4 Inch GaN li ser SiC Wafer

Kurte Danasîn:

GaN-a 4-inç a VET Energy li ser wafera SiC di warê elektronîkîya hêzê de hilberek şoreşger e. Ev wafer gerîdeya germî ya bêkêmasî ya karbîdê silicon (SiC) bi dendika hêza bilind û windabûna kêm a nitridê galium (GaN) re dike yek, ku ew ji bo çêkirina amûrên bi frekansa bilind û hêza bilind vebijarkek îdeal e. Enerjiya VET bi teknolojiya pêşkeftî ya epitaxial MOCVD performansa hêja û domdariya waferê misoger dike.


Detail Product

Tags Product

Rêza hilberê ya VET Energy bi GaN-ê li ser waferên SiC ne sînorkirî ye. Em di heman demê de cûrbecûr materyalên substratê yên nîvconductor peyda dikin, di nav de Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, hwd. Wekî din, em her weha bi aktîvî materyalên nîvconductor bandgap-ê yên fireh, wek Gallium Oksîd Ga2O3 û AlN jî pêşdixin. Wafer, da ku daxwaziya pîşesaziya elektronîkî ya hêza pêşerojê ya ji bo amûrên performansa bilindtir bicîh bîne.

VET Energy karûbarên xwerû ya maqûl peyda dike, û dikare li gorî hewcedariyên taybetî yên xerîdar qatên epîtaksial ên GaN yên bi qalindiyên cihêreng, cûreyên cûda yên dopingê, û mezinahiyên cûda yên waferê xweş bike. Wekî din, em di heman demê de piştgiriya teknîkî ya profesyonel û karûbarê piştî firotanê jî peyda dikin da ku ji xerîdaran re bibin alîkar ku zû amûrên elektronîkî yên hêza performansa bilind pêşve bibin.

第6页-36
第6页-35

TAYBETÊN WAFERING

*n-Pm=n-type Pm-Pola, n-Ps=n-type Ps-Pola, Sl=Niv-lnsulasyon

Şanî

8-Inch

6-Inch

4-Inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Bow (GF3YFCD) -Nirxa Absolute

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR) -10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Beveling

SURFACE FINISH

*n-Pm=n-type Pm-Pola, n-Ps=n-type Ps-Pola, Sl=Niv-lnsulasyon

Şanî

8-Inch

6-Inch

4-Inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Dawiya Rûyê

Poloniya Optîkî ya dualî, Si- Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Edge Chips

Nabe Destûrdar (dirêj û firehî≥0.5mm)

Indents

None Permitted

Xirîn (Si-Face)

Qty.≤5,Kumulative
Dirêjahî≤0,5× qiymeta wafer

Qty.≤5,Kumulative
Dirêjahî≤0,5× qiymeta wafer

Qty.≤5,Kumulative
Dirêjahî≤0,5× qiymeta wafer

Cracks

None Permitted

Edge Exclusion

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Pêşî:
  • Piştî:

  • WhatsApp Online Chat!