OEM/ODM China China Sic დიზელის ნაწილაკების ფილტრი ძრავის გამონაბოლქვი DPF

მოკლე აღწერა:


  • წარმოშობის ადგილი:ჩინეთი
  • კრისტალური სტრუქტურა:FCCβ ფაზა
  • სიმკვრივე:3,21 გ/სმ
  • სიმტკიცე:2500 ვიკერი
  • მარცვლეულის ზომა:2 ~ 10 მკმ
  • ქიმიური სისუფთავე:99.99995%
  • სითბოს სიმძლავრე:640J·კგ-1·K-1
  • სუბლიმაციის ტემპერატურა:2700℃
  • ფელექსორული სიძლიერე:415 Mpa (RT 4-პუნქტიანი)
  • იანგის მოდული:430 Gpa (4pt მოსახვევი, 1300℃)
  • თერმული გაფართოება (CTE):4.5 10-6K-1
  • თბოგამტარობა:300 (W/MK)
  • პროდუქტის დეტალი

    პროდუქტის ტეგები

    ჩვენი წამყვანი ტექნოლოგიით, ამავდროულად ინოვაციების, ურთიერთთანამშრომლობის, სარგებლისა და წინსვლის სულისკვეთებით, ჩვენ ავაშენებთ აყვავებულ მომავალს ერთმანეთთან თქვენს პატივცემულ ფირმასთან OEM/ODM China China Sic Diesel Particulate Filter ძრავის გამონაბოლქვი DPF და ასევე ბევრია საზღვარგარეთელი ახლო მეგობარი, რომლებიც მოვიდნენ სანახავად, ან გვანდობონ მათთვის სხვა ნივთების ყიდვა. მოგეწონებათ ჩამოსვლა ჩინეთში, ჩვენს ქალაქში და ჩვენს საწარმოო ქარხანაში!
    ჩვენი წამყვანი ტექნოლოგიით, იმავდროულად, ჩვენი ინოვაციების, ურთიერთთანამშრომლობის, სარგებლისა და წინსვლის სულისკვეთებით, ჩვენ ავაშენებთ აყვავებულ მომავალს ერთმანეთთან თქვენს პატივცემულ ფირმასთან ერთად.კერამიკული თაფლი, ჩინეთის კატალიზატორიდღესდღეობით, ჩვენ გვყავს მომხმარებლები მთელი მსოფლიოდან, მათ შორის აშშ-დან, რუსეთიდან, ესპანეთიდან, იტალიიდან, სინგაპურიდან, მალაიზიიდან, ტაილანდიდან, პოლონეთიდან, ირანიდან და ერაყიდან. ჩვენი კომპანიის მისიაა უზრუნველყოს უმაღლესი ხარისხის პროდუქცია საუკეთესო ფასად. ჩვენ მოუთმენლად ველით თქვენთან ბიზნესის კეთებას.
    პროდუქტის აღწერა

    ჩვენი კომპანია გთავაზობთ SiC საფარის პროცესის სერვისებს CVD მეთოდით გრაფიტის, კერამიკის და სხვა მასალების ზედაპირზე, ისე, რომ ნახშირბადის და სილიციუმის შემცველი სპეციალური აირები რეაგირებენ მაღალ ტემპერატურაზე მაღალი სისუფთავის SiC მოლეკულების, დაფარული მასალების ზედაპირზე დეპონირებული მოლეკულების მისაღებად. SIC დამცავი ფენის ფორმირება.

    ძირითადი მახასიათებლები:

    1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა:

    ჟანგვის წინააღმდეგობა ჯერ კიდევ ძალიან კარგია, როდესაც ტემპერატურა 1600 C-მდეა.

    2. მაღალი სისუფთავე: დამზადებულია ქიმიური ორთქლის დეპონირებით მაღალი ტემპერატურის ქლორირების პირობებში.

    3. ეროზიის წინააღმდეგობა: მაღალი სიხისტე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.

    4. კოროზიის წინააღმდეგობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.

    CVD-SIC საფარის ძირითადი სპეციფიკაციები

    SiC-CVD თვისებები

    კრისტალური სტრუქტურა FCC β ფაზა
    სიმჭიდროვე გ/სმ ³ 3.21
    სიხისტე ვიკერსის სიმტკიცე 2500
    მარცვლეულის ზომა მმ 2 ~ 10
    ქიმიური სისუფთავე % 99.99995
    სითბოს სიმძლავრე J·kg-1 ·K-1 640
    სუბლიმაციის ტემპერატურა 2700
    Felexural ძალა MPa (RT 4 პუნქტი) 415
    იანგის მოდული Gpa (4pt მოსახვევი, 1300℃) 430
    თერმული გაფართოება (CTE) 10-6K-1 4.5
    თბოგამტარობა (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • წინა:
  • შემდეგი:

  • WhatsApp ონლაინ ჩატი!