Silicon-based GaN Epitaxy

Gambar Unggulan GaN Epitaxy berbasis silikon

Katrangan singkat:

Panggonan Asal:Cina

Struktur kristal:fase FCCβ

Kapadhetan:3,21 g/cm

kekerasan:2500 Vickers

Ukuran gandum:2~10μm

Kemurnian Kimia:99.99995%

Kapasitas panas:640J·kg-1·K-1

Suhu sublimasi:2700 ℃

Kekuwatan Felexural:415 Mpa (RT 4-Point)

Modulus Muda:430 Gpa (4pt bend, 1300 ℃)

Thermal Expansion (CTE):4.5 10-6K-1

Konduktivitas termal:300 (W/mK)

Kirimi email kanggo kita Ngundhuh minangka PDF

Detail Produk

Tag produk

Deskripsi Produk

Perusahaan kita nyedhiyakake layanan proses lapisan SiC kanthi metode CVD ing permukaan grafit, keramik lan bahan liyane, supaya gas khusus sing ngemot karbon lan silikon bereaksi ing suhu dhuwur kanggo entuk molekul SiC kemurnian dhuwur, molekul sing disimpen ing permukaan bahan sing dilapisi, mbentuk lapisan protèktif SIC.

Fitur utama:

1. Resistance oksidasi suhu dhuwur:

resistensi oksidasi isih apik banget nalika suhu nganti 1600 C.

2. Kemurnian dhuwur: digawe dening deposition uap kimia ing kondisi chlorination suhu dhuwur.

3. Erosi resistance: atose dhuwur, lumahing kompak, partikel nggoleki.

4. Resistance korosi: reagen asam, alkali, uyah lan organik.

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC

Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase β FCC
Kapadhetan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran gandum	μm	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuwatan Felexural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Thermal Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300