12. ການອອກແບບຜູ້ໃຫ້ບໍລິການທີ່ດີທີ່ສຸດເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໂດຍຜ່ານການ, ເຮັດໃຫ້ອັດຕາຜົນຜະລິດສູງຂຶ້ນແລະຕົ້ນທຶນການຜະລິດຕ່ໍາ.

ລາຍການ	ປະເພດ	ໝາຍເລກຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ wafer
PEVCD Grephite boat - ຊຸດ 156	ເຮືອ 156-13 grephite	144
	ເຮືອ 156-19 grephite	216
	ເຮືອ 156-21 grephite	240
	ເຮືອໄຟ 156-23	308
ເຮືອແພ PEVCD Grephite - ຊຸດ 125	125-15 ເຮືອ grephite	196
	125-19 ເຮືອ grephite	252
	ເຮືອ 125-21 grphite	280