មូលដ្ឋានក្រាហ្វិចដែលស្រោបដោយ SiC ត្រូវបានគេប្រើជាទូទៅដើម្បីគាំទ្រ និងកំដៅស្រទាប់ខាងក្រោមគ្រីស្តាល់តែមួយនៅក្នុងឧបករណ៍បំភាយឧស្ម័នគីមីសរីរាង្គ (MOCVD) ។ ស្ថេរភាពកម្ដៅ ឯកសណ្ឋានកម្ដៅ និងប៉ារ៉ាម៉ែត្រដំណើរការផ្សេងទៀតនៃមូលដ្ឋានក្រាហ្វិចដែលស្រោបដោយ SiC ដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់ក្នុងគុណភាពនៃការលូតលាស់នៃសម្ភារៈអេពីតាស៊ីល ដូច្នេះវាគឺជាធាតុផ្សំសំខាន់នៃឧបករណ៍ MOCVD ។
នៅក្នុងដំណើរការនៃការផលិត wafer ស្រទាប់ epitaxial ត្រូវបានសាងសង់បន្ថែមទៀតនៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម wafer មួយចំនួនដើម្បីជួយសម្រួលដល់ការផលិតឧបករណ៍។ ឧបករណ៍បញ្ចេញពន្លឺ LED ធម្មតាត្រូវរៀបចំស្រទាប់ epitaxial នៃ GaAs នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុន។ ស្រទាប់ SiC epitaxial ត្រូវបានដាំដុះនៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម SiC conductive សម្រាប់ការសាងសង់ឧបករណ៍ដូចជា SBD, MOSFET ជាដើម សម្រាប់តង់ស្យុងខ្ពស់ ចរន្តខ្ពស់ និងកម្មវិធីថាមពលផ្សេងៗទៀត។ ស្រទាប់ epitaxial GaN ត្រូវបានសាងសង់នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម SiC ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ ដើម្បីសាងសង់បន្ថែម HEMT និងឧបករណ៍ផ្សេងទៀតសម្រាប់កម្មវិធី RF ដូចជាទំនាក់ទំនង។ ដំណើរការនេះគឺមិនអាចបំបែកចេញពីឧបករណ៍ CVD បានទេ។
នៅក្នុងគ្រឿងបរិក្ខារ CVD ស្រទាប់ខាងក្រោមមិនអាចដាក់ដោយផ្ទាល់លើលោហៈ ឬគ្រាន់តែដាក់នៅលើមូលដ្ឋានសម្រាប់ការបំភាយ epitaxial ទេព្រោះវាពាក់ព័ន្ធនឹងលំហូរឧស្ម័ន (ផ្ដេក បញ្ឈរ) សីតុណ្ហភាព សម្ពាធ ការជួសជុល ការបញ្ចេញជាតិពុល និងទិដ្ឋភាពផ្សេងទៀតនៃ កត្តាឥទ្ធិពល។ ដូច្នេះចាំបាច់ត្រូវប្រើមូលដ្ឋាន ហើយបន្ទាប់មកដាក់ស្រទាប់ខាងក្រោមនៅលើឌីស ហើយបន្ទាប់មកប្រើបច្ចេកវិទ្យា CVD ដើម្បីដាក់ epitaxial deposition នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម ដែលជា SiC coated graphite base (ដែលគេស្គាល់ថាជាថាស)។
មូលដ្ឋានក្រាហ្វិចដែលស្រោបដោយ SiC ត្រូវបានគេប្រើជាទូទៅដើម្បីគាំទ្រ និងកំដៅស្រទាប់ខាងក្រោមគ្រីស្តាល់តែមួយនៅក្នុងឧបករណ៍បំភាយឧស្ម័នគីមីសរីរាង្គ (MOCVD) ។ ស្ថេរភាពកម្ដៅ ឯកសណ្ឋានកម្ដៅ និងប៉ារ៉ាម៉ែត្រដំណើរការផ្សេងទៀតនៃមូលដ្ឋានក្រាហ្វិចដែលស្រោបដោយ SiC ដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់ក្នុងគុណភាពនៃការលូតលាស់នៃសម្ភារៈអេពីតាស៊ីល ដូច្នេះវាគឺជាធាតុផ្សំសំខាន់នៃឧបករណ៍ MOCVD ។
ការបំភាយឧស្ម័នគីមីសរីរាង្គ (MOCVD) គឺជាបច្ចេកវិទ្យាចម្បងសម្រាប់ការលូតលាស់ epitaxial នៃខ្សែភាពយន្ត GaN នៅក្នុង LED ពណ៌ខៀវ។ វាមានគុណសម្បត្តិនៃប្រតិបត្តិការសាមញ្ញ អត្រាកំណើនដែលអាចគ្រប់គ្រងបាន និងភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់នៃខ្សែភាពយន្ត GaN ។ ក្នុងនាមជាធាតុផ្សំដ៏សំខាន់នៅក្នុងអង្គជំនុំជម្រះប្រតិកម្មនៃឧបករណ៍ MOCVD មូលដ្ឋានសត្វខ្លាឃ្មុំដែលប្រើសម្រាប់ការលូតលាស់ epitaxial ខ្សែភាពយន្ត GaN ចាំបាច់ត្រូវមានគុណសម្បត្តិនៃភាពធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ចរន្តកំដៅឯកសណ្ឋាន ស្ថេរភាពគីមីល្អ ធន់នឹងការឆក់កម្ដៅខ្លាំង។ល។ សម្ភារៈក្រាហ្វិចអាចបំពេញបាន។ លក្ខខណ្ឌខាងលើ។
