Barca Wafer contigua

Breve descrizione:

La contigua Wafer Boat di Vet-China è progettata per una gestione efficiente dei wafer nella produzione di semiconduttori. Progettata con precisione, la soluzione di vet-china garantisce stabilità termica e resistenza chimica, ottimizzando i processi di produzione riducendo al minimo i danni e migliorando la produttività.

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vet-china presenta una barca wafer contigua all'avanguardia progettata per la prossima generazione di produzione di semiconduttori. Questa imbarcazione progettata meticolosamente offre una precisione senza precedenti nella movimentazione dei wafer, garantendo operazioni senza interruzioni e riducendo significativamente il rischio di danni durante la lavorazione.

Costruita con materiali di alta qualità, la Contiguous Wafer Boat vanta un'eccellente stabilità termica e un'eccezionale resistenza chimica, che la rendono ideale per ambienti chimici aggressivi e ad alta temperatura. Il suo design innovativo garantisce che i wafer siano tenuti saldamente e perfettamente allineati, ottimizzando la produttività e aumentando l'efficienza produttiva.

Questa imbarcazione per wafer all'avanguardia è progettata su misura per soddisfare le esigenti esigenze delle moderne fabbriche di semiconduttori, supportando varie dimensioni e configurazioni di wafer. Incorporando la contigua Wafer Boat di Vet-China nella vostra linea di produzione, potete aspettarvi prestazioni migliorate, tempi di inattività ridotti e tassi di rendimento maggiori.

Sperimenta la differenza con l'impegno di vet-china per la qualità e l'innovazione, offrendo prodotti che ampliano i confini della produzione di semiconduttori. Scegli la Contiguous Wafer Boat e porta le tue capacità di elaborazione dei wafer a nuovi livelli.

Proprietà del carburo di silicio ricristallizzato

Il carburo di silicio ricristallizzato (R-SiC) è un materiale ad alte prestazioni con una durezza seconda solo al diamante, che si forma ad alta temperatura superiore a 2000 ℃. Conserva molte eccellenti proprietà del SiC, come resistenza alle alte temperature, forte resistenza alla corrosione, eccellente resistenza all'ossidazione, buona resistenza agli shock termici e così via.

● Eccellenti proprietà meccaniche. Il carburo di silicio ricristallizzato ha una maggiore resistenza e rigidità rispetto alla fibra di carbonio, un'elevata resistenza agli urti, può offrire buone prestazioni in ambienti a temperature estreme e può fornire migliori prestazioni di controbilanciamento in una varietà di situazioni. Inoltre, ha anche una buona flessibilità e non si danneggia facilmente con allungamenti e piegature, il che migliora notevolmente le sue prestazioni.

● Elevata resistenza alla corrosione. Il carburo di silicio ricristallizzato ha un'elevata resistenza alla corrosione su una varietà di mezzi, può prevenire l'erosione di una varietà di mezzi corrosivi, può mantenere le sue proprietà meccaniche per lungo tempo, ha una forte adesione, quindi ha una maggiore durata. Inoltre, ha anche una buona stabilità termica, può adattarsi a un certo intervallo di variazioni di temperatura e migliorare il suo effetto applicativo.

● La sinterizzazione non si ritira. Poiché il processo di sinterizzazione non si restringe, nessuno stress residuo causerà deformazioni o screpolature del prodotto e sarà possibile preparare parti con forme complesse e alta precisione.

重结晶碳化硅物理特性 Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato
性质 / Proprietà	典型数值 /Valore tipico
使用温度/ Temperatura di lavoro (°C)	1600°C (con ossigeno), 1700°C (ambiente riducente)
SiC含量/ Contenuto di SiC	> 99,96%
自由Si含量/ Contenuto Si gratuito	<0,1%
体积密度/Densità apparente	2,60-2,70 g/cm³
气孔率/ Porosità apparente	< 16%
抗压强度/ Resistenza alla compressione	>600MPa
常温抗弯强度/Resistenza alla flessione a freddo	80-90MPa (20°C)
高温抗弯强度Resistenza alla flessione a caldo	90-100MPa (1400°C)
热膨胀系数/ Dilatazione termica @1500°C	4,7010^-6/°C
导热系数/Conduttività termica @1200°C	23W/m•K
杨氏模量/ Modulo elastico	240 GPa
抗热震性/ Resistenza agli shock termici	Estremamente buono

VET L'energia è ILvero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con rivestimento CVD,può fornirevariparti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica. OIl nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornire soluzioni materiali più professionaliper te.

Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali più avanzati,Ehanno messo a punto un'esclusiva tecnologia brevettata, in grado di rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno soggetto a distaccamenti.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento
性质 / Proprietà	典型数值 /Valore tipico
晶体结构 / Struttura in cristallo	Fase β dell'FCC多晶,主要为（111）取向
密度 / Densità	3,21 g/cm³
硬度 / Durezza	2500 tonnellate di carico (carico di 500 g)
晶粒大小 / Granulometria	2~10μm
纯度 / Purezza chimica	99,99995%
热容 / Capacità termica	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 /Temperatura di sublimazione	2700 ℃
抗弯强度 / Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
杨氏模量 / Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
导热系数 /TermelConduttività	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)	4,5×10^-6K^-1