რეკრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდის თვისებები
ხელახალი კრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდი (R-SiC) არის მაღალი ხარისხის მასალა, სიხისტით მეორე მხოლოდ ალმასის შემდეგ, რომელიც იქმნება 2000℃-ზე მაღალ ტემპერატურაზე.ის ინარჩუნებს SiC-ის ბევრ შესანიშნავ თვისებას, როგორიცაა მაღალი ტემპერატურის სიძლიერე, ძლიერი კოროზიის წინააღმდეგობა, შესანიშნავი დაჟანგვის წინააღმდეგობა, კარგი თერმული შოკის წინააღმდეგობა და ა.შ.
● შესანიშნავი მექანიკური თვისებები.რეკრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდს აქვს უფრო მაღალი სიმტკიცე და სიმტკიცე, ვიდრე ნახშირბადის ბოჭკოვანი, მაღალი ზემოქმედების წინააღმდეგობა, შეუძლია კარგი შესრულება ექსტრემალურ ტემპერატურულ გარემოში, შეუძლია უკეთეს კონტრაბალანსის შესრულება სხვადასხვა სიტუაციებში.გარდა ამისა, მას ასევე აქვს კარგი მოქნილობა და ადვილად არ ზიანდება დაჭიმვისა და მოხრის შედეგად, რაც მნიშვნელოვნად აუმჯობესებს მის შესრულებას.
● მაღალი კოროზიის წინააღმდეგობა.რეკრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდს აქვს მაღალი კოროზიის წინააღმდეგობა სხვადასხვა მედიის მიმართ, შეუძლია თავიდან აიცილოს სხვადასხვა კოროზიული მედიის ეროზია, შეუძლია შეინარჩუნოს თავისი მექანიკური თვისებები დიდი ხნის განმავლობაში, აქვს ძლიერი ადჰეზია, ისე, რომ მას აქვს უფრო ხანგრძლივი მომსახურების ვადა.გარდა ამისა, მას ასევე აქვს კარგი თერმული სტაბილურობა, შეუძლია მოერგოს ტემპერატურის ცვლილებების გარკვეულ დიაპაზონს, გააუმჯობესოს მისი გამოყენების ეფექტი.
● შედუღება არ იკუმშება.იმის გამო, რომ აგლომერაციის პროცესი არ იკუმშება, ნარჩენი სტრესი არ გამოიწვევს პროდუქტის დეფორმაციას ან გახეთქვას და რთული ფორმისა და მაღალი სიზუსტის მქონე ნაწილების მომზადება შესაძლებელია.
| 重结晶碳化硅物理特性 რეკრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდის ფიზიკური თვისებები | |
| 性质 / საკუთრება | 典型数值 / ტიპიური მნიშვნელობა |
| 使用温度/ სამუშაო ტემპერატურა (°C) | 1600°C (ჟანგბადით), 1700°C (შემცირების გარემო) |
| SiC含量/ SiC შინაარსი | > 99.96% |
| 自由Si含量/ უფასო Si კონტენტი | < 0.1% |
| 体积密度/Მოცულობითი წონა | 2,60-2,70 გ/სმ3 |
| 气孔率/ აშკარა ფორიანობა | < 16% |
| 抗压强度/ შეკუმშვის სიძლიერე | > 600მპა |
| 常温抗弯强度/ცივი მოღუნვის ძალა | 80-90 მპა (20°C) |
| 高温抗弯强度ცხელი მოღუნვის ძალა | 90-100 მპა (1400°C) |
| 热膨胀系数/ თერმული გაფართოება @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/თბოგამტარობა @1200°C | 23ვ/მ•K |
| 杨氏模量/ ელასტიური მოდული | 240 გპა |
| 抗热震性/ თერმული შოკის წინააღმდეგობა | უაღრესად კარგი |
VET Energy არის პერსონალურად მორგებული გრაფიტის და სილიციუმის კარბიდის პროდუქტების CVD საფარის ნამდვილი მწარმოებელი, შეუძლია მიაწოდოს სხვადასხვა მორგებული ნაწილები ნახევარგამტარული და ფოტოელექტრული ინდუსტრიისთვის.ჩვენი ტექნიკური გუნდი მოდის საუკეთესო შიდა კვლევითი ინსტიტუტებიდან, შეუძლია მოგაწოდოთ უფრო პროფესიონალური მატერიალური გადაწყვეტილებები თქვენთვის.
ჩვენ განუწყვეტლივ ვავითარებთ მოწინავე პროცესებს უფრო მოწინავე მასალების უზრუნველსაყოფად და შევიმუშავეთ ექსკლუზიური დაპატენტებული ტექნოლოგია, რომელსაც შეუძლია საფარსა და სუბსტრატს შორის კავშირი უფრო მჭიდროდ და ნაკლებად მიდრეკილი გახადოს მოწყვეტისკენ.
კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს ქარხანაში, მოდით ვისაუბროთ შემდგომში!
-
CVD სილიკონის კარბიდის საფარი MOCVD Susceptor
-
ტანტალის კარბიდის საფარი: აცვიათ მდგრადი, მაღალი...
-
TaC დაფარული გრაფიტის ხუფების მწარმოებელი
-
მაღალი ხარისხის ტანტალის კარბიდის მილი SiC Crys-ისთვის...
-
ტანტალის კარბიდით დაფარული მგრძნობელობა ვაფლისთვის
-
SiC დაფარული ნახევარმთვარის ნაწილის ბარაბანი გამოყენებული SiC Epita-ში...