Rivestimento SiC rivestito con substrato di grafite per semiconduttori,Rivestimento in carburo di silicio,Suscettore MOCVD,
Suscettore MOCVD, Rivestimento SiC rivestito con substrato di grafite per semiconduttori, Rivestimento in carburo di silicio,

Il rivestimento SiC del substrato di grafite per applicazioni a semiconduttore produce una parte con purezza e resistenza superiori all'atmosfera ossidante.
CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di parti dal design semplice o complesso.Il rivestimento può essere applicato in vari spessori e su parti molto grandi.

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli shock fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza estremamente elevata
· Disponibilità in forma complessa
· Utilizzabile in atmosfera ossidante

Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:

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Q1: quali sono i tuoi prezzi?
I nostri prezzi sono soggetti a modifiche in base all'offerta e ad altri fattori di mercato.Ti invieremo un listino prezzi aggiornato dopo che la tua azienda ci avrà contattato per ulteriori informazioni.
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