ხარისხის შემოწმება ჩინეთის სამრეწველო პოლიკრისტალური ალმასის ფხვნილისთვის 3-6 მმ საფირონის ვაფლისთვის

მოკლე აღწერა:


  • წარმოშობის ადგილი:ჩინეთი
  • კრისტალური სტრუქტურა:FCCβ ფაზა
  • სიმკვრივე:3,21 გ/სმ;
  • სიმტკიცე:2500 ვიკერსი;
  • მარცვლეულის ზომა:2~10μm;
  • ქიმიური სისუფთავე:99,99995%;
  • სითბოს სიმძლავრე:640J·კგ-1·K-1;
  • სუბლიმაციის ტემპერატურა:2700℃;
  • ფელექსორული სიძლიერე:415 Mpa (RT 4-Point);
  • იანგის მოდული:430 Gpa (4pt მოსახვევი, 1300℃);
  • თერმული გაფართოება (CTE):4.5 10-6K-1;
  • თბოგამტარობა:300 (W/MK);
  • პროდუქტის დეტალი

    პროდუქტის ტეგები

    "გულწრფელობა, ინოვაცია, სიმკაცრე და ეფექტურობა" არის ჩვენი კომპანიის მუდმივი კონცეფცია გრძელვადიან პერსპექტივაში, რათა განვითარდეს მომხმარებლებთან ერთად ორმხრივი ურთიერთობისა და ორმხრივი სარგებლობისთვის ხარისხის ინსპექტირებისთვის ჩინეთის სამრეწველო პოლიკრისტალურისთვის.ალმასის ფხვნილი3-6 მმ საფირონ ვაფლისთვის, ჩვენ დარწმუნებულნი ვართ, რომ შეგვეძლო შესთავაზოთ მაღალი ხარისხის პროდუქტები და გადაწყვეტილებები მაღაზიის ფასად, უმაღლესი გაყიდვების შემდგომი მხარდაჭერა მყიდველებისთვის. და ჩვენ ავაშენებთ ენერგიულ გრძელვადიან პერსპექტივას.
    „გულწრფელობა, ინოვაცია, სიმკაცრე და ეფექტურობა“ არის ჩვენი კომპანიის მუდმივი კონცეფცია გრძელვადიან პერსპექტივაში, რათა განვითარდეს მომხმარებლებთან ერთად ორმხრივი ურთიერთობისა და ორმხრივი სარგებლისთვის.ჩინეთის სინთეტიკური ბრილიანტი, ალმასის ფხვნილი, ჩვენ ყოველთვის დაჟინებით ვითხოვთ მენეჯმენტის პრინციპს "ხარისხი არის პირველი, ტექნოლოგია არის საფუძველი, პატიოსნება და ინოვაცია". ჩვენ შეგვიძლია განვავითაროთ ახალი პროდუქტები მუდმივად უფრო მაღალ დონეზე, რათა დააკმაყოფილოს მომხმარებლების განსხვავებული საჭიროებები.
    პროდუქტის აღწერა

    ჩვენი კომპანია გთავაზობთ SiC საფარის პროცესის სერვისებს CVD მეთოდით გრაფიტის, კერამიკის და სხვა მასალების ზედაპირზე, ისე, რომ ნახშირბადის და სილიციუმის შემცველი სპეციალური აირები რეაგირებენ მაღალ ტემპერატურაზე მაღალი სისუფთავის SiC მოლეკულების, დაფარული მასალების ზედაპირზე დეპონირებული მოლეკულების მისაღებად. SIC დამცავი ფენის ფორმირება.

    ძირითადი მახასიათებლები:

    1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა:

    ჟანგვის წინააღმდეგობა ჯერ კიდევ ძალიან კარგია, როდესაც ტემპერატურა 1600 C-მდეა.

    2. მაღალი სისუფთავე: დამზადებულია ქიმიური ორთქლის დეპონირებით მაღალი ტემპერატურის ქლორირების პირობებში.

    3. ეროზიის წინააღმდეგობა: მაღალი სიხისტე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.

    4. კოროზიის წინააღმდეგობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.

    CVD-SIC საფარის ძირითადი სპეციფიკაციები

    SiC-CVD თვისებები

    კრისტალური სტრუქტურა FCC β ფაზა
    სიმჭიდროვე გ/სმ ³ 3.21
    სიხისტე ვიკერსის სიმტკიცე 2500
    მარცვლეულის ზომა მმ 2 ~ 10
    ქიმიური სისუფთავე % 99.99995
    სითბოს სიმძლავრე J·kg-1 ·K-1 640
    სუბლიმაციის ტემპერატურა 2700
    Felexural ძალა MPa (RT 4 პუნქტი) 415
    იანგის მოდული Gpa (4pt მოსახვევი, 1300℃) 430
    თერმული გაფართოება (CTE) 10-6K-1 4.5
    თბოგამტარობა (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • წინა:
  • შემდეგი:

  • WhatsApp ონლაინ ჩატი!