Contiguus laganus cymba

Brevis descriptio:

Cymba lagana contigua e vet-china designata est ad tractandum laganum efficientem in fabricandis semiconductoribus. Machinatus ad amussim, solutionis vet-chinae scelerisque stabilitatem et chemicam resistentiam efficit, processuum productionis optimizing dum damnum extenuando et perputo augendo.

Mitte ad nos inscriptio Download as PDF

Product Detail

Product Tags

vet-china statum-of-the-art Contiguum Wafer cymba machinatum ad posteros fabricationis semiconductoris introducit. Haec navi adamussim designata praebet singularem praecisionem in lagano tractando, operationes inconsutiles procurans et signanter reducendo periculum damni in processu.

Contiguus laganus cymba magnae stabilitatis et eximiae chemicae resistentiae scelerisque aedificata gloriatur, quod specimen summus temperaturae et durae chemicae ambitus facit. Eius porttitor consilium efficit ut lagana secure teneantur et perfecte aligned, optimizing throughput et augendo efficientiam fabricandi.

Haec navicula lagani incisurae ad formandam occurrit necessitates fabs semiconductoris recentioris flagitanti, varias lagani magnitudines et configurationes sustinens. Incorporando laganum laganum e vet-china in lineam productivam, exspectare potes effectus auctus, downtime reductus, et cede rates augeri.

Experientia differentiam cum obligationis vet-chinae qualitati et innovationi tradendo products quod fines semiconductoris vestibulum dis. Cymba lagana contigua elige et laganum laganum facultates tuas ad nova fastigia eleva.

Proprietates recrystallized Pii carbide

Pii carbida recrystallata (R-SiC) est materia maximi momenti cum duritia secunda tantum ad adamantem, quae ad caliditatem caliditatem supra 2000℃ formatur. Multas proprietates excellentium SiC retinet, ut caliditas fortitudo, fortis corrosio resistentia, oxidatio optima resistentia, bonum thermae resistentia concussa et cetera.

● Praeclara mechanica. Carbide pii recrystallized habet maiorem vim et rigorem quam fibra carbonis, magna resistentia ictum, potest ludere bonum effectus in summa temperatus ambitibus, melius aequilibrium agere in variis condicionibus ludere potest. Praeterea bonam habet flexibilitatem nec facile tendens ac flectens laeditur, quod effectum suum valde meliorat.

Maximum corrosionem resistentia. Carbida Pii recrystallata altam habet repugnantiam variis instrumentis corrosionibus, exesa variarum instrumentorum corrosivorum impedire potest, suas mechanicas proprietates diu servare potest, validam adhaesionem habet ut longiorem vitam habeat. Praeterea, quod etiam habet stabilitatem bonam scelerisque, potest accommodare ad certas notas temperaturas mutationes, eius applicationis effectum emendare.

● Sentering non reformidat. Quia processus sintering non abhorret, nulla residua vis deformationem vel crepturam operis faciet, et partes cum complexis figuris et magna praecisione praeparari possunt.

重结晶碳化硅物理特性 Corporalia proprietates Pii Carbide Recrystallized
性质 / Property	典型数值 / Valorem Typicam
使用温度/ Opus temperatus (°C)	1600°C (cum oxygenio) 1700°C (reducing environment)
Sic含量/ SiC content	> 99.96%
自由Si含量/ Free Si content	< 0.1%
体积密度/mole densitatis	2.60-2.70 g/cm³
气孔率/ Apparens porositas	< 16%
抗压强度/ Cogo vires	> 600MPa
常温抗弯强度/Frigus inflexio virium	80-90 MPa (20°C)
高温抗弯强度Calidum inflexio virium	90-100 MPa (1400°C)
热膨胀系数/ Scelerisque expansionem @ MD°C	4.70 10^-6/°C
导热系数/Scelerisque conductivity @1200°C	23W/m•K
杨氏模量/ Modulus elasticus	240 GPa
抗热震性/ Scelerisque inpulsa resistentia	perquam bonum

VET Energy est therealis fabrica graphitis nativus et carbida siliconis producta cum CVD coating;potest supplerevariisnativus partium semiconductoris et industriae photovoltaicae. Our technica turma e summo domesticae investigationis instituta, solutiones materiales magis professionales praebere potesttibi.

Processus provectos continue enucleamus ad materiae graviores praebendas;ettechnologiam patentem exclusivam elaboraverunt, quae compagem efficere potest inter tunicam et subiectam arctius et minus facile ad detractionem.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Basic physicae CVD SiCcoating
性质 / Property	典型数值 / Valorem Typicam
晶体结构 / Crystal Structure	FCC β phase.111）取向
密度 / Density	3.21 g/cm³
硬度 / Duritia	MMD -500g onus
晶粒大小 / Frumentum	2~10μm
纯度 / Puritas chemica	99.99995%
热容 / Calor Capacitas	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimatio Temperature	2700℃
抗弯强度 / Flexural Fortitudo	415 MPa RT 4-punctum
杨氏模量 / Modulus iuvenum	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
导热系数 / ThermalConductivity	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Scelerisque Expansion(CTE)	4.5×10^-6K^-1