Semiconductor Apparat Produktioun enthält haaptsächlech diskret Apparater, integréiert Circuiten an hir Verpakung Prozesser.
Semiconductor Produktioun kann an dräi Etappen ënnerdeelt ginn: Produit Kierper Material Produktioun, ProduitwaferFabrikatioun an Apparat Assemblée. Ënner hinnen ass déi sérieux Verschmotzung d'Produktwaferproduktiounsstadium.
Pollutanten sinn haaptsächlech an Ofwaasser, Offallgas a festen Offall opgedeelt.
Chip Fabrikatioun Prozess:
Silicon waferno externem Schleifen - Botzen - Oxidatioun - Uniform Resistenz - Photolithographie - Entwécklung - Ätzen - Diffusioun, Ionimplantatioun - chemesch Dampdepositioun - chemesch mechanesch Polieren - Metalliséierung, asw.
Ofwaasser
Eng grouss Quantitéit vun Ofwaasser gëtt an all Prozess Schrëtt vun Halbleiter Fabrikatioun a Verpakung Testen generéiert, haaptsächlech sauerem-Basis Ofwaasser, Ammoniak-enthale Ofwaasser an organesch Ofwaasser.
1. Fluorhaltegt Ofwaasser:
Fluorsäure gëtt den Haaptléisungsmëttel deen an Oxidatiouns- an Ätsprozesser benotzt gëtt wéinst senge oxidéierende a korrosive Eegeschaften. Fluor-enthaltend Ofwaasser am Prozess kënnt haaptsächlech aus dem Diffusiounsprozess a chemesche mechanesche Polierprozess am Chipfabrikatiounsprozess. Am Botzprozess vu Siliziumwaferen a verbonnen Geschir gëtt Salzsäure och vill Mol benotzt. All dës Prozesser ginn an engagéierten Ätsbehälter oder Botzenausrüstung ofgeschloss, sou datt fluorhaltegt Ofwaasser onofhängeg entlooss ka ginn. No der Konzentratioun kann et opgedeelt ginn an héichkonzentréiert Fluorhaltegt Ofwaasser an niddereg Konzentratioun ammoniakhaltegt Ofwaasser. Allgemeng kann d'Konzentratioun vun héichkonzentréiert Ammoniakhaltege Ofwaasser 100-1200 mg / L erreechen. Déi meescht Firmen recycléieren dësen Deel vum Ofwaasser fir Prozesser déi keng héich Waasserqualitéit erfuerderen.
2. Säurebaséiert Ofwaasser:
Bal all Prozess am integréierte Circuit Fabrikatiounsprozess erfuerdert datt den Chip gebotzt gëtt. Am Moment sinn Schwefelsäure a Waasserstoffperoxid déi meescht benotzte Botzflëssegkeeten am integréierte Circuit Fabrikatiounsprozess. Zur selwechter Zäit ginn och Säure-Basisreagenser wéi Salpetersäure, Salzsäure an Ammoniakwasser benotzt.
D'Sauer-Basis Ofwaasser vum Fabrikatiounsprozess kënnt haaptsächlech aus dem Botzenprozess am Chip Fabrikatiounsprozess. Am Verpackungsprozess gëtt den Chip mat Säure-Basis-Léisung während der Elektroplatéierung a chemescher Analyse behandelt. No der Behandlung muss et mat purem Waasser gewascht ginn fir sauerbaséiert Wäschwaasser ze produzéieren. Zousätzlech ginn Säure-Basis-Reagenser wéi Natriumhydroxid a Salzsäure och an der reiner Waasserstatioun benotzt fir Anion- a Kationharz ze regeneréieren fir Säure-Basis-Regeneratiounsofwaasser ze produzéieren. Wäschschwanzwaasser gëtt och wärend dem sauerbaséierten Offallgaswäschprozess produzéiert. An integréierte Circuitfabrikatiounsfirmen ass d'Quantitéit u Säure-Basis Ofwaasser besonnesch grouss.
3. Organesch Ofwaasser:
Wéinst verschiddene Produktiounsprozesser ass d'Quantitéit vun organesche Léisungsmëttelen, déi an der Hallefleitindustrie benotzt ginn, ganz anescht. Wéi och ëmmer, als Botzmëttelen, organesch Léisungsmëttel ginn ëmmer nach wäit a verschiddene Linke vun der Fabrikatiounsverpackung benotzt. E puer Léisungsmëttel ginn organesch Ofwaasseraustausch.
4. Aner Ofwaasser:
Den Ätzprozess vum Halbleiterproduktiounsprozess wäert eng grouss Quantitéit vun Ammoniak, Fluor a Waasser mat héijer Rengheet fir d'Dekontaminatioun benotzen, an doduerch héichkonzentréiert Ammoniak-enthaltend Ofwaasserofléisung generéieren.
