Кремний негізіндегі GaN эпитаксиясы

Қысқаша сипаттама:


  • Шығу орны:Қытай
  • Кристалл құрылымы:FCCβфазасы
  • Тығыздығы:3,21 г/см
  • Қаттылық:2500 Викер
  • Астық мөлшері:2~10мкм
  • Химиялық тазалығы:99,99995%
  • Жылу сыйымдылығы:640Дж·кг-1·К-1
  • Сублимация температурасы:2700℃
  • Жібек күші:415 Мпа (RT 4 нүкте)
  • Жас модулі:430 Gpa (4pt иілу, 1300℃)
  • Термиялық кеңею (CTE):4,5 10-6К-1
  • Жылу өткізгіштік:300 (Вт/мК)
  • Өнімнің егжей-тегжейі

    Өнім тегтері

    Өнім сипаттамасы

    Біздің компания графит, керамика және басқа да материалдардың бетіне CVD әдісімен SiC жабынымен жабу процесін қамтамасыз етеді, осылайша көміртегі мен кремнийі бар арнайы газдар жоғары температурада әрекеттеседі, жоғары таза SiC молекулаларын, қапталған материалдардың бетіне тұндырылған молекулаларды, SIC қорғаныс қабатын құрайды.

    Негізгі ерекшеліктері:

    1. Жоғары температурадағы тотығуға төзімділігі:

    температура 1600 C дейін жоғары болған кезде тотығуға төзімділік әлі де өте жақсы.

    2. Жоғары тазалық: жоғары температурада хлорлау жағдайында химиялық бу тұндыру арқылы жасалған.

    3. Эрозияға төзімділік: жоғары қаттылық, ықшам беті, ұсақ бөлшектер.

    4. Коррозияға төзімділік: қышқыл, сілті, тұз және органикалық реагенттер.

    CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары

    SiC-CVD қасиеттері

    Кристалл құрылымы FCC β фазасы
    Тығыздығы г/см³ 3.21
    Қаттылық Викерс қаттылығы 2500
    Астық мөлшері мкм 2~10
    Химиялық тазалық % 99.99995
    Жылу сыйымдылығы Дж·кг-1 ·К-1 640
    Сублимация температурасы 2700
    Фелексальды күш МПа (RT 4-нүкте) 415
    Жас модулі Gpa (4pt иілу, 1300℃) 430
    Термиялық кеңею (CTE) 10-6К-1 4.5
    Жылу өткізгіштік (Вт/мК) 300

     

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Алдыңғы:
  • Келесі:

  • WhatsApp онлайн чаты!