"Sincerità, innovazione, rigore ed efficienza" è la concezione persistente della nostra azienda per lo sviluppo a lungo termine insieme ai clienti per la reciprocità reciproca e il vantaggio reciproco per l'ispezione di qualità per la Cina industriale policristallinaPolvere di diamante3-6um per Sapphire Wafer, siamo fiduciosi di poter offrire prodotti e soluzioni di alta qualità a prezzi ragionevoli e un supporto post-vendita superiore agli acquirenti. E costruiremo un vibrante lungo periodo.
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Descrizione del prodotto
La nostra azienda fornisce servizi di processo di rivestimento SiC con metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscano ad alta temperatura per ottenere molecole SiC di elevata purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formando lo strato protettivo SIC.
Caratteristiche principali:
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona anche quando la temperatura arriva fino a 1600 C.
2. Elevata purezza: prodotto mediante deposizione di vapori chimici in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD | ||
Struttura cristallina | Fase β dell'FCC | |
Densità | g/cm³ | 3.21 |
Durezza | Durezza Vickers | 2500 |
Granulometria | µm | 2~10 |
Purezza chimica | % | 99.99995 |
Capacità termica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Temperatura di sublimazione | ℃ | 2700 |
Forza flessionale | MPa (RT 4 punti) | 415 |
Modulo di Young | Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) | 430 |
Dilatazione Termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Conduttività termica | (W/mK) | 300 |