Chemesch Vapor Deposition (CVD) ass eng wichteg Dënnfilmdepositiounstechnologie, déi dacks benotzt gëtt fir verschidde funktionell Filmer an dënnschichtmaterialien ze preparéieren, a gëtt wäit an der Hallefleitfabrikatioun an aner Felder benotzt.
1. Aarbechtsprinzip vun CVD
Am CVD-Prozess gëtt e Gas-Virgänger (een oder méi gasfërmeg Virleeferverbindungen) a Kontakt mat der Substratoberfläche bruecht an op eng gewëssen Temperatur erhëtzt fir eng chemesch Reaktioun ze verursaachen an op der Substratfläch ze deposéieren fir de gewënschten Film oder Beschichtung ze bilden. Layer. D'Produkt vun dëser chemescher Reaktioun ass e festen, normalerweis eng Verbindung vum gewënschten Material. Wa mir Silizium op eng Uewerfläch hale wëllen, kënne mir Trichlorosilan (SiHCl3) als Virgängergas benotzen: SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl Silizium bindt sech un all exponéiert Uewerfläch (souwuel intern wéi extern), wärend Chlor a Salzsäuregase wäerten aus der Chamber entlooss ginn.
2. CVD Klassifikatioun
Thermesch CVD: Duerch Heizung vum Virgängergas fir ze zersetzen an op d'Substratoberfläche ze deposéieren. Plasma Enhanced CVD (PECVD): Plasma gëtt op thermesch CVD bäigefüügt fir d'Reaktiounsrate ze verbesseren an den Oflagerungsprozess ze kontrolléieren. Metal Organic CVD (MOCVD): Mat Metallorganesche Verbindungen als Virgängergase kënnen dënn Filmer vu Metaller a Halbleitere virbereet ginn, a ginn dacks an der Fabrikatioun vun Apparater wéi LEDs benotzt.
3. Applikatioun
(1) Semiconductor Fabrikatioun
Silizidfilm: benotzt fir Isoléierschichten, Substrater, Isoléierschichten, asw Nitridfilm ze preparéieren: benotzt fir Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, asw. Schichten, etc.
(2) Display Technologie
ITO Film: Transparent konduktiv Oxidfilm, allgemeng a flaach Panel Displays an Touchscreens benotzt. Kupferfilm: benotzt fir Verpackungsschichten, konduktiv Linnen, asw., ze preparéieren, fir d'Performance vun Displayapparater ze verbesseren.
(3) Aner Felder
Optesch Beschichtungen: Anti-reflektiv Beschichtungen abegraff, optesch Filteren, asw.
4. Charakteristiken vun CVD Prozess
Benotzt héich Temperatur Ëmfeld fir d'Reaktiounsgeschwindegkeet ze förderen. Normalerweis an engem Vakuum Ëmfeld duerchgefouert. Kontaminanten op der Uewerfläch vum Deel musse virum Molerei ofgeschaaft ginn. De Prozess kann Aschränkungen op d'Substrater hunn, déi beschichtet kënne ginn, dh Temperaturbegrenzungen oder Reaktivitéitsbeschränkungen. D'CVD Beschichtung wäert all Beräicher vum Deel ofdecken, dorënner Fuedem, blann Lächer an intern Flächen. Kann d'Fäegkeet limitéieren fir spezifesch Zilberäicher ze maskéieren. Filmdicke ass limitéiert duerch Prozess a Materialbedéngungen. Superior Adhäsioun.
5. Virdeeler vun CVD Technologie
Uniformitéit: Fähig fir eenheetlech Oflagerung iwwer grouss Substrate z'erreechen.
Kontrollbarkeet: D'Oflagerungsquote an d'Filmeigenschaften kënnen ugepasst ginn andeems d'Flowrate an d'Temperatur vum Virgängergas kontrolléiert ginn.
Villsäitegkeet: Gëeegent fir Oflagerung vu ville Materialien, wéi Metaller, Halbleiteren, Oxiden, asw.
Post Zäit: Mee-06-2024