Den Elektroplatéierungsprozess ass am Halbleiterverpackungsprozess erfuerderlech. Den Chip muss no der Elektroplatéierung gebotzt ginn, an d'Elektroplatereinigungsofwaasser gëtt an dësem Prozess generéiert. Zënter datt e puer Metalle bei der Elektroplatéierung benotzt ginn, ginn et Metallionemissiounen am Elektroplatéierungsreinigungswaasser, wéi Bläi, Zinn, Scheif, Zénk, Aluminium, asw.
Offall Gas
Zënter dem Halbleiterprozess extrem héich Ufuerderunge fir d'Propperheet vum Operatiounsraum huet, ginn d'Fans normalerweis benotzt fir verschidden Aarte vu Offallgasen ze extrahieren, déi während dem Prozess volatiliséiert sinn. Dofir sinn d'Offallgasemissiounen an der Hallefleitindustrie charakteriséiert duerch grouss Auspuffvolumen a gerénger Emissiounskonzentratioun. Offallgasemissioune sinn och haaptsächlech verflüchtegt.
Dës Ofgasemissioune kënnen haaptsächlech a véier Kategorien ënnerdeelt ginn: sauerem Gas, alkalesche Gas, organeschen Offallgas an gëftegt Gas.
1. Säure-Basis Offallgas:
Säure-Basis Offallgas kënnt haaptsächlech aus Diffusioun,CVD, CMP an Ätzprozesser, déi Säure-Basis Reinigungsléisung benotzen fir de Wafer ze botzen.
Am Moment ass de meescht benotzte Reinigungsléisungsmëttel am Halbleiterfabrikatiounsprozess eng Mëschung aus Waasserstoffperoxid a Schwefelsäure.
Den Offallgas, deen an dëse Prozesser generéiert gëtt, enthält sauer Gase wéi Schwefelsäure, Fluorsäure, Salzsäure, Salpetersäure a Phosphorsäure, an den alkalesche Gas ass haaptsächlech Ammoniak.
2. Organesch Offallgas:
Organesch Offallgas kënnt haaptsächlech vu Prozesser wéi Photolithographie, Entwécklung, Ätzen an Diffusioun. An dëse Prozesser gëtt organesch Léisung (wéi Isopropyl Alkohol) benotzt fir d'Uewerfläch vum Wafer ze botzen, an den Offallgas, deen duerch Verflüchtung generéiert gëtt, ass eng vun de Quelle vum organeschen Offallgas;
Zur selwechter Zäit enthält de Photoresist (Photoresist), deen am Prozess vun der Photolithographie an Ätzen benotzt gëtt, flüchteg organesch Léisungsmëttel, wéi Butylacetat, déi während dem Waferveraarbechtungsprozess an d'Atmosphär flüchten, wat eng aner Quell vun organeschen Offallgas ass.
3. Gëfteg Offallgas:
Gëfteg Offallgas kënnt haaptsächlech vu Prozesser wéi Kristallepitaxie, dréchen Ätzen a CVD. An dëse Prozesser ginn eng Vielfalt vu héichreine spezielle Gase benotzt fir de Wafer ze veraarbechten, wéi Silizium (SiHj), Phosphor (PH3), Kuelestofftetrachlorid (CFJ), Boran, Bortrioxid, etc.. Verschidde speziell Gase si gëfteg, asphyxiating a korrosiv.
Zur selwechter Zäit, am dréchene Ätz- a Reinigungsprozess no der chemescher Dampdepositioun an der Hallefleitfabrikatioun, ass eng grouss Quantitéit vu Volloxidgas (PFCS) erfuerderlech, wéi NFS, C2F&CR, C3FS, CHF3, SF6, etc. Dës perfluorinéiert Verbindungen. hunn eng staark Absorptioun an der Infraroutliichtregioun a bleiwen laang an der Atmosphär. Si ginn allgemeng als d'Haaptquell vum globalen Treibhauseffekt ugesinn.
4. Verpackungsprozess Offallgas:
Am Verglach mam Halbleiter-Fabrikatiounsprozess ass den Offallgas, deen vum Halbleiterverpackungsprozess generéiert gëtt, relativ einfach, haaptsächlech sauer Gas, Epoxyharz a Stëbs.
Saier Offallgas gëtt haaptsächlech a Prozesser wéi Elektroplatéierung generéiert;
Baken Offallgas gëtt am Prozess vum Baken nom Produktpaste a Versiegelung generéiert;
D'Wierfelmaschinn generéiert Offallgas mat Spuer Silizium Staub wärend dem Wafer Schneidprozess.
