Déi onheemlech räich Projeten Administratiounserfarungen an eng Persoun zu 1 Servicemodell maachen déi substantiell Wichtegkeet vun der Organisatiounskommunikatioun an eist einfacht Verständnis vun Ären Erwaardungen fir Professionell China China Sic Boat Carry Silicon Wafers Into The High Temperature Diffusion Coating Furnace Tube, Eist ultimativt Zil ass ëmmer als Topmark ze klasséieren an och als Pionéier an eisem Beräich ze féieren. Mir si sécher datt eis produktiv Erfarung an der Schafung vun Tools dem Client säi Vertrauen kritt, Wënsch ze kooperéieren a mat Iech en nach besser laangfristeg ze kreéieren!
Déi onheemlech räich Projeten Administratiounserfarungen an eng Persoun zu 1 Servicemodell maachen déi wesentlech Wichtegkeet vun der Organisatiounskommunikatioun an eist einfacht Verständnis vun Ären Erwaardungen firChina Carry Silicon Wafers, Polycrystallie Silicon Wafer, Wëllkomm all Är Ufroen a Bedenken fir eis Produkter. Mir freeën eis op eng laangfristeg Geschäftsbezéiung mat Iech an der nächster Zukunft opzebauen. Kontaktéiert eis haut. Mir sinn den éischte Geschäftspartner fir Äre Besoinen ze passen!
ProduitDBeschreiwung
Silicon Carbide Wafer Boot gi wäit benotzt als Waferhalter am Héichtemperaturdiffusiounsprozess.
Virdeeler:
Héich Temperatur Resistenz:normal Notzung bei 1800 ℃
Héich thermesch Konduktivitéit:gläichwäerteg zu graphite Material
Héich hardness:hardness zweet nëmmen zu Diamant, Bornitrid
Korrosiounsbeständegkeet:staark Säure an Alkali hu keng Korrosioun, d'Korrosiounsbeständegkeet ass besser wéi Wolframkarbid an Aluminiumoxid
Liicht Gewiicht:niddereg Dicht, no bei Al
Keng Verformung: niddereg Koeffizient vun thermesch Expansioun
Wärmeschockbeständegkeet:et kann schaarf Temperaturännerunge widderstoen, thermesch Schock widderstoen, an huet stabil Leeschtung
Physikalesch Eegeschafte vu SiC
| Immobilie | Wäert | Method |
| Dicht | 3,21 g/cc | Sink-float an Dimensioun |
| Spezifesch Hëtzt | 0,66 J/g °K | Pulséiert Laser Flash |
| Flexural Kraaft | 450 MPa 560 MPa | 4 Punkt Béi, RT4 Punkt Béi, 1300° |
| Fracture Zähegkeet | 2,94 MPa m1/2 | Mikroindentatioun |
| Hardness | 2800 | Vicker's, 500g Laascht |
| Elastic Modulus Young's Modulus | 450 GPa430 GPa | 4 pt béien, RT4 pt béien, 1300 °C |
| Grain Gréisst | 2-10 µm | SEM |
Thermesch Eegeschafte vu SiC
| Thermesch Konduktivitéit | 250 W/m °K | Laser Flash Method, RT |
| Thermal Expansioun (CTE) | 4,5 x 10-6 °K | Raumtemperatur bis 950 °C, Silikadilatometer |
