ຂ່າວ

ຄຸນລັກສະນະຂອງ mold graphite silicon carbide
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-07-18
Silicon Carbide Graphite Mold Silicon carbide graphite mold ເປັນແມ່ພິມປະສົມທີ່ມີ silicon carbide (SiC) ເປັນພື້ນຖານແລະ graphite ເປັນວັດສະດຸເສີມ. mold ນີ້ມີການນໍາໃຊ້ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ການທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ແລະການສວມ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
Semiconductor ຂະບວນການເຕັມຮູບແບບຂອງ photolithography
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-07-16
ການຜະລິດຂອງແຕ່ລະຜະລິດຕະພັນ semiconductor ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີຫຼາຍຮ້ອຍຂະບວນການ. ພວກເຮົາແບ່ງຂະບວນການຜະລິດທັງຫມົດອອກເປັນແປດຂັ້ນຕອນ: wafer processing-oxidation-photolithography-etching-thin film deposition-epitaxial growth-diffusion-ion implantation. ເພື່ອຊ່ວຍເຈົ້າ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
4 ຕື້! SK Hynix ປະກາດການລົງທຶນການຫຸ້ມຫໍ່ແບບພິເສດຂອງ semiconductor ຢູ່ Purdue Research Park
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-07-09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. ປະກາດແຜນການລົງທຶນເກືອບ 4 ຕື້ໂດລາເພື່ອສ້າງໂຮງງານຜະລິດບັນຈຸພັນທີ່ກ້າວໜ້າ ແລະ R&D ສະຖານທີ່ສຳລັບຜະລິດຕະພັນປັນຍາປະດິດຢູ່ Purdue Research Park. ການສ້າງຕັ້ງການເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ສໍາຄັນໃນລະບົບຕ່ອງໂສ້ການສະຫນອງ semiconductor ຂອງສະຫະລັດໃນ West Lafayett ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ເທກໂນໂລຍີເລເຊີນໍາພາການຫັນປ່ຽນຂອງເຕັກໂນໂລຊີການປຸງແຕ່ງ substrate silicon carbide
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-07-08
1. ພາບລວມຂອງເຕັກໂນໂລຊີການປຸງແຕ່ງ substrate silicon carbide ຂັ້ນຕອນການປຸງແຕ່ງ substrate silicon carbide ໃນປັດຈຸບັນປະກອບມີ: grinding ວົງນອກ, slicing, chamfering, grinding, polishing, cleaning, ແລະອື່ນໆ Slicing ເປັນຂັ້ນຕອນທີ່ສໍາຄັນໃນ semiconductor substrate proc ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ວັດສະດຸພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນຕົ້ນຕໍ: ວັດສະດຸປະສົມ C/C
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-07-01
Carbon-carbon composites ແມ່ນປະເພດຂອງການປະກອບຂອງເສັ້ນໄຍກາກບອນ, ມີເສັ້ນໄຍກາກບອນເປັນວັດສະດຸເສີມແລະຄາບອນເງິນຝາກເປັນວັດສະດຸ matrix. ມາຕຣິກເບື້ອງຂອງ C/C composites ແມ່ນຄາບອນ. ເນື່ອງຈາກວ່າມັນແມ່ນເກືອບທັງຫມົດປະກອບດ້ວຍຄາບອນອົງປະກອບ, ມັນທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ສາມເຕັກນິກທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-07-01
ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບທີ 3, ມີສາມເຕັກນິກທີ່ເດັ່ນຊັດທີ່ມີຈຸດປະສົງເພື່ອໃຫ້ SiC ຜລຶກດຽວມີຄຸນນະພາບແລະປະສິດທິພາບສູງ: ໄລຍະຂອງແຫຼວ epitaxy (LPE), ການຂົນສົ່ງ vapor ທາງດ້ານຮ່າງກາຍ (PVT), ແລະການປ່ອຍອາຍພິດສານເຄມີທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ (HTCVD). PVT ເປັນຂະບວນການສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນທີ່ດີສໍາລັບການຜະລິດ SiC sin ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ການຜະລິດ semiconductor GaN ຮຸ່ນທີສາມແລະການແນະນໍາໂດຍຫຍໍ້ກ່ຽວກັບເຕັກໂນໂລຢີ epitaxial
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-06-28
1. ເທກໂນໂລຍີ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມ ເຕັກໂນໂລຊີ semiconductor ຮຸ່ນທໍາອິດໄດ້ຖືກພັດທະນາໂດຍອີງໃສ່ວັດສະດຸ semiconductor ເຊັ່ນ Si ແລະ Ge. ມັນເປັນພື້ນຖານວັດສະດຸສໍາລັບການພັດທະນາຂອງ transistors ແລະເຕັກໂນໂລຊີວົງຈອນປະສົມປະສານ. ວັດສະດຸ semiconductor ຮຸ່ນທໍາອິດໄດ້ວາງ f ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
23.5 ຕື້, super unicorn ຂອງ Suzhou ຈະ IPO
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-06-28
ພາຍຫຼັງ 9 ປີແຫ່ງການເປັນຜູ້ປະກອບການ, ບໍລິສັດ Innoscience ໄດ້ລະດົມທຶນໄດ້ຫຼາຍກວ່າ 6 ຕື້ຢວນ, ແລະມູນຄ່າຂອງມັນໄດ້ບັນລຸເຖິງ 23,5 ຕື້ຢວນ. ບັນຊີລາຍຊື່ຂອງນັກລົງທຶນແມ່ນຍາວເປັນຫຼາຍສິບບໍລິສັດ: Fukun Venture Capital, Dongfang ລັດຊັບສິນ, Suzhou Zhanyi, Wujian ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ຜະລິດຕະພັນເຄືອບ tantalum carbide ເສີມຂະຫຍາຍການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ຂອງວັດສະດຸແນວໃດ?
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-06-25
ການເຄືອບ Tantalum carbide ເປັນເທກໂນໂລຍີການປິ່ນປົວພື້ນຜິວທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປທີ່ສາມາດປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ຂອງວັດສະດຸຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ການເຄືອບ Tantalum carbide ສາມາດຕິດກັບຫນ້າດິນຂອງ substrate ໄດ້ໂດຍຜ່ານວິທີການກະກຽມທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ເຊັ່ນ: ການປ່ອຍອາຍພິດເຄມີ, physica ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