Graphite Carrier fir PECVD Prozess

Kuerz Beschreiwung:

VET EnergiePECVD Graphite Boat fir Solar Panel ass eng fortgeschratt Komponent déi speziell fir d'Produktioun vu High-Performance Solarpanneauen entwéckelt ass. Benotzt a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Prozesser, dëst Grafitboot suergt fir eng optimal Materialhandhabung an eenheetlech Oflagerung vun dënnen Filmer op Solarzellen. Entworf fir Präzisioun an Haltbarkeet, et bitt eng super thermesch Konduktivitéit, héich Korrosiounsbeständegkeet a minimale Kontaminatioun, déi wesentlech fir d'Produktioun vun effizienten, héichqualitativen Solarpanneauen sinn.

Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

VET EnergiePECVD-Prozess-Grafitträger ass e qualitativ héichwäertegt Verbrauchsmaterial, dee fir de PECVD (Plasma verstäerkte chemesche Dampdepositioun) Prozess ofgeschnidden ass. Dëse Graphit Carrier ass aus héich Rengheet, High-Density graphite Material, mat exzellenter Héichtemperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, Dimensiounstabilitéit an aner Charakteristiken, kann eng stabil Carrier Plattform fir PECVD Prozess ubidden, fir d'Uniformitéit an d'Flaachheet vum dënnen Film ze garantéieren. Oflagerung.

Graphit Carrier fir PECVD Prozess hunn déi folgend Charakteristiken:

▪ Héich Rengheet: extrem niddereg Gëftstoffgehalt, vermeit Kontaminatioun vum Film a garantéiert Filmqualitéit.

▪ Héich Dicht: Héich Dicht, héich mechanesch Kraaft, fäeg fir héich Temperaturen an héich Drock PECVD Ëmfeld ze widderstoen.

▪ Gutt Dimensiounsstabilitéit: kleng Dimensiounsverännerung bei héijer Temperatur, garantéiert Prozessstabilitéit.

▪ Exzellent thermesch Konduktivitéit: Transfert effektiv Hëtzt fir Wafer Iwwerhëtzung ze vermeiden.

▪ Staark Korrosiounsbeständegkeet: fäeg Erosioun duerch verschidde korrosive Gasen a Plasma ze widderstoen.

▪ Personnaliséierten Service: Graphit Carrier vu verschiddene Gréissten a Formen kënnen no Clientsbedürfnisser personaliséiert ginn.

Graphitmaterial aus SGL:

Typesch Parameter: R6510
Index	Test Norm	Wäert	Eenheet
Duerchschnëtt Kärgréisst	ISO 13320	10	μm
Bulk Dicht	DIN IEC 60413/204	1.83	g/cm³
Open Porositéit	DIN 66133	10	%
Mëttelméisseg Pore Gréisst	DIN 66133	1.8	μm
Permeabilitéit	DIN 51935	0,06	cm²/s
Rockwell Hardness HR5/100	DIN IEC 60413/303	90	HR
Spezifesch elektresch Resistivitéit	DIN IEC 60413/402	13	μΩm
Flexural Kraaft	DIN IEC 60413/501	60	MPa
Kompressiv Kraaft	DIN 51910	130	MPa
Young d'Modul	DIN 51915	11,5 × 10³	MPa
Thermesch Expansioun (20-200 ℃)	DIN 51909	4.2x10^-6	K^-1
Wärmekonduktivitéit (20 ℃)	DIN 51908	105	Wm^-1K^-1

Et ass speziell fir héicheffizient Solarzellenfabrikatioun entworf, ënnerstëtzt G12 grouss Waferveraarbechtung. Optimiséiert Carrier Design erhéicht d'Duerchsatz wesentlech, wat méi héich Ausbezuelungsraten a méi niddereg Produktiounskäschte erméiglecht.

Artikel	Typ	Zuel wafer Carrier
PEVCD Grephite Boot - D'156 Serie	156-13 grephite Boot	144
	156-19 grephit Boot	216
	156-21 grephit Boot	240
	156-23 Grafit Boot	308
PEVCD Grephite Boot - D'125 Serie	125-15 grephite Boot	196
	125-19 grephite Boot	252
	125-21 grphite Boot	280