აგლომერირებული სილიციუმის კარბიდი Sic კრისტალი / ვაფლის ნავი

მოკლე აღწერა:

ჩვენი აგლომერირებული სილიკონის კარბიდი (SiC) კრისტალი/ვაფლის ნავი შექმნილია ნახევარგამტარების წარმოებაში სიზუსტისთვის. განსაკუთრებული თერმული სტაბილურობით, ქიმიური წინააღმდეგობით და მექანიკური სიძლიერით, ეს ნავი უზრუნველყოფს კრისტალების და ვაფლის უსაფრთხო და ეფექტურ ტრანსპორტირებას მაღალტემპერატურულ პროცესებში.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

The Sinteredსილიკონის კარბიდი (SiC)კრისტალი/ვაფლის ნავიგანკუთვნილია ნახევარგამტარული და მიკროელექტრონული ინდუსტრიების მკაცრი მოთხოვნებისთვის. ის უზრუნველყოფს უსაფრთხო პლატფორმას სილიკონის კრისტალებისა და ვაფლის დასამუშავებლად მაღალტემპერატურული დამუშავების დროს, რაც უზრუნველყოფს მათ მთლიანობასა და სისუფთავეს შენარჩუნებას.

ძირითადი მახასიათებლები

გამორჩეული თერმული სტაბილურობა: შეუძლია გაუძლოს ტემპერატურას 1600°C-მდე, იდეალურია პროცესებისთვის, რომლებიც საჭიროებენ ზუსტ თერმულ კონტროლს.
უმაღლესი ქიმიური წინააღმდეგობა: მდგრადია უმეტესი კოროზიული ქიმიკატებისა და გაზების მიმართ, რაც უზრუნველყოფს გამძლეობას მკაცრი დამუშავების გარემოში.
ძლიერი მექანიკური სიმტკიცე: ინარჩუნებს სტრუქტურულ მთლიანობას მაღალი სტრესის პირობებში, ამცირებს დეფორმაციის ან მსხვრევის ალბათობას.
მინიმალური თერმული გაფართოება: შექმნილია თერმული შოკისა და ბზარების რისკის შესამცირებლად, რაც უზრუნველყოფს საიმედო შესრულებას ხანგრძლივი გამოყენებისას.
ზუსტი წარმოება: დამზადებულია მაღალი სიზუსტით კონკრეტული პროცესის მოთხოვნების დასაკმაყოფილებლად და სხვადასხვა კრისტალების და ვაფლის ზომების დასაკმაყოფილებლად.

აპლიკაციები

• ნახევარგამტარული ვაფლის დამუშავება

• LED წარმოება

• ფოტოელექტრული უჯრედების წარმოება

• ქიმიური ორთქლის დეპონირების (CVD) სისტემები

• კვლევა და განვითარება მატერიალურ მეცნიერებაში

烧结碳化硅物理特性 -ის ფიზიკური თვისებებიSდაინტერესდაSილიკონიCარბიდი
性质 / საკუთრება	典型数值 / ტიპიური მნიშვნელობა
化学成分 / ქიმიურიკომპოზიცია	SiC>95%, Si<5%
თქვენ密度 / ნაყარი სიმჭიდროვე	>3.07 გ/სმ³
显气孔率/ აშკარა ფორიანობა აშკარა ფორიანობა	<0.1%
常温抗弯强度/ რღვევის მოდული 20℃	270 მპა
高温抗弯强度/ რღვევის მოდული 1200℃	290მპა
硬度/ სიხისტე 20℃	2400 კგ/მმ²
断裂韧性/ მოტეხილობის სიმტკიცე 20%	3.3მპა · მ^1/2
导热系数/ თბოგამტარობა 1200℃-ზე	45w/m .K
热膨胀系数/ თერმული გაფართოება 20-1200℃	4.51 × 10^-6/℃
最高工作温度/ მაქს.სამუშაო ტემპერატურა	1400℃
热震稳定性/ თერმული შოკის წინააღმდეგობა 1200℃	კარგი

რატომ ავირჩიოთ ჩვენი აგლომერირებული სილიკონის კარბიდი (SiC) ბროლის/ვაფლის ნავი?

ჩვენი SiC Crystal/Wafer Boat-ის არჩევა ნიშნავს საიმედოობის, ეფექტურობისა და ხანგრძლივობის არჩევას. თითოეული ნავი გადის ხარისხის კონტროლის მკაცრ ზომებს, რათა უზრუნველყოს იგი ინდუსტრიის უმაღლეს სტანდარტებს. ეს პროდუქტი არა მხოლოდ აძლიერებს თქვენი წარმოების პროცესის უსაფრთხოებას და პროდუქტიულობას, არამედ უზრუნველყოფს თქვენი სილიკონის კრისტალების და ვაფლის თანმიმდევრულ ხარისხს. ჩვენი SiC Crystal/Wafer Boat-ით შეგიძლიათ ენდოთ გადაწყვეტას, რომელიც მხარს უჭერს თქვენს ოპერატიულ სრულყოფილებას.