Hilgirên Bingeha Grafîtê ya SiC pêçandî

SiC Ragirên Bingeha Graphite Veşartî Wêne Taybetmendî

Kurte Danasîn:

Veguheztina grafîtê ya pêgirtî ya VET Energy SiC hilberek bi performansa bilind e ku ji bo demek dirêj ve performansa domdar û pêbawer peyda dike. Ew xwedan berxwedana germê ya super baş û yekrengiya germî, paqijiya bilind, berxwedana erozyona ye, ku ew ji bo serîlêdanên hilberandina waferê çareseriyek bêkêmasî dike.

Cihê Origin:çîn

Struktura Krîstal:Qonaxa FCCβ

Density:3,21 g/cm

Serhişkî:2500 Vickers

Mezinahiya genim:2 ~ 10 μm

Paqijiya Kîmyayî:99.99995%

Kapasîteya germê:640J·kg-1·K-1

Germahiya Sublimation:2700℃

Hêza Flexural:415 Mpa (RT 4-Xal)

Modula Ciwan:430 Gpa (4pt bend, 1300℃)

Berfirehkirina Termal (CTE):4,5 10-6K-1

Germbûna germê:300 (W/MK)

E-nameyê ji me re bişînin Wekî PDF dakêşin

Detail Product

Tags Product

Hilgira grafîtê ya pêçandî ya SiC hêmanek bingehîn e ku di pêvajoyên cûda yên çêkirina nîvconductor de tê bikar anîn. Em teknolojiya xweya patentkirî bikar tînin da ku hilgira karbîd a silicon bi paqijiya pir bilind, yekrengiya pêlavê ya baş û jiyanek karûbarê hêja, û her weha berxwedana kîmyewî ya bilind û taybetmendiyên aramiya germî çêbikin.

Taybetmendiyên hilberên me:

1. Berxwedana oksîdasyona germahiya bilind heya 1700℃.
2. Paqijiya bilind û yekdestiya germî
3. Berxwedana korozyonê ya hêja: asîd, alkali, xwê û reagentên organîk.
4. Serhişkiya bilind, rûbera tevlihev, perçeyên hûr.
5. Jiyana karûbarê dirêjtir û bêtir domdar

CVD SiC薄膜基本物理性能 Taybetmendiyên fizîkî yên bingehîn ên CVD SiCrû
性质 / Taybetmendî	典型数值 / Nirxa Tîpîkî
晶体结构 / Structure Crystal	Qonaxa β FCC多晶，主要为（111).
密度 / Density	3,21 g/cm³
硬度 / Serhişkî	2500 维氏硬度 (500g bar)
晶粒大小 / Grain SiZe	2 ~ 10 μm
纯度 / Paqijiya Kîmyewî	99.99995%
热容 / Kapasîteya germê	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Germahiya Sublimation	2700℃
抗弯强度 / Hêza Flexural	415 MPa RT 4-xala
杨氏模量 / Modula Ciwan	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
导热系数 / ThermalConductivity	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Berfirehkirina Termal (CTE)	4,5×10^-6K^-1

VET Energy hilberînerê rastîn ê hilberên grafît û silicon carbide yên xwerû ye ku bi pêlên cihêreng ên mîna pêlava SiC, pêlava TaC, pêlava karbonê ya şûşî, pêlava karbonê ya pirolîtîk, hwd., dikare parçeyên cihêreng ên xwerû ji bo pîşesaziya nîvconductor û fotovoltaîk peyda bike.

Tîma meya teknîkî ji saziyên lêkolînê yên navxweyî yên top tê, dikare ji we re çareseriyên madî yên profesyoneltir peyda bike.

Em bi domdarî pêvajoyên pêşkeftî pêşdixînin da ku materyalên pêşkeftî peyda bikin, û teknolojiyek patentkirî ya bêkêmasî xebitandine, ku dikare girêdana di navbera xêz û substratê de hişktir bike û ji veqetandinê kêmtir bike.

Bi germî xêrhatina we dikin ku hûn biçin kargeha me, werin em bêtir nîqaş bikin!