Silicon Carbide Beschichtete Graphit Susceptor fir LED Ätz

Silicon Carbide Beschichtete Graphite Susceptor fir LED Ätzen Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Carbide Susceptor fir LED Ätzen (SiC Schacht) ass e speziellen Accessoire fir déif Silizium Ätzen (ICP Ätzmaschinn). Wafer Carrier, och bekannt als Wafer Carrier, Silicon Wafer Carrier, och bekannt als Pocket Wafer. Vill benotzt am Halbleiter CVD a Vakuum Sputtering.

Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

Silicon Carbide Beschichtete susceptor assa SchlësselKomponent benotzt a verschiddene Hallefleitfabrikatiounsprozesser.Mir benotzen eis patentéiert Technologie fir de Siliziumkarbidbeschichtete Susceptor mat ze maachenextrem héich Rengheet,guttBeschichtungUniformitéitan eng excellent Service Liewen, sou wéihéich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit Eegeschaften.

VET Energy ass denrealen Hiersteller vu personaliséierte Graphit a Siliziumkarbidprodukter mat CVD Beschichtung,liwweren kënnenverschiddepersonaliséiert Deeler fir Hallefleit- a Photovoltaikindustrie. OÄr technesch Equipe kënnt aus Top Gewalt Fuerschung Institutiounen, kann méi professionell Material Léisungen biddenfir dech.

Mir entwéckelen kontinuéierlech fortgeschratt Prozesser fir méi fortgeschratt Materialien ze bidden,anhunn eng exklusiv patentéiert Technologie ausgeschafft, déi d'Verbindung tëscht der Beschichtung an dem Substrat méi enk a manner ufälleg fir Ofdreiwung maache kann.

FEatures vun eise Produkter:

1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz bis 1700℃.
2. Héich Rengheet anthermesch Uniformitéit
3. Exzellent Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
4. Héich Hardness, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
5. Méi laang Liewensdauer a méi haltbar

CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiCBeschichtung
性质 / Immobilie	典型数值 / Typesch Wäert
晶体结构 / Kristallstruktur	FCC β Phase多晶，主要为（111) 取向
密度 / Dicht	3,21 g/cm³
硬度 / Hardness	2500 维氏硬度（500g Belaaschtung）
晶粒大小 / Grain Gréisst	2 ~ 10 μm
纯度 / Chemesch Rengheet	99,99995%
热容 / Hëtzt Kapazitéit	640 jkg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimatioun Temperatur	2700 ℃
抗弯强度 / Flexural Kraaft	415 MPa RT 4-Punkt
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃
导热系数 / ThermlKonduktivitéit	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Thermal Expansioun (CTE)	4,5x10^-6K^-1