ການປ່ອຍອາຍພິດເຄມີ(CVD)ເປັນເທກໂນໂລຍີທີ່ໃຊ້ກັນຢ່າງກວ້າງຂວາງທີ່ສຸດໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ສໍາລັບການຝາກອຸປະກອນຕ່າງໆ, ລວມທັງອຸປະກອນ insulating ທີ່ມີຄວາມຫລາກຫລາຍ, ວັດສະດຸໂລຫະສ່ວນໃຫຍ່ແລະວັດສະດຸໂລຫະປະສົມ.
CVD ເປັນເທກໂນໂລຍີການກະກຽມຮູບເງົາບາງໆແບບດັ້ງເດີມ. ຫຼັກການຂອງມັນແມ່ນການນໍາໃຊ້ທາດຄາໂບໄຮເດຣດເພື່ອທໍາລາຍອົງປະກອບບາງຢ່າງໃນຄາຣະວາໂດຍຜ່ານປະຕິກິລິຍາເຄມີລະຫວ່າງອະຕອມແລະໂມເລກຸນ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນປະກອບເປັນຮູບເງົາບາງໆຢູ່ເທິງຊັ້ນໃຕ້ດິນ. ລັກສະນະພື້ນຖານຂອງ CVD ແມ່ນ: ການປ່ຽນແປງທາງເຄມີ (ປະຕິກິລິຍາທາງເຄມີຫຼືການທໍາລາຍຄວາມຮ້ອນ); ວັດສະດຸທັງໝົດໃນຮູບເງົາແມ່ນມາຈາກແຫຼ່ງພາຍນອກ; reactants ຕ້ອງມີສ່ວນຮ່ວມໃນຕິກິຣິຍາໃນຮູບແບບຂອງໄລຍະອາຍແກັສ.
ການປ່ອຍອາຍພິດສານເຄມີທີ່ມີຄວາມກົດດັນຕ່ໍາ (LPCVD), plasma ປັບປຸງ vapor deposition ສານເຄມີ (PECVD) ແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ plasma vapor deposition (HDP-CVD) ແມ່ນສາມເຕັກໂນໂລຊີ CVD ທົ່ວໄປ, ເຊິ່ງມີຄວາມແຕກຕ່າງທີ່ສໍາຄັນໃນການຝາກວັດສະດຸ, ຄວາມຕ້ອງການອຸປະກອນ, ເງື່ອນໄຂຂະບວນການ, ແລະອື່ນໆ. ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນຄໍາອະທິບາຍງ່າຍໆແລະການປຽບທຽບຂອງສາມເຕັກໂນໂລຢີນີ້.
1. LPCVD (ຄວາມດັນຕໍ່າ CVD)
ຫຼັກການ: ຂະບວນການ CVD ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຄວາມກົດດັນຕ່ໍາ. ຫຼັກການຂອງມັນແມ່ນການສີດອາຍແກັສຕິກິຣິຍາເຂົ້າໄປໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາພາຍໃຕ້ສະພາບແວດລ້ອມສູນຍາກາດຫຼືຄວາມກົດດັນຕ່ໍາ, decompose ຫຼື react ອາຍແກັສໂດຍອຸນຫະພູມສູງ, ແລະປະກອບເປັນຮູບເງົາແຂງຝາກໄວ້ເທິງພື້ນຜິວ substrate ໄດ້. ນັບຕັ້ງແຕ່ຄວາມກົດດັນຕ່ໍາຫຼຸດຜ່ອນການປະທະກັນຂອງອາຍແກັສແລະຄວາມປັ່ນປ່ວນ, ຄວາມສອດຄ່ອງແລະຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາໄດ້ຖືກປັບປຸງ. LPCVD ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ silicon dioxide (LTO TEOS), silicon nitride (Si3N4), polysilicon (POLY), ແກ້ວ phosphosilicate (BSG), ແກ້ວ borophosphosilicate (BPSG), doped polysilicon, graphene, nanotubes ກາກບອນແລະຮູບເງົາອື່ນໆ.
