SiC Coated Graphite Halfmoon Partis a kuncinekomponen sing digunakake ing proses manufaktur semikonduktor, utamane kanggo peralatan epitaxial SiC.Kita nggunakake teknologi paten kita kanggo nggawe part halfmoon karokemurnian sing dhuwur banget,apiklapisankeseragamanlan urip layanan banget, ugiresistance kimia dhuwur lan sifat stabilitas termal.
VET Energy punika ingProdusen nyata produk grafit lan silikon karbida khusus kanthi lapisan CVD,bisa nyedhiyakakemacem-macembagean selaras kanggo industri semikonduktor lan photovoltaic. Otim teknis ur asalé saka institusi riset domestik ndhuwur, bisa nyedhiyani solusi materi luwih profesionalkanggo sampeyan.
Kita terus-terusan ngembangake proses maju kanggo nyedhiyakake bahan sing luwih maju,lanwis makarya metu teknologi paten eksklusif, kang bisa nggawe iketan antarane nutupi lan landasan tighter lan kurang rawan kanggo detasemen.
Features produk kita:
1. Resistance oksidasi suhu dhuwur nganti 1700℃.
2. Kemurnian dhuwur lankeseragaman termal
3. Resistensi korosi sing apik: reagen asam, alkali, uyah lan organik.
4. kekerasan dhuwur, lumahing kompak, partikel alus.
5. Urip layanan luwih dawa lan luwih awet
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifat fisik dhasar saka CVD SiClapisan | |
| 性质 / Properti | 典型数值 / Nilai khas |
| 晶体结构 / Struktur Kristal | Fase β FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Kapadhetan | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kekerasan | 2500 维氏硬度（500g beban） |
| 晶粒大小 / Ukuran Gandum | 2~10μm |
| 纯度 / Kemurnian Kimia | 99.99995% |
| 热容 / Kapasitas panas | 640 J·kg-1· K-1 |
| 升华温度 / Suhu Sublimasi | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Kekuwatan lentur | 415 MPa RT 4-titik |
| 杨氏模量 / Modulus Muda | 430 Gpa 4pt tikungan, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalKonduktivitas | 300W·m-1· K-1 |
| 热膨胀系数 / Ekspansi Termal (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Sugeng rawuh ing pabrik kita, ayo diskusi luwih lanjut!
