8 дюймдік P типті кремний пластинасы

8 дюймдік P типті кремний вафли таңдаулы кескіні

Қысқаша сипаттама:

VET Energy компаниясының үздік белгісі болып табылатын 8 дюймдік P типті кремний пластинасының премиум классымен таныстыру. P-типті допинг профилі бар бұл ерекше пластинка сапа мен өнімділіктің ең жоғары стандарттарына сай болу үшін мұқият жасалған.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз PDF ретінде жүктеп алыңыз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

VET Energy компаниясының 8 дюймдік P типті кремний пластинасы - күн батареяларын, MEMS құрылғыларын және интегралды схемаларды қоса алғанда, жартылай өткізгіш қолданбалардың кең ауқымына арналған жоғары өнімді кремний пластинасы. Тамаша электр өткізгіштігімен және тұрақты өнімділігімен танымал бұл вафли сенімді және тиімді электронды компоненттерді шығарғысы келетін өндірушілер үшін таңдаулы таңдау болып табылады. VET Energy құрылғыны оңтайлы жасау үшін дәл допинг деңгейлерін және жоғары сапалы бетті өңдеуді қамтамасыз етеді.

Бұл 8 дюймдік P типті кремний пластиналары SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate сияқты әртүрлі материалдармен толық үйлесімді және Epi Wafer өсіруге жарамды, жетілдірілген жартылай өткізгіштерді өндіру процестерінің әмбебаптығын қамтамасыз етеді. Вафлиді Галий оксиді Ga2O3 және AlN Wafer сияқты басқа жоғары технологиялық материалдармен бірге қолдануға болады, бұл оларды келесі буын электрондық қосымшалар үшін өте қолайлы етеді. Олардың берік дизайны сонымен қатар кассетаға негізделген жүйелерге біркелкі сәйкес келеді, бұл өнімді және жоғары көлемді өндірісті өңдеуді қамтамасыз етеді.

VET Energy тұтынушыларға вафельді шешімдерді ұсынады. Біз әр түрлі кедергісі, оттегі мөлшері, қалыңдығы және т.б. бар вафлилерді тұтынушылардың нақты қажеттіліктеріне сәйкес реттей аламыз. Сонымен қатар, біз тұтынушыларға өндіріс процесінде кездесетін әртүрлі мәселелерді шешуге көмектесу үшін кәсіби техникалық қолдау мен сатудан кейінгі қызмет көрсетеміз.

ВАФЕРИ СИПАТТАМАЛАРЫ

*n-Pm=n-түрі Pm-сынып, n-Ps=n-түрі Ps-сынып, Sl=Жартылай оқшаулағыш

Элемент	8 дюйм	6 дюйм			4 дюйм
Элемент	nP	n-PM	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Садақ(GF3YFCD)-Абсолютті мән	≤15мкм	≤15мкм	≤25μm		≤15мкм
Бұрмалау(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40мкм		≤25μm
LTV(SBIR) -10ммx10мм	<2мкм
Вафли жиегі	Бұрғылау

БЕТТЕРДІ БЕРУ

*n-Pm=n-түрі Pm-сынып, n-Ps=n-түрі Ps-сынып, Sl=Жартылай оқшаулағыш

Элемент	8 дюйм	6 дюйм			4 дюйм
	nP	n-PM	n-Ps	SI	SI
Беткі әрлеу	Екі жақты оптикалық поляк, Si-Face CMP
Бетінің кедір-бұдырлығы	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2нм C-Face Ra≤ 0,5 нм			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2нм C-Face Ra≤0,5нм
Жиек чиптері	Ешқайсысы рұқсат етілмейді (ұзындығы мен ені≥0,5мм)
Шегіністер	Ешқайсысы рұқсат етілмейді
Сызаттар (Si-Face)	Саны.≤5,Кумуляциялық Ұзындығы≤0,5×вафли диаметрі	Саны.≤5,Кумуляциялық Ұзындығы≤0,5×вафли диаметрі			Саны.≤5,Кумуляциялық Ұзындығы≤0,5×вафли диаметрі
Жарықтар	Ешқайсысы рұқсат етілмейді
Жиекті алып тастау	3мм