Silicon Carbide Carrier Schachtis a SchlësselKomponent benotzt a verschiddene Hallefleitfabrikatiounsprozesser.Mir benotzen eis patentéiert Technologie fir de Siliziumkarbidträger ze maachenextrem héich Rengheet,guttBeschichtungUniformitéitan eng excellent Service Liewen, sou wéihéich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit Eegeschaften.
VET Energy ass denrealen Hiersteller vu personaliséierte Graphit a Siliziumkarbidprodukter mat CVD Beschichtung,liwweren kënnenverschiddepersonaliséiert Deeler fir Hallefleit- a Photovoltaikindustrie. OÄr technesch Equipe kënnt aus Top Gewalt Fuerschung Institutiounen, kann méi professionell Material Léisungen biddenfir dech.
Mir entwéckelen kontinuéierlech fortgeschratt Prozesser fir méi fortgeschratt Materialien ze bidden,anhunn eng exklusiv patentéiert Technologie ausgeschafft, déi d'Verbindung tëscht der Beschichtung an dem Substrat méi enk a manner ufälleg fir Ofdreiwung maache kann.
FEatures vun eise Produkter:
1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz bis 1700℃.
2. Héich Rengheet anthermesch Uniformitéit
3. Exzellent Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
4. Héich Hardness, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
5. Méi laang Liewensdauer a méi haltbar
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiCBeschichtung | |
| 性质 / Immobilie | 典型数值 / Typesch Wäert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β Phase多晶，主要为（111) 取向 |
| 密度 / Dicht | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Hardness | 2500 维氏硬度（500g Belaaschtung） |
| 晶粒大小 / Grain Gréisst | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Chemesch Rengheet | 99,99995% |
| 热容 / Hëtzt Kapazitéit | 640 jkg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatioun Temperatur | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Kraaft | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermlKonduktivitéit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermal Expansioun (CTE) | 4,5x10-6K-1 |
Wëllkomm Iech häerzlech op eis Fabréck ze besichen, loosst eis weider Diskussioun hunn!
