IC Single-Crystal Silicon Epitaxy

Brevis descriptio:

Originis loco:China

Crystal Structure :FCCβ phase

Densitas :3.21 g/cm;

Duritia:MMD Vickers;

Magnitudo frumenti:2~10μm;

Puritas chemica:99.99995%;

Calor Capacitas:640J·kg-1·K-1;

Sublimatio Temperature :2700℃;

Fortitudo Felix:415 Mpa (RT 4-Point);

Modulus :430 Gpa (4pt bend, 1300℃);

Scelerisque Expansion (CTE)4.5 10-6K-1;

Scelerisque Conductivity:300（W/MK）;

Mitte ad nos inscriptio Download as PDF

Product Detail

Product Tags

Product Description

Societas nostra SiC efficiens operas processus per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ut gasi speciales in caliditate carbonis et siliconis reant, ad altam puritatem SiC molecularum, molecularum in superficie materiarum iactatarum depositarum; formatam SIC tutela iacuit.

Praecipua lineamenta:

1. caliditas oxidationis resistentia;

oxidatio resistentia adhuc optima est, cum siccus tam altus est quam 1600 C.

2. Puritas alta : factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.

3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.

4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.

Specificationes principales de CVD-SIC Coating

Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Density	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	μm	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacitas	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Scelerisque Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300