მორგებული მაღალი სისუფთავის SiC დაფარული გრაფიტის გამათბობელი გამაცხელებელი ელემენტი

მორგებული მაღალი სისუფთავის SiC დაფარული გრაფიტის გამათბობელი გათბობის ელემენტის გამორჩეული სურათი

მოკლე აღწერა:

გრაფიტის გამათბობელი არის ერთგვარი ელექტრო გამაცხელებელი მასალა, რომელიც გამოიმუშავებს სითბოს გრაფიტის მასალის ელექტროდ გაცხელებით, ჩვეულებრივ, გრაფიტისა და კერამიკისგან. მის ტალღოვან სტრუქტურას შეუძლია ეფექტურად გაანადგუროს სითბო და ფართოდ გამოიყენება ინდუსტრიაში, მშენებლობაში, სოფლის მეურნეობაში და ყოველდღიურ ცხოვრებაში. კარგი თბოგამტარობისა და მაღალი ტემპერატურის სტაბილურობის გამო, გრაფიტის გამაცხელებელი ელემენტი ფართოდ გამოიყენება ინდუსტრიაში.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

გრაფიტის გამათბობლის ძირითადი მახასიათებლები:

1. გათბობის სტრუქტურის ერთგვაროვნება.

2. კარგი ელექტროგამტარობა და მაღალი ელექტრული დატვირთვა.

3. კოროზიის წინააღმდეგობა.

4. inoxidizability.

5. მაღალი ქიმიური სისუფთავე.

6. მაღალი მექანიკური სიმტკიცე.

უპირატესობა არის ენერგოეფექტური, მაღალი ღირებულება და დაბალი შენარჩუნება. ჩვენ შეგვიძლია ვაწარმოოთ ანტიოქსიდანტური და გრძელვადიანი გრაფიტის ჭურჭელი, გრაფიტის ყალიბი და გრაფიტის გამათბობლის ყველა ნაწილი.

გრაფიტის გამათბობლის ძირითადი პარამეტრები

ტექნიკური სპეციფიკაცია	Semicera-M3
სიმჭიდროვე (გ/სმ3)	≥1.85
ნაცრის შემცველობა (PPM)	≤500
ნაპირის სიმტკიცე	≥45
სპეციფიკური წინააღმდეგობა (μ.Ω.მ)	≤12
მოქნილობის სიძლიერე (Mpa)	≥40
კომპრესიული სიძლიერე (Mpa)	≥70
მაქს. მარცვლის ზომა (μm)	≤43
თერმული გაფართოების კოეფიციენტი Mm/°C	≤4.4*10-6

VET ენერგია არის Theმორგებული გრაფიტისა და სილიციუმის კარბიდის პროდუქტების რეალური მწარმოებელი CVD საფარით,შეუძლია მიაწოდოსსხვადასხვამორგებული ნაწილები ნახევარგამტარული და ფოტოელექტრული ინდუსტრიისთვის. Oჩვენი ტექნიკური გუნდი მოდის საუკეთესო ადგილობრივი კვლევითი ინსტიტუტებიდან, შეუძლია უზრუნველყოს უფრო პროფესიონალური მატერიალური გადაწყვეტილებებიშენთვის.

ჩვენ მუდმივად ვავითარებთ მოწინავე პროცესებს უფრო მოწინავე მასალების უზრუნველსაყოფად,დაშეიმუშავეს ექსკლუზიური დაპატენტებული ტექნოლოგია, რომელსაც შეუძლია საფარსა და სუბსტრატს შორის შემაკავშირებელი უფრო მჭიდრო და ნაკლებად მიდრეკილი გახადოს მოწყვეტა.

Fჩვენი პროდუქციის მახასიათებლები:

1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა 1700-მდე℃.
2. მაღალი სისუფთავე დათერმული ერთგვაროვნება
3. შესანიშნავი კოროზიის წინააღმდეგობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.
4. მაღალი სიხისტე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.
5. ხანგრძლივი მომსახურების ვადა და უფრო გამძლე

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ის ძირითადი ფიზიკური თვისებებისაფარი
性质 / საკუთრება	典型数值 / ტიპიური მნიშვნელობა
晶体结构 / კრისტალური სტრუქტურა	FCC β ფაზა多晶，主要为（111 წელი
密度 / სიმჭიდროვე	3.21 გ/სმ³
硬度 / სიხისტე	2500 × 500 გრ დატვირთვა)
晶粒大小 / მარცვლეულის ზომა	2 ~ 10 მკმ
纯度 / ქიმიური სისუფთავე	99.99995%
热容 / სითბოს სიმძლავრე	640 J· კგ^-1· კ^-1
升华温度 / სუბლიმაციის ტემპერატურა	2700℃
抗弯强度 / Flexural Strength	415 MPa RT 4-პუნქტიანი
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt მოსახვევი, 1300℃
导热系数 / თერმალგამტარობა	300 W · მ^-1· კ^-1
热膨胀系数 / თერმული გაფართოება (CTE)	4.5×10^-6K^-1