PECVD Barkirina Tray Deposition Tray Graphite

PECVD Barkirina Sipsiya Depokirina Grafîte Wêneyê Taybetmendî

Kurte Danasîn:

Tepsiya Barkirinê ya PECVD ya VET Energy ji bo peydakirina ewledar û tewra piştgirî ji waferan re di dema hilweşandinê de hatî çêkirin, hevgirtin û kalîteya pêvajoya hilweşandinê baştir dike. Bi berxwedana xweya germê ya hêja, Tray Graphite arîkar dike ku hawîrdorek kontrolkirî di hundurê odeyên PECVD-ê de biparêze, xetera qirêjbûnê kêm dike û karbidestiya pêvajoyê ya bilind peyda dike.

E-nameyê ji me re bişînin Wekî PDF dakêşin

Detail Product

Tags Product

Tîpa barkirinê ya VET Energy PECVD hilgirek rast e ku ji bo pêvajoya PECVD (hilweşîna vapora kîmyewî ya zêdekirî ya plazmayê) hatî çêkirin. Ev tepsiya grafîtê depokirina qalîteya bilind ji materyalê grafîtê ya paqij-paqij û dendika bilind hatî çêkirin. Ew xwedan berxwedana germahiya bilind, berxwedana korozyonê, aramiya pîvan û taybetmendiyên din e. Ew dikare ji bo pêvajoya PECVD-ê platformek hilgirê aram peyda bike û yekrêzî û şilbûna depokirina fîlimê misoger bike.

Tîpên barkirinê yên VET Energy PECVD bi berfirehî di warên nîvconductor, fotovoltaîk, LED û yên din de têne bikar anîn. Bo nimûne:

▪ Semiconductor: Pêvajoya PECVD ji bo materyalên nîvconductor yên wekî silicon wafers and epitaxial wafers.

▪ Fotovoltaîk: Pêvajoya PECVD ji bo fîlimên nazik ên hucreya rojê.

▪ LED: Pêvajoya PECVD ji bo çîpên LED.

Avantajên Product

▪Kalîteya fîlimê çêtir bikin:Depokirina fîlimê ya yekgirtî piştrast bikin û kalîteya fîlimê baştir bikin.

▪Jiyana amûrê dirêj bikin:Berxwedana korozyonê ya hêja, jiyana karûbarê alavên PECVD dirêj dike.

▪Mesrefên hilberînê kêm bikin:Tîpên grafîtê yên qalîteya bilind dikarin rêjeya hilweşandinê kêm bikin û lêçûnên hilberînê kêm bikin.

Materyalên grafîtê ji SGL:

Parametreya tîpîk: R6510
Naverok	Test standard	Giranî	Yekbûn
Mezinahiya genim a navîn	ISO 13320	10	μm
Density Bulk	DIN IEC 60413/204	1.83	g/cm³
Poroziya vekirî	DIN66133	10	%
Mezinahiya porê navîn	DIN66133	1.8	μm
Permeability	DIN 51935	0.06	cm²/s
Serhişkiya Rockwell HR5/100	DIN IEC60413/303	90	HR
Berxwedana elektrîkê ya taybetî	DIN IEC 60413/402	13	μΩm
Hêza Flexural	DIN IEC 60413/501	60	MPa
Hêza zextê	DIN 51910	130	MPa
Modula Ciwan	DIN 51915	11,5×10³	MPa
Berfirehbûna germî (20-200℃)	DIN 51909	4.2X10^-6	K^-1
Germbûna germê (20℃)	DIN 51908	105	Wm^-1K^-1

Ew bi taybetî ji bo hilberîna hucreya tavê ya bikêrhatî hatî sêwirandin, piştgirî dide hilberandina waferê ya mezin a G12. Sêwirana hilgirê optimîzekirî bi girîngî berbi zêde dike, rêjeyên hilberîna bilind û lêçûnên hilberînê kêm dike.

Şanî	Awa	Hejmara wafer carrier
PEVCD Keştiya Grephite - Rêzeya 156	156-13 qeyikê grephite	144
	156-19 qeyikê grephite	216
	156-21 qeyikê grephite	240
	156-23 qeyikê grafît	308
PEVCD Keştiya Grephite - Rêzeya 125	125-15 qeyikê grephite	196
	125-19 qeyikê grephite	252
	125-21 qeyikê grphite	280