ຄຸນສົມບັດ:
▪ ອຸນຫະພູມຂະບວນການ: ປົກກະຕິແລ້ວລະຫວ່າງ 500 ~ 900 ° C, ອຸນຫະພູມຂະບວນການແມ່ນຂ້ອນຂ້າງສູງ;
▪ ລະດັບຄວາມກົດດັນຂອງອາຍແກັສ: ສະພາບແວດລ້ອມຄວາມກົດດັນຕ່ໍາຂອງ 0.1 ~ 10 Torr;
▪ ຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາ: ຄຸນນະພາບສູງ, ຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ດີ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ດີ, ແລະຂໍ້ບົກພ່ອງຫນ້ອຍ;
▪ ອັດຕາເງິນຝາກ: ອັດຕາເງິນຝາກຊ້າ;
▪ ຄວາມເປັນເອກະພາບ: ເໝາະສຳລັບຊັ້ນໃຕ້ດິນຂະໜາດໃຫຍ່, ການຊຶມເຊື້ອທີ່ເປັນເອກະພາບ;
ຂໍ້ດີແລະຂໍ້ເສຍ:
▪ ສາມາດຝາກຮູບເງົາທີ່ເປັນເອກະພາບ ແລະ ໜາແໜ້ນ;
▪ ປະຕິບັດໄດ້ດີໃນຊັ້ນຍ່ອຍທີ່ມີຂະຫນາດໃຫຍ່, ເຫມາະສໍາລັບການຜະລິດຈໍານວນຫລາຍ;
▪ ລາຄາຖືກ;
▪ ອຸນຫະພູມສູງ, ບໍ່ເຫມາະສົມສໍາລັບວັດສະດຸທີ່ທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ;
▪ ອັດຕາການປ່ອຍຕົວແມ່ນຊ້າ ແລະຜົນຜະລິດຂ້ອນຂ້າງຕໍ່າ.
2. PECVD (Plasma Enhanced CVD)
ຫຼັກການ: ໃຊ້ plasma ເພື່ອກະຕຸ້ນປະຕິກິລິຍາຂອງອາຍແກັສໃນອຸນຫະພູມຕ່ໍາ, ionize ແລະ decompose ໂມເລກຸນໃນອາຍແກັສຕິກິຣິຍາ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນຝາກຮູບເງົາບາງໆໃສ່ພື້ນຜິວ substrate. ພະລັງງານຂອງ plasma ສາມາດຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍອຸນຫະພູມທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການຕິກິຣິຍາ, ແລະມີລະດັບຄວາມກ້ວາງຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ. ຮູບເງົາໂລຫະຕ່າງໆ, ຮູບເງົາອະນົງຄະທາດແລະຮູບເງົາອິນຊີສາມາດກະກຽມ.
ຄຸນສົມບັດ:
▪ ອຸນຫະພູມຂະບວນການ: ໂດຍປົກກະຕິລະຫວ່າງ 200 ~ 400 ° C, ອຸນຫະພູມແມ່ນຂ້ອນຂ້າງຕ່ໍາ;
▪ ລະດັບຄວາມດັນຂອງອາຍແກັສ: ປົກກະຕິແລ້ວຫຼາຍຮ້ອຍ mTorr ຫາ Torr ຫຼາຍ;
▪ ຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາ: ເຖິງແມ່ນວ່າຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຮູບເງົາແມ່ນດີ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາແມ່ນບໍ່ດີເທົ່າກັບ LPCVD ເນື່ອງຈາກຂໍ້ບົກພ່ອງທີ່ອາດຈະຖືກນໍາສະເຫນີໂດຍ plasma;
▪ ອັດຕາເງິນຝາກ: ອັດຕາສູງ, ປະສິດທິພາບການຜະລິດສູງ;
▪ ຄວາມເປັນເອກະພາບ: ຕໍ່າກວ່າ LPCVD ເລັກນ້ອຍຕໍ່ແຜ່ນຮອງຂະໜາດໃຫຍ່;
ຂໍ້ດີແລະຂໍ້ເສຍ:
▪ ຮູບເງົາບາງໆສາມາດຝາກໄວ້ໃນອຸນຫະພູມຕ່ໍາ, ເຫມາະສໍາລັບວັດສະດຸທີ່ທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ;
▪ ຄວາມໄວຂອງການເກັບກໍາໄວ, ທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດປະສິດທິພາບ;
▪ ຂະບວນການທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ, ຄຸນສົມບັດຂອງຮູບເງົາສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ໂດຍການປັບຕົວກໍານົດການ plasma;
▪ Plasma ອາດຈະແນະນໍາຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງຮູບເງົາເຊັ່ນ: pinholes ຫຼືບໍ່ເປັນເອກະພາບ;
▪ ເມື່ອປຽບທຽບກັບ LPCVD, ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຮູບເງົາແລະຄຸນນະພາບແມ່ນຮ້າຍແຮງກວ່າເກົ່າເລັກນ້ອຍ.
