Professionell China China Sic Boot droen Silicon Waferen an den Héichtemperaturdiffusionsbeschichtung Uewen Tube

Kuerz Beschreiwung:


Produit Detailer

Produit Tags

Déi onheemlech räich Projeten Administratiounserfarungen an eng Persoun zu 1 Servicemodell maachen déi substantiell Wichtegkeet vun der Organisatiounskommunikatioun an eist einfacht Verständnis vun Ären Erwaardungen fir Professionell China China Sic Boat Carry Silicon Wafers Into The High Temperature Diffusion Coating Furnace Tube, Eist ultimativt Zil ass ëmmer als Topmark ze klasséieren an och als Pionéier an eisem Beräich ze féieren. Mir si sécher datt eis produktiv Erfarung an der Schafung vun Tools dem Client säi Vertrauen kritt, Wënsch ze kooperéieren a mat Iech en nach besser laangfristeg ze kreéieren!
Déi onheemlech räich Projeten Administratiounserfarungen an eng Persoun zu 1 Servicemodell maachen déi wesentlech Wichtegkeet vun der Organisatiounskommunikatioun an eist einfacht Verständnis vun Ären Erwaardungen firChina Carry Silicon Wafers, Polycrystallie Silicon Wafer, Wëllkomm all Är Ufroen a Bedenken fir eis Produkter. Mir freeën eis op eng laangfristeg Geschäftsbezéiung mat Iech an der nächster Zukunft opzebauen. Kontaktéiert eis haut. Mir sinn den éischte Geschäftspartner fir Äre Besoinen ze passen!
ProduitDBeschreiwung

Silicon Carbide Wafer Boot gi wäit benotzt als Waferhalter am Héichtemperaturdiffusiounsprozess.

Virdeeler:

Héich Temperatur Resistenz:normal Notzung bei 1800 ℃

Héich thermesch Konduktivitéit:gläichwäerteg zu graphite Material

Héich hardness:hardness zweet nëmmen zu Diamant, Bornitrid

Korrosiounsbeständegkeet:staark Säure an Alkali hu keng Korrosioun, d'Korrosiounsbeständegkeet ass besser wéi Wolframkarbid an Aluminiumoxid

Liicht Gewiicht:niddereg Dicht, no bei Al

Keng Verformung: niddereg Koeffizient vun thermesch Expansioun

Wärmeschockbeständegkeet:et kann schaarf Temperaturännerunge widderstoen, thermesch Schock widderstoen, an huet stabil Leeschtung

 

Physikalesch Eegeschafte vu SiC

Immobilie Wäert Method
Dicht 3,21 g/cc Sink-float an Dimensioun
Spezifesch Hëtzt 0,66 J/g °K Pulséiert Laser Flash
Flexural Kraaft 450 MPa 560 MPa 4 Punkt Béi, RT4 Punkt Béi, 1300°
Fracture Zähegkeet 2,94 MPa m1/2 Mikroindentatioun
Hardness 2800 Vicker's, 500g Laascht
Elastic Modulus Young's Modulus 450 GPa430 GPa 4 pt béien, RT4 pt béien, 1300 °C
Grain Gréisst 2-10 µm SEM

 

Thermesch Eegeschafte vu SiC

Thermesch Konduktivitéit 250 W/m °K Laser Flash Method, RT
Thermal Expansioun (CTE) 4,5 x 10-6 °K Raumtemperatur bis 950 °C, Silikadilatometer

 

 

boot1   boot 2

boot3   boot4


  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!