SiC Coating Graphite MOCVD Wafer Carriers Susceptores

Brevis descriptio:

VET Energy SiC Coated MOCVD Susceptor pro Epitaxial Incrementum est summus perficientur producto destinatus ut constans et certa perficiendi per longius tempus provideret. Eximius bonus calor resistentiam habet et uniformitatem scelerisque, puritatem altam, exesum resistentiam, et perfectam solutionem lagani applicationis processus faciens.

Mitte ad nos inscriptio Download as PDF

Product Detail

Product Tags

SiC coating graphite MOCVD Wafer carriers/susceptor

Omnes susceptores nostri fiunt graphite isostatice virtutis altae. Prodest alta puritas graphitarum nostrorum - praesertim ad processuum provocantium sicut epitaxiam, crystallum crescentem, implantationem et plasma engraving, necnon ad productionem xxxiii ductus.

Lineamenta nostra producta:

1. Princeps oxidationis resistentiae temperatus usque ad 1700℃.
2. High puritas ac scelerisque uniformitatem
3. Praeclara corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.
4. Alta duritia, superficies compacta, particulae tenuis.
5. Longior vita servitus, et magis durabilis

CVD SiC薄膜基本物理性能 Basic physicae CVD SiCcoating
性质 / Property	典型数值 / Valorem Typicam
晶体结构 / Crystal Structure	FCC β phase.111）取向
密度 / Density	3.21 g/cm³
硬度 / Duritia	MMD -500g onus
晶粒大小 / Frumentum	2~10μm
纯度 / Puritas chemica	99.99995%
热容 / Calor Capacitas	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimatio Temperature	2700℃
抗弯强度 / Flexural Fortitudo	415 MPa RT 4-punctum
杨氏模量 / Modulus iuvenum	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
导热系数 / ThermalConductivity	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Scelerisque Expansion(CTE)	4.5×10^-6K^-1

VET Energy est realis fabrica graphitae nativus et carbidi siliconis productorum cum diversis coatingiis sicut SiC tunica, TaC tunica, carbonis tunica vitrea, carbonis pyrolytica tunica, etc., varias partes nativus pro semiconductore et industria photovoltaicae supplere potest.

Nostra technica turma e supremo institutionum domesticarum investigationum venit, solutiones tibi magis professionales materiales praebere potest.

Processus progressus continenter enucleamus ut materiae graviores praebeant et technologiam patentem exclusivam elaboraverint, quae vinculum inter tunicam et subiectum arctius et minus proclivior ad detractionem facere potest.

Vehementer te salvete ut officinas nostras visitetis, disputationem porro habeamus!