SiC капталган suscetpor ар кандай жарым өткөргүч өндүрүш процесстеринде колдонулган негизги компоненти болуп саналат.Биз патенттелген технологиябызды SiC капталган суссетпорду өтө жогорку тазалыкка, жакшы жабууга бирдейликке жана эң сонун кызмат көрсөтүүгө, ошондой эле жогорку химиялык туруктуулукка жана жылуулукка туруктуулукка ээ кылуу үчүн колдонобуз.
Биздин продуктылардын өзгөчөлүктөрү:
1. 1700 ℃ чейин жогорку температура кычкылдануу каршылык.
2. Жогорку тазалык жана термикалык бирдейлик
3. Коррозияга мыкты туруктуулук: кислота, щелоч, туз жана органикалык реагенттер.
4. Жогорку катуулугу, компакт бети, майда бөлүкчөлөр.
5. Узак кызмат мөөнөтү жана бышык
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC негизги физикалык касиеттерикаптоо | |
| 性质 / Мүлк | 典型数值 / Типтүү маани |
| 晶体结构 / Кристалл структурасы | FCC β фазасы多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Жыштыгы | 3,21 г/см³ |
| 硬度 / Катуулугу | 2500 维氏硬度（500г жүк） |
| 晶粒大小 / Grain Size | 2~10μm |
| 纯度 / Химиялык тазалык | 99.99995% |
| 热容 / Жылуулук сыйымдуулугу | 640 Дж·кг-1· К-1 |
| 升华温度 / Сублимация температурасы | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Ийилүү күчү | 415 МПа РТ 4-пункту |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt ийилип, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ТермалӨткөргүчтүк | 300W·m-1· К-1 |
| 热膨胀系数 / Термикалык кеңейүү (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Сизди биздин фабрикага барыңыз, келиңиз, андан ары талкуулайлы!
