SiC қапталған графит жарты ай бөлігіis a кілтжартылай өткізгіштерді өндіру процестерінде, әсіресе SiC эпитаксистік жабдық үшін қолданылатын компонент.Жарты ай бөлігін жасау үшін біз патенттелген технологиямызды қолданамызөте жоғары тазалық,жақсыжабынбіркелкілігіжәне тамаша қызмет ету мерзімі, сонымен қатаржоғары химиялық тұрақтылық және термиялық тұрақтылық қасиеттері.
VET Energy – бұл theCVD жабыны бар арнайы графит пен кремний карбид өнімдерін нақты өндіруші,қамтамасыз ете аладыәртүрліжартылай өткізгіш және фотоэлектрлік өнеркәсіпке арналған теңшелген бөлшектер. OСіздің техникалық командаңыз отандық жетекші ғылыми-зерттеу институттарынан келеді, кәсіби материалды шешімдерді ұсына аладысен үшін.
Біз жетілдірілген материалдармен қамтамасыз ету үшін үздіксіз процестерді дамытамыз,жәнежабын мен субстрат арасындағы байланыстыруды күшейтетін және ажырауға бейімділігін арттыратын эксклюзивті патенттелген технологияны әзірледі.
Fбіздің өнімдеріміздің ерекшеліктері:
1. 1700 дейін жоғары температураның тотығуға төзімділігі℃.
2. Жоғары тазалық жәнежылу біркелкілігі
3. Коррозияға тамаша төзімділік: қышқыл, сілті, тұз және органикалық реагенттер.
4. Жоғары қаттылық, ықшам беті, ұсақ бөлшектер.
5. Қызмет ету мерзімі ұзағырақ және берік
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC негізгі физикалық қасиеттеріжабын | |
| 性质 / Меншік | 典型数值 / Типтік мән |
| 晶体结构 / Кристалл құрылымы | FCC β фазасы多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Тығыздығы | 3,21 г/см³ |
| 硬度 / Қаттылық | 2500 维氏硬度（500г жүктеме） |
| 晶粒大小 / Дән өлшемі | 2~10мкм |
| 纯度 / Химиялық тазалық | 99,99995% |
| 热容 / Жылу сыйымдылығы | 640 Дж·кг-1· Қ-1 |
| 升华温度 / Сублимация температурасы | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Иілу күші | 415 МПа RT 4-нүкте |
| 杨氏模量 / Янг модулі | 430 Gpa 4pt иілісі, 1300℃ |
| 导热系数 / ТермалӨткізгіштік | 300Вт·м-1· Қ-1 |
| 热膨胀系数 / Жылулық кеңею (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Сізді біздің зауытқа келуге шақырамыз, әрі қарай талқылайық!
