ຂ່າວ

Silicon carbide ceramics: terminator ຂອງອົງປະກອບ quartz photovoltaic
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-11-05
ດ້ວຍການພັດທະນາຢ່າງບໍ່ຢຸດຢັ້ງຂອງໂລກທຸກມື້ນີ້, ພະລັງງານທີ່ບໍ່ສາມາດຜະລິດຄືນໃໝ່ໄດ້ໝົດໄປນັບມື້ນັບຫຼາຍຂຶ້ນ, ສັງຄົມມະນຸດກໍຮີບດ່ວນທີ່ຈະນຳໃຊ້ພະລັງງານທົດແທນທີ່ປະກອບດ້ວຍ "ລົມ, ແສງສະຫວ່າງ, ນ້ຳ ແລະ ນິວເຄຼຍ". ເມື່ອປຽບທຽບກັບແຫຼ່ງພະລັງງານທົດແທນອື່ນໆ, ມະນຸດ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ປະຕິກິລິຍາ sintering ແລະ sintering pressureless ຂະບວນການກະກຽມ silicon carbide ceramic
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-29
Reaction sintering The reaction sintering silicon carbide ceramic process production include ceramic compacting , sintering flux infiltration agent compacting , ຕິກິຣິຍາ sintering ceramic ການກະກຽມຜະລິດຕະພັນ, ການກະກຽມ silicon carbide ໄມ້ ceramic ແລະຂັ້ນຕອນອື່ນໆ. ປະຕິກິລິຍາ sintering ຊິລິໂຄນ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
Silicon carbide ceramics: ອົງປະກອບຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບຂະບວນການ semiconductor
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-29
ເທກໂນໂລຍີ Photolithography ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນສຸມໃສ່ການນໍາໃຊ້ລະບົບ optical ເພື່ອເປີດເຜີຍຮູບແບບວົງຈອນໃນ wafers ຊິລິໂຄນ. ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງຂະບວນການນີ້ມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ການປະຕິບັດແລະຜົນຜະລິດຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານ. ເປັນຫນຶ່ງໃນອຸປະກອນຊັ້ນນໍາສໍາລັບການຜະລິດຊິບ, ເຄື່ອງ lithography ປະກອບດ້ວຍ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ເຂົ້າໃຈຂັ້ນຕອນການປົນເປື້ອນຂອງ semiconductor wafer ແລະທໍາຄວາມສະອາດ
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-29
ໃນເວລາທີ່ມັນເຊື້ອອະສຸຈິກັບຂ່າວທຸລະກິດ, ຄວາມເຂົ້າໃຈລະອຽດຂອງການຜະລິດ semiconductor ແມ່ນມີຄວາມຈໍາເປັນ. wafer semiconductor ແມ່ນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນອຸດສາຫະກໍານີ້, ແຕ່ພວກເຂົາມັກຈະປະເຊີນກັບການປົນເປື້ອນຈາກຄວາມບໍ່ສະອາດຕ່າງໆ. ສິ່ງປົນເປື້ອນເຫຼົ່ານີ້, ປະກອບມີອະຕອມ, ສານອິນຊີ, ທາດໄອອອນໂລຫະ, ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ການສົ່ງເສີມການຫຸ້ມຫໍ່ fan-Out wafer ໂດຍຜ່ານການແຂງ ultraviolet
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-28
ພັດລົມອອກການຫຸ້ມຫໍ່ລະດັບ wafer ( FOWLP ) ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບການປະຫຍັດຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ແຕ່ວ່າມັນບໍ່ແມ່ນຄວາມທ້າທາຍຂອງມັນ. ຫນຶ່ງໃນບັນຫາຕົ້ນຕໍທີ່ປະເຊີນຫນ້າແມ່ນ warp ແລະ bit ເລີ່ມຕົ້ນໃນລະຫວ່າງຂັ້ນຕອນການ molding. warp ສາມາດ impute ກັບການຫົດຕົວທາງເຄມີຂອງສານປະສົມ molding ແລະ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ອະນາຄົດຂອງ Diamond Semiconductor Technology
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-25
ໃນຖານະເປັນພື້ນຖານຂອງອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ທັນສະໄຫມ, ອຸປະກອນ semiconductor ແມ່ນມີການປ່ຽນແປງທີ່ບໍ່ເຄີຍມີມາກ່ອນ. ໃນມື້ນີ້, ເພັດແມ່ນຄ່ອຍໆກວດສອບທ່າແຮງອັນໃຫຍ່ຫຼວງຂອງຕົນເປັນວັດສະດຸ semiconductor ສີ່ຫລ່ຽມທີ່ມີຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າແລະຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ຮຸນແຮງ. ມັນແມ່ນ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ເຂົ້າໃຈເທກໂນໂລຍີການຖິ້ມອາຍຂອງອາຍເຄມີ (CVD).
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-24
ການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ (CVD) ແມ່ນຂັ້ນຕອນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການຕິດຮູບເງົາແຂງຢູ່ເທິງຫນ້າດິນຂອງຊິລິໂຄນ wafer ຜ່ານປະຕິກິລິຍາເຄມີຂອງທາດປະສົມອາຍແກັສ. ຂັ້ນຕອນນີ້ສາມາດແບ່ງອອກເປັນຮູບແບບອຸປະກອນການແບ່ງປະເພດສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນສະພາບການຕິກິຣິຍາທາງເຄມີທີ່ແຕກຕ່າງກັນເຊັ່ນ pressu ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ຄວາມຕ້ອງການແລະການ ນຳ ໃຊ້ຄວາມຮ້ອນສູງ SiC ceramics ໃນຂົງເຂດ semiconductor
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-24
ໃນປັດຈຸບັນ, silicon carbide (SiC) ແມ່ນວັດສະດຸເຊລາມິກທີ່ມີຄວາມຮ້ອນທີ່ມີການສຶກສາຢ່າງຈິງຈັງຢູ່ພາຍໃນແລະຕ່າງປະເທດ. ການນໍາຄວາມຮ້ອນທາງທິດສະດີຂອງ SiC ແມ່ນສູງຫຼາຍ, ແລະບາງຮູບແບບໄປເຊຍກັນສາມາດບັນລຸ 270W / mK, ເຊິ່ງເປັນຜູ້ນໍາຂອງວັດສະດຸທີ່ບໍ່ແມ່ນຕົວນໍາ. ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, a ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ສະຖານະການວິໄຈຂອງເຊລາມິກຊິລິຄອນຄາໄບທີ່ເຮັດດ້ວຍຄວາມຮ້ອນໃໝ່
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-24
ເຊລາມິກ Silicon Carbide (RSiC) Recrystallized ເປັນວັດສະດຸເຊລາມິກທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ. ເນື່ອງຈາກການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ແລະຄວາມແຂງສູງ, ມັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຫຼາຍຂົງເຂດ, ເຊັ່ນ: ການຜະລິດ semiconductor, photovoltaic industr ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