シリコンベースのGaNエピタキシー

簡単な説明:


  • 出身地:中国
  • 結晶構造:FCCβ相
  • 密度:3.21g/cm
  • 硬度:2500 ビッカース
  • 粒度:2~10μm
  • 化学純度:99.99995%
  • 熱容量:640J・kg-1・K-1
  • 昇華温度:2700℃
  • 感覚の強さ:415MPa(RT4点)
  • ヤング率:430 Gpa (4pt曲げ、1300℃)
  • 熱膨張 (CTE):4.5 10-6K-1
  • 熱伝導率:300(W/MK)
  • 製品詳細

    製品タグ

    製品説明

    当社は、グラファイトやセラミックスなどの材料表面に、炭素とシリコンを含む特殊ガスを高温で反応させ、高純度のSiC分子を得ることで、コーティング材料の表面に分子を堆積させ、CVD法によるSiCコーティング処理サービスを提供しています。 SIC保護層を形成します。

    主な特徴:

    1. 高温酸化耐性:

    1600℃もの高温でも耐酸化性は非常に良好です。

    2. 高純度 : 高温塩素化条件下での化学蒸着によって製造されます。

    3.耐浸食性:高硬度、緻密な表面、微細な粒子。

    4. 耐食性: 酸、アルカリ、塩および有機試薬。

    CVD-SICコーティングの主な仕様

    SiC-CVDの特性

    結晶構造 FCC βフェーズ
    密度 g/cm3 3.21
    硬度 ビッカース硬さ 2500
    粒度 μm 2~10
    化学純度 % 99.99995
    熱容量 J・kg-1・K-1 640
    昇華温度 2700
    感覚の強さ MPa(室温4点) 415
    ヤング率 Gpa (4pt曲げ、1300℃) 430
    熱膨張 (CTE) 10-6K-1 4.5
    熱伝導率 (W/mK) 300

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