Graphite Substrat Wafer Holder fir PECVD

Kuerz Beschreiwung:

VET Energy's Graphite Substrat Holder ass konstruéiert fir Wafer Ausrichtung a Stabilitéit am ganzen PECVD Prozess z'erhalen, Kontaminatioun ze vermeiden an de Risiko vu Schued ze minimiséieren. De Graphite Wafer Holder bitt eng sécher, gläichméisseg Plattform, déi garantéiert datt Wafere gläichméisseg dem Plasma ausgesat sinn fir konsequent a qualitativ héichwäerteg Oflagerung. Mat senger héijer thermescher Konduktivitéit an aussergewéinlecher Kraaft hëlleft dësen Halter d'Gesamtprozesseffizienz a Produktleistung ze verbesseren.

Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

VET Energy Graphite Substrate Wafer Holder ass e Präzisiounsträger entworf fir PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) Prozess. Dëse qualitativ héichwäerte Graphite Substrat Holder ass aus héich Rengheet, héich Dicht Graphitmaterial gemaach, mat exzellenter Héichtemperaturresistenz, Korrosiounsbeständegkeet, Dimensiounsstabilitéit an aner Charakteristiken. Et kann eng stabil Ënnerstëtzung Plattform fir PECVD Prozess bidden an d'Uniformitéit an flatness vun Film Oflagerung garantéieren.

VET Energy PECVD Prozess Grafit wafer Ënnerstëtzung Dësch huet déi folgend Charakteristiken:

▪Héich Rengheet:extrem niddereg Gëftstoffer Inhalt, vermeiden Kontaminatioun vun Film, garantéiert Film Qualitéit.

▪Héich Dicht:héich Dicht, héich mechanesch Kraaft, kann héich Temperatur an héich Drock PECVD Ëmfeld widderstoen.

▪Gutt Dimensiounsstabilitéit:kleng Dimensiounsverännerung bei héijer Temperatur, garantéiert Prozessstabilitéit.

▪Exzellent thermesch Konduktivitéit:Transfert effektiv Hëtzt fir Wafer Iwwerhëtzung ze vermeiden.

▪Staark Korrosiounsbeständegkeet:kann d'Erosioun duerch verschidde korrosive Gase a Plasma widderstoen.

▪Benotzerdefinéiert Service:graphite Ënnerstëtzung Dëscher vu verschiddene Gréissten a Formen kann no Client Besoinen personaliséiert ginn.

Produit Virdeeler

▪Filmqualitéit verbesseren:Garantéiert eenheetlech Filmdepositioun a verbessert d'Filmqualitéit.

▪Ausrüstung Liewen verlängeren:Excellent corrosion Resistenz, verlängeren de Service Liewen vun PECVD Equipement.

▪Produktiounskäschte reduzéieren:Héich-Qualitéit GRAPHITE Schacht kann Schrott Taux reduzéieren an Produktioun Käschten reduzéieren.

Graphitmaterial aus SGL:

Typesch Parameter: R6510
Index	Test Norm	Wäert	Eenheet
Duerchschnëtt Kärgréisst	ISO 13320	10	μm
Bulk Dicht	DIN IEC 60413/204	1.83	g/cm³
Open Porositéit	DIN 66133	10	%
Mëttelméisseg Pore Gréisst	DIN 66133	1.8	μm
Permeabilitéit	DIN 51935	0,06	cm²/s
Rockwell Hardness HR5/100	DIN IEC 60413/303	90	HR
Spezifesch elektresch Resistivitéit	DIN IEC 60413/402	13	μΩm
Flexural Kraaft	DIN IEC 60413/501	60	MPa
Kompressiv Kraaft	DIN 51910	130	MPa
Young d'Modul	DIN 51915	11,5 × 10³	MPa
Thermesch Expansioun (20-200 ℃)	DIN 51909	4.2x10^-6	K^-1
Wärmekonduktivitéit (20 ℃)	DIN 51908	105	Wm^-1K^-1

Et ass speziell fir héicheffizient Solarzellenfabrikatioun entworf, ënnerstëtzt G12 grouss Waferveraarbechtung. Optimiséiert Carrier Design erhéicht d'Duerchsatz wesentlech, wat méi héich Ausbezuelungsraten a méi niddereg Produktiounskäschte erméiglecht.

Artikel	Typ	Zuel wafer Carrier
PEVCD Grephite Boot - D'156 Serie	156-13 grephite Boot	144
	156-19 grephit Boot	216
	156-21 grephit Boot	240
	156-23 Grafit Boot	308
PEVCD Grephite Boot - D'125 Serie	125-15 grephite Boot	196
	125-19 grephite Boot	252
	125-21 grphite Boot	280