3. HDP-CVD (High Density Plasma CVD)
ຫຼັກການ: ເຕັກໂນໂລຊີ PECVD ພິເສດ. HDP-CVD (ຊຶ່ງເອີ້ນກັນວ່າ ICP-CVD) ສາມາດຜະລິດຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ plasma ແລະຄຸນນະພາບສູງກວ່າອຸປະກອນ PECVD ແບບດັ້ງເດີມໃນອຸນຫະພູມຕ່ໍາ. ນອກຈາກນັ້ນ, HDP-CVD ສະຫນອງເກືອບ ion flux ເອກະລາດແລະການຄວບຄຸມພະລັງງານ, ປັບປຸງຄວາມສາມາດໃນການຕື່ມນ້ໍາຂອງ trench ຫຼືຂຸມສໍາລັບການຝາກຮູບເງົາ, ເຊັ່ນ: ການເຄືອບຕ້ານການສະທ້ອນ, ຕ່ໍາ dielectric ຄົງທີ່ວັດສະດຸ deposition, ແລະອື່ນໆ.
ຄຸນສົມບັດ:
▪ ອຸນຫະພູມຂະບວນການ: ອຸນຫະພູມຫ້ອງເຖິງ 300 ℃, ອຸນຫະພູມຂະບວນການແມ່ນຕໍ່າຫຼາຍ;
▪ ລະດັບຄວາມດັນຂອງອາຍແກັສ: ລະຫວ່າງ 1 ແລະ 100 mTorr, ຕ່ໍາກວ່າ PECVD;
▪ ຄຸນະພາບຂອງຮູບເງົາ: ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ plasma ສູງ, ຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາສູງ, ຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ດີ;
▪ ອັດຕາເງິນຝາກ: ອັດຕາເງິນຝາກຢູ່ລະຫວ່າງ LPCVD ແລະ PECVD, ສູງກວ່າ LPCVD ເລັກນ້ອຍ;
▪ ຄວາມເປັນເອກະພາບ: ເນື່ອງຈາກ plasma ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ, ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຮູບເງົາແມ່ນດີເລີດ, ເຫມາະສໍາລັບພື້ນຜິວທີ່ມີຮູບຮ່າງທີ່ຊັບຊ້ອນ;
ຂໍ້ດີແລະຂໍ້ເສຍ:
▪ ສາມາດຝາກຮູບເງົາຄຸນນະພາບສູງໃນອຸນຫະພູມຕ່ໍາ, ເຫມາະຫຼາຍສໍາລັບວັດສະດຸທີ່ລະອຽດອ່ອນຄວາມຮ້ອນ;
▪ ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຮູບເງົາທີ່ດີເລີດ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະຄວາມລຽບຂອງພື້ນຜິວ;
▪ ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ plasma ທີ່ສູງຂຶ້ນປັບປຸງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງເງິນຝາກແລະຄຸນສົມບັດຂອງຮູບເງົາ;
▪ ອຸປະກອນທີ່ຊັບຊ້ອນ ແລະ ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ສູງຂຶ້ນ;
▪ ຄວາມໄວໃນການຖິ້ມຂີ້ເຫຍື້ອຊ້າ, ແລະພະລັງງານ plasma ທີ່ສູງຂຶ້ນອາດຈະເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມເສຍຫາຍເລັກນ້ອຍ.
ຍິນດີຕ້ອນຮັບລູກຄ້າຈາກທົ່ວໂລກມາຢ້ຽມຢາມພວກເຮົາເພື່ອສົນທະນາຕື່ມອີກ!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
ເວລາປະກາດ: ວັນທີ 03-03-2024