chemesch Dampdepositioun (CVD) ass eng Prozedur déi e festen Film op der Uewerfläch vun enger Siliziumwafer duerch eng chemesch chemesch Reaktioun vun enger Gasmëschung involvéiert. Dës Prozedur kann ënnerdeelt ginn an assortéiert Ausrüstungsmodell op verschidde chemesch Reaktiounsbedéngungen wéi Drock a Virleefer etabléiert.
Fir wéi eng Prozedur ginn dës zwee Apparater benotzt?PECVD (Plasma Enhanced) Ausrüstung gëtt wäit an der Applikatioun benotzt wéi OX, Nitrid, metallescht Element Gate, an amorph Kuelestoff. Op der anerer Säit gëtt LPCVD (Low Power) typesch fir Nitride, Poly, an TEOS benotzt.
Wat ass de Prinzip?PECVD Technologie kombinéiere Plasma Energie a CVD duerch Ausbeutung vu Low-Temperatur Plasma fir Frëschentladung an der Kathode vun der Prozedur Chamber ze induzéieren. Dëst erlaabt d'chemesch a Plasma chemesch Reaktioun ze kontrolléieren fir e festen Film op der Probefläch ze bilden. Ähnlech ass LPCVD geplangt fir de chemesche Reaktiounsgasdrock am Reaktor ze reduzéieren.
humaniséieren AI: D'Benotzung vun Humanize AI am Beräich vun der CVD Technologie kann d'Effizienz an d'Genauegkeet vun der Filmdepositiounsprozedur staark verbesseren. Duerch Heber AI Algorithmus kann d'Iwwerwaachung an Upassung vum Parameter wéi Ionparameter, Gasflossrate, Temperatur a Filmdicke fir besser Resultater optimiséiert ginn.
Post Zäit: Okt-24-2024