De Monocrystalline 8 Zoll Silicon Wafer vu VET Energy ass eng industrieféierend Léisung fir Hallefleit an elektronesch Geräter Fabrikatioun. Bitt super Rengheet an kristallin Struktur, dës Wafere si ideal fir héich performant Uwendungen an der Photovoltaik an der Hallefleitindustrie. VET Energy garantéiert datt all Wafer suergfälteg veraarbecht gëtt fir den héchste Standarden z'erreechen, déi exzellent Uniformitéit a glat Surface Finish ubitt, déi wesentlech fir fortgeschratt elektronesch Apparaterproduktioun sinn.
Dës Monocrystalline 8 Zoll Silicon Wafers si kompatibel mat enger Rei vu Materialien, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, a si besonnesch gëeegent fir Epi Wafer Wuesstum. Hir super thermesch Konduktivitéit an elektresch Eegeschafte maachen se eng zouverlässeg Wiel fir héicheffizient Fabrikatioun. Zousätzlech sinn dës Wafere entwéckelt fir nahtlos mat Materialien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer ze schaffen, bitt eng breet Palette vun Uwendungen vu Kraaftelektronik bis RF Apparater. D'Waferen passen och perfekt an Kassettsystemer fir héichvolumen, automatiséiert Produktiounsëmfeld.
D'Produktlinn vum VET Energy ass net limitéiert op Siliziumwaferen. Mir bidden och eng breet Palette vun Semiconductor Substrat Materialien, dorënner SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, etc., souwéi nei breet Bandgap Hallefleitmaterialien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer. Dës Produkter kënnen d'Applikatiounsbedürfnisser vu verschiddene Clienten a Kraaftelektronik, Radiofrequenz, Sensoren an aner Felder treffen.
VET Energy bitt Clienten personaliséiert Wafer-Léisungen. Mir kënnen Wafere mat ënnerschiddleche Resistivitéit, Sauerstoffgehalt, Dicke, etc. Zousätzlech bidde mir och professionell technesch Ënnerstëtzung an After-Sales-Service fir Clienten ze hëllefen verschidde Probleemer ze léisen, déi während dem Produktiounsprozess begéint sinn.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | < 2 μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
SURFACE FINISH
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Uewerfläch Finish | Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Rand Chips | Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm) | ||||
Abriecher | Keen erlaabt | ||||
Kratzer (Si-Face) | Quty.≤5, Kumulativ | Quty.≤5, Kumulativ | Quty.≤5, Kumulativ | ||
Rëss | Keen erlaabt | ||||
Rand Ausgrenzung | 3 mm |