SiC Eenkristall ass e Grupp IV-IV Verbindung Hallefleitmaterial aus zwee Elementer, Si a C, an engem stoichiometresche Verhältnis vun 1:1.Seng Hardness ass zweet nëmmen dem Diamant.
D'Kuelestoffreduktioun vu Siliziumoxid-Methode fir SiC ze preparéieren ass haaptsächlech baséiert op der folgender chemescher Reaktiounsformel:
De Reaktiounsprozess vun der Kuelestoffreduktioun vu Siliziumoxid ass relativ komplex, an deem d'Reaktiounstemperatur direkt d'Endprodukt beaflosst.
Am Virbereedungsprozess vu Siliciumcarbid ginn d'Rohmaterial fir d'éischt an engem Resistenzofen plazéiert.De Resistenzofen besteet aus Ennmaueren op béide Enden, mat enger Grafitelektrode am Zentrum, an den Uewenkär verbënnt déi zwou Elektroden.Op der Peripherie vum Ofenkär ginn d'Rohmaterialien, déi un der Reaktioun deelhuelen, fir d'éischt plazéiert, an dann d'Materialien, déi fir d'Wärmekonservatioun benotzt ginn, op der Peripherie plazéiert.Wann d'Schmelzen ufänkt, gëtt de Resistenzuewen energesch an d'Temperatur klëmmt op 2.600 bis 2.700 Grad Celsius.Elektresch Hëtztenergie gëtt op d'Laascht duerch d'Uewerfläch vum Schmelzkär iwwerdroen, sou datt et graduell erhëtzt gëtt.Wann d'Temperatur vun der Ladung méi wéi 1450 Grad Celsius iwwerschreift, geschitt eng chemesch Reaktioun fir Siliziumkarbid a Kuelemonoxidgas ze generéieren.Wéi de Schmelzprozess weider geet, wäert d'Héichtemperaturberäich an der Charge graduell ausdehnen, an d'Quantitéit u Siliziumkarbid wäert och eropgoen.Siliziumkarbid gëtt kontinuéierlech am Uewen geformt, an duerch Verdampfung a Bewegung wuessen d'Kristalle graduell a sammelen sech schlussendlech an zylindresch Kristalle.
En Deel vun der banneschten Mauer vum Kristall fänkt un duerch d'héich Temperatur iwwer 2.600 Grad Celsius ze zerbriechen.De Siliziumelement, deen duerch Zersetzung produzéiert gëtt, rekombinéiert mam Kuelestoffelement an der Ladung fir nei Siliziumkarbid ze bilden.
Wann d'chemesch Reaktioun vu Siliziumcarbid (SiC) fäerdeg ass an den Uewen ofgekillt ass, kann de nächste Schrëtt ufänken.Als éischt ginn d'Maueren vum Ofen ofgebaut, an dann d'Rohmaterialien am Ofen ausgewielt a graded Schicht fir Schicht.Déi ausgewielte Matière première ginn zerquetscht fir dat granulärt Material ze kréien dee mir wëllen.Als nächst ginn Gëftstoffer an de Rohmaterial duerch Waasserwäschen oder Botzen mat Säure- a Alkali-Léisungen ewechgeholl, souwéi magnetesch Trennung an aner Methoden.Déi gebotzt Matière première musse getrocknegt ginn an dann erëm gescannt ginn, a schliisslech kann e pure Siliziumkarbidpulver kritt ginn.Wann néideg, kënnen dës Puder no der aktueller Notzung weider veraarbecht ginn, wéi zum Beispill Formen oder Feinschleifen, fir méi fein Siliziumkarbidpulver ze produzéieren.
Spezifesch Schrëtt sinn wéi follegt:
(1) Matière première
Gréng Siliziumkarbid Mikropulver gëtt produzéiert andeems gréissere gréng Siliziumcarbid zerdréckt.D'chemesch Zesummesetzung vum Siliziumcarbid soll méi wéi 99% sinn, a fräi Kuelestoff an Eisenoxid soll manner wéi 0,2% sinn.
(2) Gebrach
Fir Siliziumkarbidsand a feine Pudder ze zerbriechen, ginn zwou Methoden am Moment a China benotzt, eng ass déi intermittéierend naass Kugelmühle zerbriechen, an déi aner zerdréckt mat enger Loftflosspulvermühle.
(3) Magnéitesch Trennung
Egal wéi eng Method benotzt gëtt fir Siliziumkarbidpulver a feine Pudder ze zerbriechen, naass magnetesch Trennung a mechanesch magnetesch Trennung ginn normalerweis benotzt.Dëst ass well et kee Stëbs wärend der naass magnetescher Trennung ass, d'magnetesch Materialien sinn komplett getrennt, d'Produkt no der magnetescher Trennung enthält manner Eisen, an de Siliziumkarbidpulver, dee vun de magnetesche Materialien ewechgeholl gëtt, ass och manner.
(4) Waasser Trennung
De Basisprinzip vun der Waassertrennungsmethod ass déi verschidde Settlementsgeschwindegkeete vu Siliziumkarbidpartikele vu verschiddenen Duerchmiesser am Waasser ze benotzen fir d'Partikelgréisst Sortéierung ze maachen.
(5) Ultraschallscreening
Mat der Entwécklung vun Ultraschalltechnologie ass et och wäit an der Ultraschallscreening vu Mikro-Puddertechnologie benotzt ginn, déi am Fong Screeningproblemer wéi staark Adsorptioun, einfach Agglomeratioun, héich statesch Elektrizitéit, héich Feinheet, héich Dicht a Liichtspezifesch Schwéierkraaft léise kann. .
(6) Qualitéit Inspektioun
Mikropulver Qualitéitsinspektioun enthält chemesch Zesummesetzung, Partikelgréisst Zesummesetzung an aner Artikelen.Fir Inspektiounsmethoden a Qualitéitsnormen, kuckt w.e.g. op "Silicon Carbide Technical Conditions."
(7) Schleifstëbsproduktioun
Nodeems de Mikropulver gruppéiert a gescannt ass, kann de Materialkop benotzt ginn fir Schleifpulver ze preparéieren.D'Produktioun vu Schleifpulver kann Offall reduzéieren an d'Produktkette verlängeren.
Post Zäit: Mee-13-2024