Rivestimento SiC rivestito con substrato di grafite per semiconduttori,Rivestimento in carburo di silicio,Suscettore MOCVD,
Suscettore MOCVD, Rivestimento SiC rivestito con substrato di grafite per semiconduttori, Rivestimento in carburo di silicio,

Il rivestimento SiC del substrato di grafite per applicazioni a semiconduttore produce una parte con purezza e resistenza superiori all'atmosfera ossidante.
CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di parti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in vari spessori e su parti molto grandi.

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli shock fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza estremamente elevata
· Disponibilità in forma complessa
· Utilizzabile in atmosfera ossidante

Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:

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Q1: quali sono i tuoi prezzi?
I nostri prezzi sono soggetti a modifiche in base all'offerta e ad altri fattori di mercato. Ti invieremo un listino prezzi aggiornato dopo che la tua azienda ci avrà contattato per ulteriori informazioni.
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Sì, richiediamo che tutti gli ordini internazionali abbiano una quantità minima d'ordine continuativa.
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Per i campioni, il tempo di consegna è di circa 7 giorni. Per la produzione di massa, il tempo di consegna è di 15-25 giorni dalla ricezione del pagamento del deposito. I tempi di consegna entrano in vigore quando abbiamo ricevuto il tuo deposito e abbiamo la tua approvazione finale per i tuoi prodotti. In tutti i casi cercheremo di soddisfare le vostre esigenze. Nella maggior parte dei casi siamo in grado di farlo.
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Q8: Che ne dici delle spese di spedizione?
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