Ëmweltverschmotzung Problemer
Fir d'Ëmweltverschmotzungsproblemer an der Halbleiterindustrie sinn d'Haaptproblemer déi geléist musse ginn:
· Grouss Emissioun vu Loftverschmotzung a flüchtege organesche Verbindungen (VOCs) am Photolithographieprozess;
· Emissioun vu perfluorinéierte Verbindungen (PFCS) a Plasma Ätzen a chemesche Dampdepositiounsprozesser;
· Grouss-Skala Konsum vun Energie a Waasser an Produktioun a Sécherheet Schutz vun Aarbechter;
· Recycling a Verschmotzung Iwwerwaachung vun Nebenprodukter;
· Probleemer fir geféierlech Chemikalien an Verpackungsprozesser ze benotzen.
Propper Produktioun
Semiconductor Apparat propper Produktioun Technologie kann aus den Aspekter vun Matière première, Prozesser a Prozess Kontroll verbessert ginn.
Matière première an Energie verbesseren
Als éischt soll d'Rengheet vu Materialien strikt kontrolléiert ginn fir d'Aféierung vun Gëftstoffer a Partikelen ze reduzéieren.
Zweetens, verschidde Temperaturen, Leckdetektioun, Schwéngungen, Héichspannungselektresch Schock an aner Tester sollten op déi erakommen Komponenten oder halleffäeg Produkter duerchgefouert ginn ier se a Produktioun gesat ginn.
Zousätzlech soll d'Rengheet vun Hëllefsmaterial streng kontrolléiert ginn. Et gi relativ vill Technologien déi fir propper Energieproduktioun benotzt kënne ginn.
Optimiséieren Produktioun Prozess
D'Halbleiterindustrie selwer beméit sech fir hiren Impakt op d'Ëmwelt duerch Prozesstechnologieverbesserungen ze reduzéieren.
Zum Beispill, an den 1970er Jore goufen organesch Léisungsmëttel haaptsächlech benotzt fir Waferen an der integréierter Circuitreinigungstechnologie ze botzen. An den 1980er Jore goufen Säure- an Alkaliléisungen wéi Schwefelsäure benotzt fir Waferen ze botzen. Bis den 1990er Jore gouf Plasma Sauerstoffreinigungstechnologie entwéckelt.
Wat d'Verpakung ugeet, benotzen déi meescht Firmen de Moment Elektroplatéierungstechnologie, déi Schwéiermetallverschmotzung fir d'Ëmwelt verursaacht.
Wéi och ëmmer, Verpackungsanlagen zu Shanghai benotze keng Elektroplatéierungstechnologie méi, sou datt et keen Impakt vu Schwéiermetaller op d'Ëmwelt ass. Et kann festgestallt ginn datt d'Halleiterindustrie graduell hiren Impakt op d'Ëmwelt reduzéiert duerch Prozessverbesserungen a chemesch Substitutioun an hirem eegenen Entwécklungsprozess, deen och den aktuellen globalen Entwécklungstrend follegt fir Prozess- a Produktdesign baséiert op der Ëmwelt ze plädéieren.
Am Moment gi méi lokal Prozessverbesserungen duerchgefouert, dorënner:
· Ersatz a Reduktioun vum All-Ammonium PFCS Gas, wéi zum Beispill PFCs Gas mat nidderegen Treibhauseffekt ze benotzen fir Gas mat héijen Treibhauseffekt ze ersetzen, sou wéi d'Verbesserung vum Prozessfloss an d'Reduktioun vun der Quantitéit vum PFCS Gas am Prozess benotzt;
· Verbesserung vun der Multi-Wafer Botzen op Single-Wafer Botzen fir d'Quantitéit u chemesche Botzmëttelen ze reduzéieren, déi am Botzprozess benotzt ginn.
· Strikt Prozess Kontroll:
a. Realiséieren d'Automatiséierung vum Fabrikatiounsprozess, deen präzis Veraarbechtung a Batchproduktioun realiséiere kann, an den héije Fehlerquote vun der manueller Operatioun reduzéieren;
b. Ultra-propper Prozess Ëmweltfaktoren, ongeféier 5% oder manner vum Rendementverloscht gëtt vu Leit an Ëmwelt verursaacht. Ultra-propper Prozess Ëmweltfaktoren enthalen haaptsächlech Loftreinigkeit, héichreint Waasser, kompriméiert Loft, CO2, N2, Temperatur, Fiichtegkeet, asw.. D'Propperheetsniveau vun engem propperen Atelier gëtt dacks duerch déi maximal Unzuel u Partikelen, déi pro Eenheet Volumen erlaabt sinn, gemooss. Loft, dat ass, Partikelzuel Konzentratioun;
c. Stäerkt d'Erkennung, a wielt entspriechend Schlësselpunkte fir d'Erkennung op Aarbechtsstatiounen mat grousse Quantitéiten un Offall während dem Produktiounsprozess.
Wëllkomm Clienten aus der ganzer Welt fir eis fir eng weider Diskussioun ze besichen!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Post Zäit: Aug-13-2024