Rivestimento SiC rivestito diSubstrato di grafite per semiconduttori,Rivestimento in carburo di silicio,Suscettore MOCVD,
Substrato di grafite per semiconduttori, Suscettore MOCVD, Rivestito in SiC, Rivestimento SiC, Rivestimento in carburo di silicio per semiconduttori,
Rivestimento SiC diSubstrato di grafite per semiconduttoriapplicazioni produce una parte con purezza e resistenza superiori all'atmosfera ossidante.
CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di parti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in vari spessori e su parti molto grandi.
Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli shock fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza estremamente elevata
· Disponibilità in forma complessa
· Utilizzabile in atmosfera ossidante
Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:
Densità apparente: | 1,85 g/cm3 |
Resistività elettrica: | 11μΩm |
Resistenza alla flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Durezza Shore: | 58 |
Cenere: | <5 ppm |
Conducibilità termica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
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