SiC эпитаксиалдык жабдууларда колдонулган SiC капталган жарым ай бөлүгү барабан

Кыска сүрөттөмө:

Продукцияны киргизүү жана колдонуу: Туташтырылган кварц түтүгү, лотоктун базасынын айлануусун, температураны көзөмөлдөө үчүн газды өткөрө алат

Продукттун аппараттын жайгашкан жери: реакция камерасында, вафли менен түздөн-түз байланышта эмес

Негизги ылдый агымдагы продуктылар: күч түзүлүштөрү

Негизги терминал рыногу: жаңы энергетикалык унаалар

Бизге электрондук кат жөнөтүү PDF катары жүктөп алыңыз

Продукт чоо-жайы

Продукт тегдери

SiC капталган графит жарым ай бөлүгүis a ачкычжарым өткөргүчтөрдү өндүрүү процесстеринде, өзгөчө SiC эпитаксиалдык жабдуулар үчүн колдонулган компонент.Жарым айдын бөлүгүн жасоо үчүн биз патенттелген технологиябызды колдонобузабдан жогорку тазалык,жакшыкаптообирдейликжана мыкты кызмат мөөнөтү, ошондой элежогорку химиялык туруктуулук жана жылуулук туруктуулук касиеттери.

VET Energy болуп саналат theCVD каптоо менен ылайыкташтырылган графит жана кремний карбид буюмдарын чыныгы өндүрүүчүсү,камсыз кыла алатар кандайжарым өткөргүч жана фотоэлектр өнөр жайы үчүн ылайыкташтырылган тетиктер. Our техникалык командасы жогорку ата мекендик илимий-изилдөө мекемелеринен келет, көбүрөөк кесиптик материалдык чечимдерди камсыз кыла алатсен үчүн.

Биз өнүккөн материалдар менен камсыз кылуу үчүн өнүккөн процесстерди тынымсыз өнүктүрөбүз,жанаэксклюзивдүү патенттелген технологияны иштеп чыгышты, ал жабын менен субстраттын ортосундагы байланышты катуураак жана ажыратууга азыраак ыктай алат.

Fбиздин өнүмдөрдүн өзгөчөлүктөрү:

1. 1700 чейин жогорку температура кычкылданууга каршылык℃.
2. Жогорку тазалык жанатермикалык бирдейлик
3. Коррозияга мыкты туруктуулук: кислота, щелоч, туз жана органикалык реагенттер.
4. Жогорку катуулугу, компакт бети, майда бөлүкчөлөр.
5. Узак кызмат мөөнөтү жана бышык

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC негизги физикалык касиеттерикаптоо
性质 / Мүлк	典型数值 / Типтүү маани
晶体结构 / Кристалл структурасы	FCC β фазасы多晶，主要为（111）取向
密度 / Жыштыгы	3,21 г/см³
硬度 / Катуулугу	2500 维氏硬度（500г жүк）
晶粒大小 / Grain Size	2~10μm
纯度 / Химиялык тазалык	99.99995%
热容 / Жылуулук сыйымдуулугу	640 Дж·кг^-1· К^-1
升华温度 / Сублимация температурасы	2700℃
抗弯强度 / Ийилүү күчү	415 МПа РТ 4-пункту
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt ийилип, 1300 ℃
导热系数 / ТермалӨткөргүчтүк	300Вт·м^-1· К^-1
热膨胀系数 / Термикалык кеңейүү (CTE)	4,5×10^-6K^-1