ក្នុងនាមជាធាតុផ្សំស្នូលមួយនៃឧបករណ៍ MOCVD មូលដ្ឋានក្រាហ្វិចគឺជាក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូន និងកំដៅនៃស្រទាប់ខាងក្រោម ដែលកំណត់ដោយផ្ទាល់នូវឯកសណ្ឋាន និងភាពបរិសុទ្ធនៃសម្ភារៈខ្សែភាពយន្ត ដូច្នេះគុណភាពរបស់វាប៉ះពាល់ដោយផ្ទាល់ដល់ការរៀបចំសន្លឹក epitaxial ហើយក្នុងពេលតែមួយ ពេលវេលាជាមួយនឹងការកើនឡើងនៃចំនួននៃការប្រើប្រាស់និងការផ្លាស់ប្តូរលក្ខខណ្ឌការងារវាងាយស្រួលណាស់ក្នុងការពាក់ដែលជាកម្មសិទ្ធិរបស់ឧបករណ៍ប្រើប្រាស់។
ទោះបីជាក្រាហ្វិចមានចរន្តកំដៅ និងស្ថេរភាពដ៏ល្អឥតខ្ចោះក៏ដោយ វាមានគុណសម្បត្តិល្អជាសមាសធាតុមូលដ្ឋាននៃឧបករណ៍ MOCVD ប៉ុន្តែនៅក្នុងដំណើរការផលិត ក្រាហ្វិចនឹងរលួយម្សៅដោយសារតែសំណល់នៃឧស្ម័ន corrosive និងសារធាតុសរីរាង្គលោហធាតុ និងអាយុកាលសេវាកម្មរបស់ មូលដ្ឋានក្រាហ្វិចនឹងត្រូវបានកាត់បន្ថយយ៉ាងខ្លាំង។ ក្នុងពេលជាមួយគ្នានោះម្សៅក្រាហ្វិចដែលធ្លាក់ចុះនឹងបណ្តាលឱ្យមានការបំពុលដល់បន្ទះឈីប។
ការលេចចេញនៃបច្ចេកវិជ្ជាថ្នាំកូតអាចផ្តល់នូវការជួសជុលម្សៅលើផ្ទៃ បង្កើនចរន្តកំដៅ និងចែកចាយកំដៅស្មើៗគ្នា ដែលបានក្លាយជាបច្ចេកវិទ្យាចម្បងក្នុងការដោះស្រាយបញ្ហានេះ។ មូលដ្ឋានក្រាហ្វិចនៅក្នុងបរិស្ថានប្រើប្រាស់ឧបករណ៍ MOCVD ថ្នាំកូតផ្ទៃក្រាហ្វិចគួរតែបំពេញតាមលក្ខណៈដូចខាងក្រោមៈ
(1) មូលដ្ឋានក្រាហ្វិចអាចត្រូវបានរុំយ៉ាងពេញលេញហើយដង់ស៊ីតេគឺល្អបើមិនដូច្នេះទេមូលដ្ឋានក្រាហ្វីតងាយនឹងរលួយនៅក្នុងឧស្ម័នដែលច្រេះ។
(2) កម្លាំងរួមបញ្ចូលគ្នាជាមួយនឹងមូលដ្ឋានក្រាហ្វិចគឺខ្ពស់ដើម្បីធានាថាថ្នាំកូតមិនងាយនឹងធ្លាក់ចុះបន្ទាប់ពីសីតុណ្ហភាពខ្ពស់និងសីតុណ្ហភាពទាបជាច្រើនវដ្ត។
(3) វាមានស្ថេរភាពគីមីល្អដើម្បីជៀសវាងការបរាជ័យនៃថ្នាំកូតនៅក្នុងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់និងបរិយាកាស corrosive ។
SiC មានគុណសម្បត្តិនៃភាពធន់នឹងច្រេះ ចរន្តកំដៅខ្ពស់ ធន់នឹងការឆក់កម្ដៅ និងស្ថេរភាពគីមីខ្ពស់ ហើយអាចដំណើរការបានយ៉ាងល្អនៅក្នុងបរិយាកាស GaN epitaxial ។ លើសពីនេះទៀតមេគុណពង្រីកកំដៅនៃ SiC ខុសគ្នាតិចតួចពីក្រាហ្វិតដូច្នេះ SiC គឺជាសម្ភារៈដែលពេញចិត្តសម្រាប់ថ្នាំកូតផ្ទៃនៃមូលដ្ឋានក្រាហ្វិច។
នាពេលបច្ចុប្បន្ន SiC ទូទៅគឺភាគច្រើនជាប្រភេទ 3C, 4H និង 6H ហើយការប្រើប្រាស់ SiC នៃប្រភេទគ្រីស្តាល់គឺខុសគ្នា។ ឧទាហរណ៍ 4H-SiC អាចផលិតឧបករណ៍ដែលមានថាមពលខ្ពស់; 6H-SiC មានស្ថេរភាពបំផុត និងអាចផលិតឧបករណ៍ photoelectric ។ ដោយសារតែរចនាសម្ព័ន្ធរបស់វាស្រដៀងទៅនឹង GaN 3C-SiC អាចត្រូវបានប្រើដើម្បីផលិតស្រទាប់ GaN epitaxial និងផលិតឧបករណ៍ SiC-GaN RF ។ 3C-SiC ត្រូវបានគេស្គាល់ជាទូទៅថាជា β-SiC ហើយការប្រើប្រាស់ដ៏សំខាន់នៃ β-SiC គឺដូចជាខ្សែភាពយន្ត និងសម្ភារៈថ្នាំកូត ដូច្នេះបច្ចុប្បន្ន β-SiC គឺជាសម្ភារៈសំខាន់សម្រាប់ថ្នាំកូត។
ពេលវេលាផ្សាយ៖ សីហា-០៤-២០២៣